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200A 1200V IGBT Halbbrückenmodul 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

Einzelheiten zum Produkt

Modellnummer: SPS200B12G6H4

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200A IGBT Halbbrückenmodul

,

200A Halbbrückenmodul

,

62 mm IGBT Halbbrückenmodul

Kollektorstrom:
100A
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2.5V
Kollektor-Emitter-Spannung:
±1200V
Aktuelles Rating:
100A
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
± 10 μA
Tor-Emitterschwellenspannung:
5V
Tor-Emitterspannung:
± 20V
Höchstbetriebstemperatur:
150°C
Modul-Art:
IGBT
Art der Packung:
62 mm
Kurzschluss-Widerstands-Zeit:
10 μs
Schaltfrequenz:
20KHZ
Wärmewiderstand:
0.1°C/W
Nennspannung:
1200 V
Kollektorstrom:
100A
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2.5V
Kollektor-Emitter-Spannung:
±1200V
Aktuelles Rating:
100A
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
± 10 μA
Tor-Emitterschwellenspannung:
5V
Tor-Emitterspannung:
± 20V
Höchstbetriebstemperatur:
150°C
Modul-Art:
IGBT
Art der Packung:
62 mm
Kurzschluss-Widerstands-Zeit:
10 μs
Schaltfrequenz:
20KHZ
Wärmewiderstand:
0.1°C/W
Nennspannung:
1200 V
200A 1200V IGBT Halbbrückenmodul 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

 

 

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsspiegel.


1200 V 200A IGBT Die Hälfte Brücke Modul

 

200A 1200V IGBT Halbbrückenmodul 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 0

 

Eigenschaften:

  • 1200V-Technologie für den Planar-Feld-Stop
  • Freiraddioden mit schneller und weicher Rückwärtserholung
  • Niedrige Umschaltverluste
  • Hohe RBSOA-Fähigkeit

 

Typisch Anwendungen:

  • Induktionsheizung
  • Schweißen
  • Hochfrequenzschaltanwendung

 

IGBT, Inverter / IGBT, umgekehrter Wandler

 

Höchstbetrag Nennwerte/ Maximaler Wert

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Wert

 

Einheiten

 

集电极- Ausstrahlungsstrom

Sammler-EmittentSpannung

 

VCES

 

TVj= 25°C

 

1200

 

V

 

连续集电极直流电流

Kontinuierlich DC Schleimctor-Strom

 

Ich...C

 

TC = 100°C, TVj maximal= 175°C

TC = 25°C, TVj maximal= 175°C

 

200

 

280

 

Eine

Eine

 

集电极重复峰值电流 (Zollstrom)

Höchststand WiederholenVerzögerung Sammlerstrom

 

Ich...CRM

 

tp=1 ms

 

400

 

Eine

 

Gesamtverlust an Leistung

Gesamtzahl Leistung AbwanderungDie

 

PNachweis

 

TC= 25°C, TVj= 175°C

 

1070

 

W

 

极- Ausstrahlung 极峰值

HöchstgeschwindigkeitSpannung des E-Emitters

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

 

 

Charakteristische Werte/ Eigenschaftswert

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

- Ich weiß nicht. Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann.

 

Einheiten

 

集电极-Emission极 和电压

Sammler-Emitter-Saturatibei Spannung

 

VCE-Nummern(gesetzt)

 

Ich...C= 200 A, VGE=15V

 

TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C

 

1.50

 

2.40

2.95

3.00

 

3.00

 

V

V

V

 

极 值 elektrischer Druck

Grenzwerte für die SchließungSpannung

 

 

VEG (Jahr)

 

Ich...C=8mA, VCE-Nummern=VGE, TVj= 25°C

 

 

5.0 6.0 7.0

 

V

 

极电荷 极电荷

Tor Gebühr

 

QG

 

 

VGE=-15V... +15V

 

0.8

 

μC

 

内部 极电阻

Innentor Widerstand

 

RGint

 

TVj= 25°C

 

 

2.5

 

Ohm

 

Input-Kapazität

EinspeisungsgrenzeAbhängigkeit

 

CEinheit

 

f=1MHz, TVj= 25°C, VCE-Nummern= 25V, VGE=0V

 

8.76

 

nF

 

Gegenseitige Übertragungskapazität

RückwärtsbewegungSphärenkapazität

 

CRes

 

f=1MHz, TVj= 25°C, VCE-Nummern= 25V, VGE=0V

 

 

0.40

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (Streichschluss)

Sammler-Emittent Schnittgrenze cVerzögerung

 

 

Ich...CES

 

VCE-Nummern=1200V, VGE=0V, TVj= 25°C

 

5.00

 

 

mA

 

- Ich weiß nicht.-发射极 漏电流

Tor-Emitter Leckage Strom

 

Ich...GES

 

 

VCE-Nummern=0V, VGE=20V, TVj= 25°C

 

200

 

nA

 

开通延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung)

Schalten Verzögerungszeit, Induktiv Belastung

 

td( auf)

 

TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C

 

65

75

 

75

 

n

n

n

 

Aufstiegszeit( elektrische Belastung)

Es ist Zeit, aufzustehen. Induktiv Belastung

 

tr

 

TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C

 

45

55

 

55

 

n

n

n

 

关断延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung)

Abschaltung dZeit der Ausbringung, Induktiv Belastung

 

td(abgeschaltet)

 

Ich...C=200A, VCE-Nummern= 600 V

VGE=±15V

RGönn= 3,3 Ω

R- Ich weiß.= 3,3 Ω

 

Induktiv - Ich weiß.Anzeige

 

TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C

 

205

230

 

235

 

n

n

n

 

- Was ist los?( elektrische Belastung)

Herbstzeit, Induktiv Belastung

 

 

tf

 

55

85

 

85

 

n

n

n

 

开通 损耗能量(Jeder Schlag)

Schalten Energie Verlust pro SchnüffelnIch weiß.

 

Eauf

 

TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C

 

16.7

26.4

28.2

 

MJ

MJ

MJ

 

关断损耗能量 (Schnittverlust an Energie)(- Ich weiß nicht.

Abschaltungsenergie Verlust pro Puls

 

 

Eabgeschaltet

 

TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C

 

4.9

8.8

9.6

 

MJ

MJ

MJ

 

短路数据

SC Daten

 

Ich...SC

 

VGE≤ 15 V, VCC= 800 V

VCEmax=VCES- Ich bin ein Mann.sCE·di/dt, tp= 10 μs, TVj= 150°C

 

 

800

 

Eine

 

结-外 热阻

Thermische Widerstand, juntion Fall

 

Rdie

 

Für IGBT / Jeder. IGBT

 

0.14

 

K/W

 

 

Arbeitstemperatur

Temperatur undWechseln Bedingungen

 

TVjop

 

- 40

 

150

 

 

°C

 

 

Diode, Wechselrichter/ 2G-Rohr, umgekehrter Wandler

Höchstbetrag Nennwerte/ Maximalwert

 

Artikel

 

Symbol CZustände

 

Wert

 

 

Einheiten

 

Gegenseitig wiederholter Spitzenstrom

Höchststand Wiederholung UmkehrspannungE

 

VRRM TVj= 25°C

 

1200

 

 

 

V

 

kontinuierlicher direkter Stromstrom

Kontinuierlich DC fürAbteilungsstrom

 

Ich...F

 

200

 

 

Eine

 

Stromstrom von höchstem Volumen

Höchststand wiederholter Vorwärtsstrom

 

 

Ich...FRM tp=1 ms

 

400

 

 

Eine

 

 

 

Charakteristische Werte/ Eigenschaftswert

 

Artikel

 

SymbolBedingungen

 

- Ich weiß nicht. Das ist typisch.

 

Max, du bist ein guter Mann.

 

Einheiten

 

Stromspannung

Vorwärtsspannung

 

VF Ich...F=200A

 

TVj= 25°C TVj= 125°CTVj= 150°C

 

1.50

 

1.80

1.80

1.80

 

2.40

 

V

V

V

 

Gegenzug zum Rückzugspitzenstrom

 

Höchststand Rückwärts Rückgewinnung cVerzögerung

 

Ich...RM

 

 

Qr

 

 

 

ERechnen

 

 

Ich...F=200A

-di/dt=3200A/μs VR = 600 V

 

VGE=-15V

 

TVj= 25°C TVj= 125°CTVj= 150°CTVj= 25°C TVj= 125°CTVj= 150°CTVj= 25°C TVj= 125°CTVj= 150°C

 

140

140

 

140

 

 

Eine

Eine

Eine

 

Rückwärts-Rückschlagstrom

Einziehungsgebühr

 

14.5

22.528.0

 

 

μC

μC

μC

 

Gegenseitige Wiederherstellungsverluste (für jeden Schlag)

Rückwärts Rückgewinnung Energie (für Puls)

 

4.5

8.7 9.9

 

 

MJ

MJ

MJ

 

结-外 热阻

Thermische Widerstand, juntion Fall

 

Rdie pro Diode Jeder个二极管

 

 

 

0.23

 

K/W

 

Arbeitstemperatur

Temperatur undWechseln Bedingungen

 

 

TVjop

 

- 40

 

150

 

°C

 

 

 

 

Modul/ 模块

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Wert

 

Einheiten

 

绝缘 Prüfstromdruck

IsolationPrüfspannung

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

3.0

 

 

KV

 

模块基板材料

Material von Modul Unterplatte

   

 

 

- Was?

 

 

内部绝缘

Inneres Isolierung

 

 

基本绝缘(Klasse 1, Ich...EG-Länder 61140)

Grundsätzliche Isolierung (Klasse 1, IEC 61140)

 

Das ist alles.2O3

 

 

爬电距离

SchrecklichSchlagzeug

 

 

端子-散热片/ Terminal to Heizkessel

端子-端子/Terminal bis TerMinal

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

Genehmigung

 

 

端子-散热片/ Terminal to Heizkessel

端子-端子/Terminal bis TerMinal

 

23.0

11.0

 

mm

 

Vergleichswirkung

KomparativVerfolgung Index

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

- Ich weiß nicht.

 

Das ist typisch.

 

Max, du bist ein guter Mann.

 

Einheiten

 

杂散电感, 模块 (Versplitterung des elektrischen Gefühls)

Stray Induktivität Modul

 

LsCE

   

 

20

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- Chips

 

Modul Blei Widerstand ,Terminals-CHüfte

 

RCC??+EE

RAA??+CC??

   

 

0.7

 

 

 

Lagertemperatur

 

LagertemSchnittstelle

 

TStg

 

 

 

- 40

 

 

 

125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭距

MontagevorrichtungFür die Modul Montage

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

端子联接 Drehweite

Anschluss an das Terminaln Drehmoment

 

M

 

M6

 

2.50

 

 

5.00

 

Nm

 

Gewicht

 

Gewicht

 

G

   

 

320

 

 

g

 

200A 1200V IGBT Halbbrückenmodul 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 1 

IGBT IGBT

Ausgangsmerkmal IGBT, Inverter (typisch) Ausgangsmerkmal IGBT, Inverter (typisch)

Ich...C=f (V)CE-Nummern) IC=f(VCE-Nummern)

VGE=15V              Tvj=150°C

 

 

 

200A 1200V IGBT Halbbrückenmodul 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 2

 

IGBT IGBT

Übertragungsmerkmal IGBT, Wechselrichter (typisch) Übertragungsmerkmal IGBT, Wechselrichter (typisch)

IC=f (VGE) E=f (IC), Eoff=f (IC)

VCE=20V VGE=±15V, RGon=3,3 Ω, RGoff=3,3 Ω, VCE=600V

 

200A 1200V IGBT Halbbrückenmodul 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 3

IGBT IGBT

Schaltverluste IGBT, Inverter (typisch) Übergangswärmeimpedanz IGBT, Inverter

E=f (RG) ZthJC=f (t)

Bei der Prüfung der Leistungsfähigkeit ist die Leistungsfähigkeit des Geräts zu messen.

 

  200A 1200V IGBT Halbbrückenmodul 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 4

 

IGBT

Umgekehrter Verzerrungssicherheitsbetriebsbereich IGBT, Inverter (RBSOA) Vorwärtsbewegung der Diode, Inverter (typisch)

IC=f (VCE) IF=f (VF)

VGE=±15V, RGoff=3,3 Ω, Tvj=150°C

 

200A 1200V IGBT Halbbrückenmodul 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 5

 

 

Schaltverluste Diode, Inverter (typisch) Schaltverluste Diode, Inverter (typisch)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

RGon=3,3Ω, VCE=600V Wenn=200A, VCE=600V

 

200A 1200V IGBT Halbbrückenmodul 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 6

FRD

Vorübergehende Wärmeimpedanz FRD, Wechselrichter

ZthJC=f (t)

 

 

200A 1200V IGBT Halbbrückenmodul 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 7

 

Das "1200V 200A IGBT Half Bridge Module" integriert zwei IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration für Anwendungen, die eine Steuerung von mittleren bis hohen Spannungs- und Strompegeln benötigen.Eine effektive Kühlung ist von entscheidender Bedeutung, und detaillierte Spezifikationen finden Sie im Datenblatt des Herstellers.

200A 1200V IGBT Halbbrückenmodul 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 8

Schaltkreis Diagramm Titel 

 

200A 1200V IGBT Halbbrückenmodul 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 9

 

 

Paket Umrisse

 

200A 1200V IGBT Halbbrückenmodul 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 10