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Hochleistungs-IGBT-Module 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010

Einzelheiten zum Produkt

Modellnummer: SPS450B12G6H4

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Hochleistungs-IGBT-Module 62 mm

,

IGBT-Module 450A

,

62 mm Hochleistungs-IGBT-Modul

Kollektorstrom:
100A
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1.8V
Kollektor-Emitter-Spannung:
±1200V
Strom:
100A
Tor-Gebühr:
150 nC
Tor-Emitterschwellenspannung:
4V
Tor-Emitterspannung:
± 20V
Eingegebene Kapazitanz:
1.5nF
Ausgangskapazität:
0.5nF
Macht:
1500 W
Rückgenesungszeit:
100ns
Schaltfrequenz:
20KHZ
Wärmewiderstand:
0.1°C/W
Spannung:
1200 V
Kollektorstrom:
100A
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1.8V
Kollektor-Emitter-Spannung:
±1200V
Strom:
100A
Tor-Gebühr:
150 nC
Tor-Emitterschwellenspannung:
4V
Tor-Emitterspannung:
± 20V
Eingegebene Kapazitanz:
1.5nF
Ausgangskapazität:
0.5nF
Macht:
1500 W
Rückgenesungszeit:
100ns
Schaltfrequenz:
20KHZ
Wärmewiderstand:
0.1°C/W
Spannung:
1200 V
Hochleistungs-IGBT-Module 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010

Solid Power-DS-SPS450B12G6H4-S04020010 V2.0

1200 V 450A IGBT Die Hälfte Brücke Modul

Hochleistungs-IGBT-Module 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 0

 

Eigenschaften:

  • 1200V-Technologie für den Planar-Feld-Stop
  • Freiraddioden mit schneller und weicher Rückwärtserholung
  • Niedrige Umschaltverluste
  • Hohe RBSOA-Fähigkeit

 

Typisch Anwendungen:

  • Induktionsheizung
  • Schweißen
  • Hochfrequenzschaltanwendung

Hochleistungs-IGBT-Module 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 1

 

IGBT, Inverter / IGBT, umgekehrter Wandler

 

Höchstbetrag Nennwerte/ Höchstbetrag

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Wert

 

Einheiten

 

集电极- Ausstrahlungsstrom

Sammler-EmittentSpannung

 

VCES

 

TVj= 25°C

 

1200

 

V

 

连续集电极直流电流

Kontinuierlich DC Schleimctor-Strom

 

Ich...C

 

TC = 80°C, TVj maximal= 175°C

TC = 25°C, TVj maximal= 175°C

 

450

 

550

 

 

Eine

 

集电极重复峰值电流 (Zollstrom)

Höchststand WiederholenVerzögerung Sammlerstrom

 

Ich...CRM

 

tp=1 ms

 

900

 

Eine

 

Gesamtverlust an Leistung

Gesamtzahl Leistung AbwanderungDie

 

 

PNachweis

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

 

2142

 

 

W

 

极- Ausstrahlung 极峰值

HöchstgeschwindigkeitSpannung des E-Emitters

 

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

Höchste Temperatur

Höchstverbindungn Temperatur

 

TVj, max.

 

 

175

 

°C

 

CharakterWertwerte/ Eigenschaftswert

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

- Ich weiß nicht. Typ Max..

 

Einheiten

 

集电极-Emission极 和电压

Sammler-Emitter-Saturatibei Spannung

 

VCE-Nummern(gesetzt)

 

Ich...C= 450 A, VGE=15V

 

TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C

 

2.10

 

2.50

2.90

3.00

 

3.00

 

V

 

极 值 elektrischer Druck

Grenzwerte für die SchließungSpannung

 

VEG (Jahr)

 

Ich...C= 18mA, VCE-Nummern=VGE,TVj= 25°C

 

5.0 6.07.0

 

V

 

极电荷 极电荷

Tor Gebühr

 

 

QG

 

 

VGE=-15V...+15V, TVj= 25°C

 

3.3

 

uC

 

内部 极电阻

Innentor Widerstand

 

RGint

 

TVj= 25°C

 

1.7

 

Ohm

 

Input-Kapazität

EinspeisungsgrenzeAbhängigkeit

 

 

CEinheit

 

 

f=1MHz, TVj= 25°C, VCE-Nummern= 25V, VGE=0V

 

19.2

 

nF

 

Gegenseitige Übertragungskapazität

RückwärtsbewegungSphärenkapazität

 

CRes

 

f=1MHz, TVj= 25°C, VCE-Nummern= 25V, VGE=0V

 

0.93

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (Streichschluss)

Sammler-Emittent Schnittgrenze cVerzögerung

 

Ich...CES

 

VCE-Nummern=1200V, VGE=0V, TVj=25°C

 

 

5.00

 

mA

 

- Ich weiß nicht.-发射极 漏电流

Tor-Emitter Leckage Strom

 

Ich...GES

 

VCE-Nummern=0V, VGE=20V, TVj= 25°C

 

500

 

nA

 

开通延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung)

Schalten Verzögerungszeit, Induktiv Belastung

 

td( auf)

 

TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C

 

95

105

 

110

 

n

n

n

 

Aufstiegszeit( elektrische Belastung)

Es ist Zeit, aufzustehen. Induktiv Belastung

 

 

tr

 

TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C

 

70

80

 

80

 

n

n

n

 

关断延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung)

Abschaltung dZeit der Ausbringung, Induktiv Belastung

 

 

td(abgeschaltet)

 

Ich...C= 450 A, VCE-Nummern= 600 V

VGE=±15V

RGönn= 1Ω

R- Ich weiß.= 1Ω

 

Induktiv Das ist Loa.d,

 

TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C TVj= 125°C

 

TVj= 150°C

 

325

375

 

390

 

n

n

n

 

- Was ist los?( elektrische Belastung)

Herbstzeit, Induktiv Belastung

 

 

tf

 

60

60

 

60

 

n

n

n

 

开通 损耗能量(Jeder Schlag)

Schalten Energie Verlust pro SchnüffelnIch weiß.

 

Eauf

 

TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C

 

22.2

39.6

42.9

 

MJ

MJ

MJ

 

关断损耗能量 (Schnittverlust an Energie)(- Ich weiß nicht.

Abschaltungsenergie Verlust pro Puls

 

Eabgeschaltet

 

TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C

 

22.4

29.5

31.0

 

MJ

MJ

MJ

 

结-外 热阻

Thermische Widerstand, juntion Fall

 

Rdie

 

Für IGBT / Jeder. IGBT

 

0.07

 

K/W

 

 

 

Arbeitstemperatur

Temperatur undWechseln Bedingungen

 

 

TVjop

 

- 40

 

150

 

°C

 

Diode, Wechselrichter/ 2G-Rohr, umgekehrter Wandler

Höchstbetrag Nennwerte/ maximal定值

 

Artikel

 

SymbolBedingungen

 

Wert

 

 

Einheiten

 

Gegenseitig wiederholter Spitzenstrom

Höchststand Wiederholung UmkehrspannungE

 

VRRM TVj= 25°C

 

1200

 

 

V

 

kontinuierlicher direkter Stromstrom

Kontinuierlich DC fürAbteilungsstrom

 

Ich...F

 

450

 

 

Eine

 

Stromstrom von höchstem Volumen

Höchststand wiederholter Vorwärtsstrom

 

Ich...FRM tp=1 ms

 

900

 

 

Eine

 

CharakterWertwerte/ Eigenschaftswert

 

Artikel

 

Symbol Bedingungen

 

- Ich weiß nicht. Das ist typisch.

 

Max, du bist ein guter Mann.

 

Einheiten

 

Stromspannung

Vorwärtsspannung

 

VF Ich...F= 450 A

 

TVj= 25°C

TVj= 125°C

TVj= 150°C

 

2.30

2.50 2.50

 

2.70

 

V

 

Gegenzug zum Rückzugspitzenstrom

 

Höchststand Rückwärts Rückgewinnung cVerzögerung

 

Ich...rm

 

 

QRR

 

 

 

ERechnen

 

 

Ich...F= 450 A

- Das ist...F/dtabgeschaltet=5300A/μs VR = 600 V

 

VGE=-15V

 

TVj= 25°C

TVj= 125°C

TVj= 150°C

TVj= 25°C

TVj= 125°C

TVj= 150°C

TVj= 25°C

TVj= 125°C

TVj= 150°C

 

270

285

 

295

 

 

Eine

 

Rückwärts-Rückschlagstrom

Rückwärts Rückgewinnung ChSchlagzeilen

 

29.6

64.1 74.3

 

 

μC

 

Gegenseitige Wiederherstellungsverluste (für jeden Schlag)

Rückwärts Rückgewinnung Energie (für Puls)

 

11.4

22.0 25.7

 

 

MJ

 

结-外 热阻

Thermische Widerstand, juntion Fall

 

Rdie pro Diode Jeder个二极管

 

0.16

 

 

K/W

 

Arbeitstemperatur

Temperatur undWechseln Bedingungen

 

TVjop

 

 

- 40

 

 

150

 

 

°C

 

 

 

Modul/

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Wert

 

Einheit

s

 

绝缘 Prüfstromdruck

IsolationPrüfspannung

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

 

3.0

 

KV

 

模块基板材料

Material von Modul Unterplatte

   

 

- Was?

 

 

内部绝缘

Inneres Isolierung

 

 

基本绝缘(Klasse 1, Ich...EG-Länder 61140)

Grundsätzliche Isolierung (Klasse 1, IEC 61140)

 

Das ist alles.2O3

 

 

爬电距离

Cree Seitenabstand

 

 

端子-散热片/ Terminal bis hEssen Waschbecken

端子-端子/Terminal bis TerMinal

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

Genehmigung

 

 

端子-散热片/ Terminal bis hEssen Waschbecken

端子-端子/Terminal bis TerMinal

 

23.0

11.0

 

 

mm

 

Vergleichswirkung

Vergleichsverfolgung Index

 

CTI

 

 

> 400

 

 

 

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

- Ich weiß nicht.

 

Das ist typisch.

 

Max, du bist ein guter Mann.

 

Einheiten

 

杂散电感, 模块 (Versplitterung des elektrischen Gefühls)

Stray Induktivität Modul

 

LsCE

   

 

20

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- Chips

 

Modul Blei Widerstand ,Terminals-CHüfte

 

RCC??+EE

RAA??+CC

   

 

 

0.70

 

 

 

 

Lagertemperatur

 

LagertemSchnittstelle

 

TStg

 

 

- 40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

MontagevorrichtungFür die Modul Montage

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

模块安装的安装扭距

MontagevorrichtungFür die Modul Montage

 

M

 

M6

 

2.50

 

 

5.00

 

Nm

 

Gewicht

 

Gewicht

 

G

   

 

320

 

 

g

 
IGBT IGBT
Ausgangsmerkmal IGBT, Inverter (typisch) Ausgangsmerkmal IGBT, Inverter (typisch)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
Bei der Prüfung der Leistungsfähigkeit ist die Leistungsfähigkeit des Geräts zu messen.
 
Hochleistungs-IGBT-Module 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 2
 
 
IGBT IGBT
Übertragungsmerkmal IGBT, Wechselrichter (typisch) Umschaltverluste IGBT, Wechselrichter (typisch)
IC=f ((VGE) E=f ((IC)
VCE=20V VGE=±15V, RG=1Ω, VCE=600V
 
  Hochleistungs-IGBT-Module 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 3

 

IGBT IGBT
Schaltverluste IGBT, Wechselrichter (typisch) Übergangswärmeimpedanz IGBT, Wechselrichter
E=f (RG) ZthJC=f (t)
Bei der Verwendung von VGA-Systemen ist die Leistung von VGA-Systemen zu messen.

 

  Hochleistungs-IGBT-Module 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 4

Hochleistungs-IGBT-Module 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 5

IGBT, RBSOA
Umgekehrter Verzerrungssicherheitsbetriebsbereich IGBT, Inverter (RBSOA) Vorwärtsbewegung der Diode, Inverter (typisch)
IC=f (VCE) IF=f (VF)
Bei der Verwendung von VGA ist der Wärmebetrag zu messen.
 
 Hochleistungs-IGBT-Module 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 6Hochleistungs-IGBT-Module 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 7

 

Schaltverluste Diode, Inverter (typisch) Schaltverluste Diode, Inverter (typisch)
Erec=f (IF) Erec=f (RG)
Bei der Prüfung der Leistung ist die Leistung zu berücksichtigen, die für die Berechnung der Leistungsfähigkeit der Fahrzeuge erforderlich ist.

Hochleistungs-IGBT-Module 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 8
    Hochleistungs-IGBT-Module 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 9
 
 
Diode mit vorübergehender thermischer Impedanz, Wechselrichter
ZthJC=f (t)
Hochleistungs-IGBT-Module 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 10                     
 
Das "1200V 450A IGBT Half Bridge Module" ist ein Leistungsmodul mit zwei Isolierten Gate Bipolar Transistoren (IGBTs) in einer Halbbrückenkonfiguration.Es ist für Anwendungen mit hoher Leistung wie industrielle Motorantriebe oder Wechselrichter konzipiert.Eine effiziente Kühlung ist für eine zuverlässige Leistung von entscheidender Bedeutung, und detaillierte Spezifikationen finden Sie im Datenblatt des Herstellers.

 

Schaltkreis Diagramm Titel 
 
 
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Paket Umrisse

 

 

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