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Halbbrücke IGBT-Module 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Name: Halbbrücke IGBT-Module 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.
Brand: Halbbrücke IGBT-Module 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.
SKU: SPS600B12G6
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Modellnummer: SPS600B12G6

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                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                IGBT-Module für die Halbbrücke 62 mm, 62 mm IGBT Halbbrückenmodul, 600A IGBT Halbbrückenmodul
                              

Kollektorstrom:	100A	Kollektor-Emitter-Spannung:	1200 V
Strom:	100A	Tor-Gebühr:	100 nC
Tor-Emitterspannung:	± 20V	Isolationsspannung:	2500V
Höchstbetriebstemperatur:	150°C	Montageart:	Schraub
Ausgangsstrom:	100A	Art der Packung:	62 mm
Rückgenesungszeit:	100ns	Schaltfrequenz:	20KHZ
Wärmewiderstand:	0.2°C/W	Spannung:	1200 V

Kollektorstrom:	100A
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200 V
Strom:	100A
Tor-Gebühr:	100 nC
Tor-Emitterspannung:	± 20V
Isolationsspannung:	2500V
Höchstbetriebstemperatur:	150°C
Montageart:	Schraub
Ausgangsstrom:	100A
Art der Packung:	62 mm
Rückgenesungszeit:	100ns
Schaltfrequenz:	20KHZ
Wärmewiderstand:	0.2°C/W
Spannung:	1200 V

Halbbrücke IGBT-Module 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Solid Power-DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

1200V 600A IGBT Halbbrückenmodul

Halbbrücke IGBT-Module 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 0

Eigenschaften:

1200V Trench+ Feldstop-Technologie
Freiraddioden mit schneller und weicher Rückwärtserholung
VCE (sat) mit positivem Temperaturkoeffizient
Niedrige Umschaltverluste
Kurzschlussrobustheit

Typische Anwendungen:

Motoren/Servoantriebe
Umwandler für Windkraftanlagen
Photovoltaik-Inverter
Umwandler für die Speicherung von Energie
UPS

Paket

Artikel	Symbol	Bedingungen		Werte			Einheit
Isolationsversuchsspannung	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			KV
Material der Modulunterlage				- Was?
Innere Isolierung		(Klasse 1, IEC 61140) Grundisolierung (Klasse 1, IEC 61140)		Al2O3
Entfernung zum Schleichen	Schrecklich	Anschluss an die Heizkessel		29.0			mm
	Schrecklich	von Terminal zu Terminal		23.0
Genehmigung	dKlar	Anschluss an die Heizkessel		23.0			mm
	dKlar	von Terminal zu Terminal		11.0
Vergleichsverfolgungsindex	CTI			> 400

Artikel	Symbol	Bedingungen		Werte			Einheit
				- Ich weiß nicht.	Das ist typisch.	Max, du bist ein guter Mann.
Stray-Induktivitätsmodul	LsCE				20		nH
Modul-Bleiwiderstand, Endgeräte - Chip	RCC+EE		TC=25°C		0.70		mΩ
Lagertemperatur	Tstg			- 40		125	°C
Montagestark für die Montage von Modulen	M6			3.0		6.0	Nm
Drehmoment der Endverbindung	M6			2.5		5.0	Nm
Gewicht	G				320		g

IGBT

Maximaler Nennwert / Maksimum额定值

Artikel	Symbol	Bedingungen		Werte	Einheit
Sammler-Emitter Spannung	VCES		Tvj=25°C	1200	V
Höchstspannung des Tor-Emitters	VGES			± 20	V
Übergangsspannung des Tor-Emitters	VGES	tp≤10 μs, D=0.01		± 30	V
Kontinuierlicher Gleichstrom im Kollektor	IC		TC=25°C	700	Eine
Kontinuierlicher Gleichstrom im Kollektor	IC		TC=80°C	550	Eine
Pulsierter Kollektorstrom,tp begrenzt durch Tjmax	ICpulse			1200	Eine
Leistungsausfall	Ptot			2142	W

Charakteristische Werte / 特征值

Artikel	Symbol	Bedingungen		Werte			Einheit
Artikel	Symbol	Bedingungen		- Ich weiß nicht.	Das ist typisch.	Max, du bist ein guter Mann.	Einheit
集电极-Emission极和电压 Sättigungsspannung des Kollektors-Emitters	VCE (Sat)	Die Leistung ist in der Tabelle 1 angegeben.	Tvj=25°C		2.00	2.40	V
			Tvj=125°C		2.40
			Tvj=150°C		2.50
极值 elektrischer Druck Grenzspannung für das Tor	VGE (th)	VCE=VGE, IC=24mA		5.5	6.3	7.0	V
集电极-发射极截止电流 Stromabschnittsstrom zwischen Kollektor und Emitter	ICES	Die Leistung wird durch die Leistungskapazität des Geräts ermittelt.	Tvj=25°C			100	μA
	ICES		Tvj=150°C			5	mA
极- Ausstrahlung 极漏电流 Leckstrom des Tor-Emitters	IGES	Bei der Prüfung der Leistung ist die Leistung zu berücksichtigen.		- 200 Dollar.		200	nA
极电荷极电荷 Torentarife	Hauptquartier	VCE=600V, IC=600A, VGE=±15V			5.0		μC
Input-Kapazität Eingangskapazität	Siehe	Bei der Prüfung der Leistungsfähigkeit ist die Leistungsfähigkeit des Geräts zu berücksichtigen.			80.0		nF
Ausgangsleistung Leistungskapazität	Coes				2.85
Gegenseitige Übertragungskapazität Umgekehrte Übertragungskapazität	Cres				1.48
内部极电阻 Innerer Torwiderstand	RGint	Tvj=25°C			2		Ohm
开通延迟时间 (elektrische Belastung) Anschaltverzögerungszeit, Induktionslast	(Durchgängig gemacht)	VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω, VGE=±15V	Tvj=25°C		340		n
			Tvj=125°C		376		n
			Tvj=150°C		384		n
Aufwärtszeit (elektrische Belastung) Steigzeit, Induktionslast	Tr		Tvj=25°C		108		n
			Tvj=125°C		124		n
			Tvj=150°C		132		n
关断延迟时间 (elektrische Belastung) Verzögerungszeit für das Ausschalten, Induktionslast	Td (ausgeschaltet)	VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω, VGE=±15V	Tvj=25°C		616		n
			Tvj=125°C		676		n
			Tvj=150°C		682		n
Wir haben eine große Menge Zeit. Fallzeit, Induktionslast	Tf		Tvj=25°C		72		n
			Tvj=125°C		76		n
			Tvj=150°C		104		n
开通损耗能量 ((Jeder Puls) Energieverlust beim Einschalten pro Impuls	Eon	VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω, VGE=±15V	Tvj=25°C		57.9		MJ
			Tvj=125°C		82.2		MJ
			Tvj=150°C		91.4		MJ
关断损耗能量 ((Jeder Impuls) Energieverlust pro Impuls ausschalten	Eoff		Tvj=25°C		45.2		MJ
			Tvj=125°C		55.3		MJ
			Tvj=150°C		58.7		MJ
短路数据 SC-Daten	ISC	die Leistung von VGE≤15V, VCC=800V	tp≤10 μs Tvj=150°C			2500	Eine
IGBT-Anschluss-Außen-Wärmeschutz IGBT-Wärmewiderstand, Verbindungsgehäuse	RthJC					0.07	K / W
Arbeitstemperatur Betriebstemperatur	TJop			- 40		150	°C

Diode / 二极管

Maximaler Nennwert / Maksimum额定值

Artikel	Symbol	Bedingungen		Werte	Einheit
Gegenseitig wiederholter Spitzenstrom Wiederholungsumkehrspannung	VRRM		Tvj=25°C	1200	V
kontinuierlicher direkter Stromstrom Kontinuierlicher Gleichstrom	Wenn			600	Eine
二极管 direkt nicht wiederholt Spitzenstrom Diodenpulsstrom,tp begrenzt durch TJmax	IFpulse			1200	Eine

Charakteristische Werte / 特征值

Artikel	Symbol	Bedingungen		Werte			Einheit
				- Ich weiß nicht.	Das ist typisch.	Max, du bist ein guter Mann.
Stromspannung Vorwärtsspannung	VF	Wenn = 600A, VGE = 0V	Tvj=25°C		1.65	2.00	V
			Tvj=125°C		1.80
			Tvj=150°C		1.80
Gegenwärtige Wiederherstellung Umgekehrte Wiederherstellungszeit	Trr	IF=600A Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anwendungen dürfen nicht verwendet werden, wenn die Anwendungsbedingungen für diese Anwendungen nicht erfüllt sind. VGE=-15V	Tvj=25°C		224		n
			Tvj=125°C		300
			Tvj=150°C		335
Gegenzug zum Rückzugspitzenstrom Höchststrom der Rückgewinnung	IRRM		Tvj=25°C		624		Eine
			Tvj=125°C		649
			Tvj=150°C		665
Rückwärts-Rückschlagstrom Umgekehrte Wiedereinziehungsgebühr	QRR		Tvj=25°C		95		μC
			Tvj=125°C		134.9
			Tvj=150°C		147.4
Gegenseitige Wiederherstellungsverluste (für jeden Schlag) Umkehrenergieverlust pro Impuls	Erec		Tvj=25°C		35.4		MJ
			Tvj=125°C		49.7
			Tvj=150°C		55.9
二极管结- externer 热阻 Dioden-Wärmewiderstand, Verbindungsgehäuse	RthJCD					0.13	K / W
Arbeitstemperatur Betriebstemperatur	TJop			- 40		150	°C

Halbbrücke IGBT-Module 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 1

Halbbrücke IGBT-Module 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 2

Halbbrücke IGBT-Module 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 3

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IGBT-Module 34 mm

IGBT-Module 62 mm

IGBT-Module EconoDual3

IGBT-Module EasyPIM

IGBT-Module EconoPack

IGBT-Module EconoPIM

Module für die Automobilindustrie

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Mosfet getrennt

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Halbbrücke IGBT-Module 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

IGBT-Module für die Halbbrücke 62 mm

62 mm IGBT Halbbrückenmodul

600A IGBT Halbbrückenmodul

1200V 600A IGBT Halbbrückenmodul

Paket

Diode / 二极管

Maximaler Nennwert / Maksimum额定值

IGBT-Leistungsmodul,

H-Brücken-IGBT-Modul,

Modul igbt der hohen Leistung

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Weiße IGBT-Module 62 mm Elektronische Komponente DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

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