Einzelheiten zum Produkt
Modellnummer: SPS200B12G6H4
Zahlungs- und Versandbedingungen
Kollektorstrom: |
100A |
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung: |
2.5V |
Kollektor-Emitter-Spannung: |
±1200V |
Aktuelles Rating: |
100A |
Tor-Emitterdurchsickernstrom: |
± 10 μA |
Tor-Emitterschwellenspannung: |
5V |
Tor-Emitterspannung: |
± 20V |
Höchstbetriebstemperatur: |
150°C |
Modul-Art: |
IGBT |
Art der Packung: |
62 mm |
Kurzschluss-Widerstands-Zeit: |
10 μs |
Schaltfrequenz: |
20KHZ |
Wärmewiderstand: |
0.1°C/W |
Nennspannung: |
1200 V |
Kollektorstrom: |
100A |
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung: |
2.5V |
Kollektor-Emitter-Spannung: |
±1200V |
Aktuelles Rating: |
100A |
Tor-Emitterdurchsickernstrom: |
± 10 μA |
Tor-Emitterschwellenspannung: |
5V |
Tor-Emitterspannung: |
± 20V |
Höchstbetriebstemperatur: |
150°C |
Modul-Art: |
IGBT |
Art der Packung: |
62 mm |
Kurzschluss-Widerstands-Zeit: |
10 μs |
Schaltfrequenz: |
20KHZ |
Wärmewiderstand: |
0.1°C/W |
Nennspannung: |
1200 V |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsspiegel.
1200 V 200A IGBT Die Hälfte Brücke Modul
Eigenschaften:
Typisch Anwendungen:
IGBT, Inverter / IGBT, umgekehrter Wandler
Höchstbetrag Nennwerte/ Maximaler Wert |
|||||||
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Wert |
Einheiten |
|||
集电极- Ausstrahlungsstrom Sammler-EmittentSpannung |
VCES |
TVj= 25°C |
1200 |
V |
|||
连续集电极直流电流 Kontinuierlich DC Schleimctor-Strom |
Ich...C |
TC = 100°C, TVj maximal= 175°C TC = 25°C, TVj maximal= 175°C |
200
280 |
Eine Eine |
|||
集电极重复峰值电流 (Zollstrom) Höchststand WiederholenVerzögerung Sammlerstrom |
Ich...CRM |
tp=1 ms |
400 |
Eine |
|||
Gesamtverlust an Leistung Gesamtzahl Leistung AbwanderungDie |
PNachweis |
TC= 25°C, TVj= 175°C |
1070 |
W |
|||
极- Ausstrahlung 极峰值 HöchstgeschwindigkeitSpannung des E-Emitters |
VGES |
±20 |
V |
||||
Charakteristische Werte/ Eigenschaftswert |
|||||||
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
- Ich weiß nicht. Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann. |
Einheiten |
|||
集电极-Emission极 和电压 Sammler-Emitter-Saturatibei Spannung |
VCE-Nummern(gesetzt) |
Ich...C= 200 A, VGE=15V |
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C |
1.50 |
2.40 2.95 3.00 |
3.00 |
V V V |
极 值 elektrischer Druck Grenzwerte für die SchließungSpannung |
VEG (Jahr) |
Ich...C=8mA, VCE-Nummern=VGE, TVj= 25°C |
5.0 6.0 7.0 |
V |
|||
极电荷 极电荷 Tor Gebühr |
QG |
VGE=-15V... +15V |
0.8 |
μC |
|||
内部 极电阻 Innentor Widerstand |
RGint |
TVj= 25°C |
2.5 |
Ohm |
|||
Input-Kapazität EinspeisungsgrenzeAbhängigkeit |
CEinheit |
f=1MHz, TVj= 25°C, VCE-Nummern= 25V, VGE=0V |
8.76 |
nF |
|||
Gegenseitige Übertragungskapazität RückwärtsbewegungSphärenkapazität |
CRes |
f=1MHz, TVj= 25°C, VCE-Nummern= 25V, VGE=0V |
0.40 |
nF |
|||
集电极-发射极截止电流 (Streichschluss) Sammler-Emittent Schnittgrenze cVerzögerung |
Ich...CES |
VCE-Nummern=1200V, VGE=0V, TVj= 25°C |
5.00 |
mA |
|||
- Ich weiß nicht.-发射极 漏电流 Tor-Emitter Leckage Strom |
Ich...GES |
VCE-Nummern=0V, VGE=20V, TVj= 25°C |
200 |
nA |
|||
开通延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung) Schalten Verzögerungszeit, Induktiv Belastung |
td( auf) |
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C |
65 75
75 |
n n n |
|||
Aufstiegszeit( elektrische Belastung) Es ist Zeit, aufzustehen. Induktiv Belastung |
tr |
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C |
45 55
55 |
n n n |
|||
关断延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung) Abschaltung dZeit der Ausbringung, Induktiv Belastung |
td(abgeschaltet) |
Ich...C=200A, VCE-Nummern= 600 V VGE=±15V RGönn= 3,3 Ω R- Ich weiß.= 3,3 Ω
Induktiv - Ich weiß.Anzeige |
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C |
205 230
235 |
n n n |
||
- Was ist los?( elektrische Belastung) Herbstzeit, Induktiv Belastung |
tf |
55 85
85 |
n n n |
||||
开通 损耗能量(Jeder Schlag) Schalten Energie Verlust pro SchnüffelnIch weiß. |
Eauf |
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C |
16.7 26.4 28.2 |
MJ MJ MJ |
|||
关断损耗能量 (Schnittverlust an Energie)(- Ich weiß nicht. Abschaltungsenergie Verlust pro Puls |
Eabgeschaltet |
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C |
4.9 8.8 9.6 |
MJ MJ MJ |
|||
短路数据 SC Daten |
Ich...SC |
VGE≤ 15 V, VCC= 800 V VCEmax=VCES- Ich bin ein Mann.sCE·di/dt, tp= 10 μs, TVj= 150°C |
800 |
Eine |
|||
结-外 热阻 Thermische Widerstand, juntion Fall |
Rdie |
Für IGBT / Jeder. IGBT |
0.14 |
K/W |
Arbeitstemperatur Temperatur undWechseln Bedingungen |
TVjop |
- 40 |
150 |
°C |
|||
Diode, Wechselrichter/ 2G-Rohr, umgekehrter Wandler Höchstbetrag Nennwerte/ Maximalwert |
|||||||
Artikel |
Symbol CZustände |
Wert |
Einheiten |
||||
Gegenseitig wiederholter Spitzenstrom Höchststand Wiederholung UmkehrspannungE |
VRRM TVj= 25°C |
1200 |
V |
||||
kontinuierlicher direkter Stromstrom Kontinuierlich DC fürAbteilungsstrom |
Ich...F |
200 |
Eine |
||||
Stromstrom von höchstem Volumen Höchststand wiederholter Vorwärtsstrom |
Ich...FRM tp=1 ms |
400 |
Eine |
||||
Charakteristische Werte/ Eigenschaftswert |
|||||||
Artikel |
SymbolBedingungen |
- Ich weiß nicht. Das ist typisch. |
Max, du bist ein guter Mann. |
Einheiten |
|||
Stromspannung Vorwärtsspannung |
VF Ich...F=200A |
TVj= 25°C TVj= 125°CTVj= 150°C |
1.50 |
1.80 1.80 1.80 |
2.40 |
V V V |
|
Gegenzug zum Rückzugspitzenstrom
Höchststand Rückwärts Rückgewinnung cVerzögerung |
Ich...RM
Qr
ERechnen |
Ich...F=200A -di/dt=3200A/μs VR = 600 V
VGE=-15V |
TVj= 25°C TVj= 125°CTVj= 150°CTVj= 25°C TVj= 125°CTVj= 150°CTVj= 25°C TVj= 125°CTVj= 150°C |
140 140
140 |
Eine Eine Eine |
||
Rückwärts-Rückschlagstrom Einziehungsgebühr |
14.5 22.528.0 |
μC μC μC |
|||||
Gegenseitige Wiederherstellungsverluste (für jeden Schlag) Rückwärts Rückgewinnung Energie (für Puls) |
4.5 8.7 9.9 |
MJ MJ MJ |
|||||
结-外 热阻 Thermische Widerstand, juntion Fall |
Rdie pro Diode Jeder个二极管 |
0.23 |
K/W |
||||
Arbeitstemperatur Temperatur undWechseln Bedingungen |
TVjop |
- 40 |
150 |
°C |
Modul/ 模块 |
||||
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Wert |
Einheiten |
绝缘 Prüfstromdruck IsolationPrüfspannung |
VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
3.0 |
KV |
模块基板材料 Material von Modul Unterplatte |
- Was? |
|||
内部绝缘 Inneres Isolierung |
基本绝缘(Klasse 1, Ich...EG-Länder 61140) Grundsätzliche Isolierung (Klasse 1, IEC 61140) |
Das ist alles.2O3 |
||
爬电距离 SchrecklichSchlagzeug |
端子-散热片/ Terminal to Heizkessel 端子-端子/Terminal bis TerMinal |
29.0 23.0 |
mm |
|
电气间隙 Genehmigung |
端子-散热片/ Terminal to Heizkessel 端子-端子/Terminal bis TerMinal |
23.0 11.0 |
mm |
|
Vergleichswirkung KomparativVerfolgung Index |
CTI |
> 400 |
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
- Ich weiß nicht. |
Das ist typisch. |
Max, du bist ein guter Mann. |
Einheiten |
杂散电感, 模块 (Versplitterung des elektrischen Gefühls) Stray Induktivität Modul |
LsCE |
20 |
nH |
|||
模块引脚电阻, 端子- Chips
Modul Blei Widerstand ,Terminals-CHüfte |
RCC??+EE RAA??+CC?? |
0.7 |
mΩ |
|||
Lagertemperatur
LagertemSchnittstelle |
TStg |
- 40 |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭距 MontagevorrichtungFür die Modul Montage |
M |
M6 |
3.00 |
6.00 |
Nm |
|
端子联接 Drehweite Anschluss an das Terminaln Drehmoment |
M |
M6 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
|
Gewicht
Gewicht |
G |
320 |
g |
IGBT IGBT
Ausgangsmerkmal IGBT, Inverter (typisch) Ausgangsmerkmal IGBT, Inverter (typisch)
Ich...C=f (V)CE-Nummern) IC=f(VCE-Nummern)
VGE=15V Tvj=150°C
IGBT IGBT
Übertragungsmerkmal IGBT, Wechselrichter (typisch) Übertragungsmerkmal IGBT, Wechselrichter (typisch)
IC=f (VGE) E=f (IC), Eoff=f (IC)
VCE=20V VGE=±15V, RGon=3,3 Ω, RGoff=3,3 Ω, VCE=600V
IGBT IGBT
Schaltverluste IGBT, Inverter (typisch) Übergangswärmeimpedanz IGBT, Inverter
E=f (RG) ZthJC=f (t)
Bei der Prüfung der Leistungsfähigkeit ist die Leistungsfähigkeit des Geräts zu messen.
IGBT
Umgekehrter Verzerrungssicherheitsbetriebsbereich IGBT, Inverter (RBSOA) Vorwärtsbewegung der Diode, Inverter (typisch)
IC=f (VCE) IF=f (VF)
VGE=±15V, RGoff=3,3 Ω, Tvj=150°C
Schaltverluste Diode, Inverter (typisch) Schaltverluste Diode, Inverter (typisch)
Erec=f (IF) Erec=f (RG)
RGon=3,3Ω, VCE=600V Wenn=200A, VCE=600V
FRD
Vorübergehende Wärmeimpedanz FRD, Wechselrichter
ZthJC=f (t)
Das "1200V 200A IGBT Half Bridge Module" integriert zwei IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration für Anwendungen, die eine Steuerung von mittleren bis hohen Spannungs- und Strompegeln benötigen.Eine effektive Kühlung ist von entscheidender Bedeutung, und detaillierte Spezifikationen finden Sie im Datenblatt des Herstellers.
Schaltkreis Diagramm Titel
Paket Umrisse