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Weiße IGBT-Module 62 mm Elektronische Komponente DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

Name: Weiße IGBT-Module 62 mm Elektronische Komponente DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0
Brand: Weiße IGBT-Module 62 mm Elektronische Komponente DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0
SKU: SPS300B17G6R8
Rating: 5 (152 reviews)

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Modellnummer: SPS300B17G6R8

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Aktuelles Rating:	150A	Tor-Emitterdurchsickernstrom:	±100nA
Tor-Emitterschwellenspannung:	5V	Maximaler Kollektorstrom:	300A
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung:	1200 V	Maximale Grenzschichttemperatur:	150°C
Höchstleistungs-Ableitung:	500 W	Montageart:	Schraub
Betriebstemperaturbereich:	-40°C bis 125°C	Art der Packung:	62 mm
Art der Ware:	Leistungshalbleitermodul	Schaltfrequenz:	20KHZ
Wärmewiderstand:	0.1°C/W	Nennspannung:	600 V

Aktuelles Rating:	150A
Tor-Emitterdurchsickernstrom:	±100nA
Tor-Emitterschwellenspannung:	5V
Maximaler Kollektorstrom:	300A
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung:	1200 V
Maximale Grenzschichttemperatur:	150°C
Höchstleistungs-Ableitung:	500 W
Montageart:	Schraub
Betriebstemperaturbereich:	-40°C bis 125°C
Art der Packung:	62 mm
Art der Ware:	Leistungshalbleitermodul
Schaltfrequenz:	20KHZ
Wärmewiderstand:	0.1°C/W
Nennspannung:	600 V

Weiße IGBT-Module 62 mm Elektronische Komponente DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

Solid Power-DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

1700 V 300A IGBT Die Hälfte Brücke Modul

Weiße IGBT-Module 62 mm Elektronische Komponente DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 0

Eigenschaften:

□ 1700V-Trench+ Field Stop-Technologie

□ Freiraddioden mit schneller und weicher Rückwärtsgewinnung

□ V_{CE (Sat)}mit einem positiven Temperaturkoeffizienten

□ Niedrige Umschaltverluste

Typisch Anwendungen:

□ Motor- und Servoantriebe

□ Hochleistungsumwandler

□ UPS

□ Photovoltaik

Paket

Artikel	Symbol	Bedingungen		Werte			Einheit
Isolationsversuchsspannung	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			KV
Material der Modulunterlage				- Was?
Innere Isolierung		(Klasse 1, IEC 61140) Grundisolierung (Klasse 1, IEC 61140)		Das ist alles.₂O₃
Entfernung zum Schleichen	Schrecklich	Anschluss an die Heizkessel		29.0			mm
	Schrecklich	von Terminal zu Terminal		23.0
Genehmigung	dKlar	Anschluss an die Heizkessel		23.0			mm
	dKlar	von Terminal zu Terminal		11.0
Vergleichsverfolgungsindex	CTI			> 400

Artikel	Symbol	Bedingungen		Werte			Einheit
				- Ich weiß nicht.	Das ist typisch.	Max, du bist ein guter Mann.
Stray-Induktivitätsmodul	LsCE				20		nH
Modul-Bleiwiderstand, Endgeräte - Chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.70		mΩ
Lagertemperatur	Tstg			- 40		125	°C
Montagestark für die Montage von Modulen	M6			3.0		6.0	Nm
Drehmoment der Endverbindung	M6			2.5		5.0	Nm
Gewicht	G				320		g

IGBT-Maximal Bewertet Werte

Artikel	Symbol	Bedingungen		Werte	Einheit
Sammler-Emitter Spannung	VCES		T_Vj= 25°C	1700	V
Höchstspannung des Tor-Emitters	VGES			± 20	V
Übergangsspannung des Tor-Emitters	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Kontinuierlicher Gleichstrom im Kollektor	Ich..._C		T_C= 25°C	500	Eine
Kontinuierlicher Gleichstrom im Kollektor	Ich..._C		T_C= 100°C	300	Eine
Pulsierter Kollektorstrom,tp begrenzt durch T_jmax	ICpulse			600	Eine
Leistungsausfall	Ptot			1500	W

Eigenschaften Werte

Artikel	Symbol	Bedingungen		Werte			Einheit
Artikel	Symbol	Bedingungen		- Ich weiß nicht.	Das ist typisch.	Max, du bist ein guter Mann.	Einheit
Sättigungsspannung des Kollektors-Emitters	VCE (Sat)	Ich..._C= 300A, V_GE=15V	T_Vj= 25°C		1.70	2.00	V
			T_Vj= 125°C		1.95
			T_Vj= 150°C		2.00
Grenzspannung für das Tor	VGE (th)	V_CE-Nummern=V_GEIch..._C=12mA		5.1	5.9	6.6	V
Stromabschnittsstrom zwischen Kollektor und Emitter	ICES	V_CE-Nummern=1700V, V_GE=0V	T_Vj= 25°C			100	μA
Stromabschnittsstrom zwischen Kollektor und Emitter	ICES	V_CE-Nummern=1700V, V_GE=0V	T_Vj= 150°C			5	mA
Leckstrom des Tor-Emitters	IGES	V_CE-Nummern=0V,V_GE=±20V, T_Vj= 25°C		- 200 Dollar.		200	nA
Torentarife	Q_G	V_CE-Nummern= 900 V, I_C= 300A, V_GE=±15V			1.6		μC
Eingangskapazität	Siehe	V_CE-Nummern= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			25.0		nF
Leistungskapazität	Coes				1.4
Umgekehrte Übertragungskapazität	Cres				0.4
Innerer Torwiderstand	RGint	T_Vj= 25°C			3.5		Ohm
Anschaltverzögerungszeit, Induktionslast	(Durchgängig gemacht)	V_CC= 900V,I_C= 300A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_Vj= 25°C		185		n
			T_Vj= 125°C		220		n
			T_Vj= 150°C		230		n
Steigzeit, Induktionslast	t_r		T_Vj= 25°C		76		n
			T_Vj= 125°C		92		n
			T_Vj= 150°C		96		n
Verzögerungszeit für das Ausschalten, Induktionslast	Td (ausgeschaltet)	V_CC= 900V,I_C= 300A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_Vj= 25°C		550		n
			T_Vj= 125°C		665		n
			T_Vj= 150°C		695		n
Fallzeit, Induktionslast	t_f		T_Vj= 25°C		390		n
			T_Vj= 125°C		610		n
			T_Vj= 150°C		675		n
Energieverlust beim Einschalten pro Impuls	Eon	V_CC= 900V,I_C= 300A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_Vj= 25°C		44.7		MJ
			T_Vj= 125°C		73.2		MJ
			T_Vj= 150°C		84.6		MJ
Energieverlust pro Impuls ausschalten	Eoff		T_Vj= 25°C		68.5		MJ
			T_Vj= 125°C		94.7		MJ
			T_Vj= 150°C		102.9		MJ
SC-Daten	ISC	V_GE≤ 15 V, V_CC=900V	tp≤10 μs T_Vj= 150°C			950	Eine
IGBT-Wärmewiderstand, Verbindungsgehäuse	RthJC					0.10	K / W
Betriebstemperatur	TJop			- 40		175	°C

Diodenmaximum Bewertet Werte

Artikel	Symbol	Bedingungen		Werte	Einheit
Wiederholungsumkehrspannung	VRRM		T_Vj= 25°C	1700	V
Kontinuierlicher Gleichstrom	Ich..._F		T_C= 25°C	300	Eine
Kontinuierlicher Gleichstrom	Ich..._F		T_C= 100°C	170
Diodenpulsstrom,tp begrenzt durch T_Jmax	IFpulse			600

Eigenschaften Werte

Artikel	Symbol	Bedingungen		Werte			Einheit
				- Ich weiß nicht.	Das ist typisch.	Max, du bist ein guter Mann.
Vorwärtsspannung	V_F	Ich..._F= 300A, V_GE=0V	T_Vj= 25°C		2.45	2.80	V
			T_Vj= 125°C		2.65
			T_Vj= 150°C		2.65
Umgekehrte Wiederherstellungszeit	Trr	Ich..._F= 300A Die_F/dt=-4000A/μs (T)_Vj= 150°C) V_R= 900 V, V_GE=-15V	T_Vj= 25°C		160		n
			T_Vj= 125°C		230
			T_Vj= 150°C		270
Höchststrom der Rückgewinnung	IRRM		T_Vj= 25°C		380		Eine
			T_Vj= 125°C		400
			T_Vj= 150°C		415
Umgekehrte Wiedereinziehungsgebühr	QRR		T_Vj= 25°C		61		μC
			T_Vj= 125°C		104
			T_Vj= 150°C		123
Umkehrenergieverlust pro Impuls	Erec		T_Vj= 25°C		29.7		MJ
			T_Vj= 125°C		53.6
			T_Vj= 150°C		63.4
Dioden-Wärmewiderstand, Verbindungsgehäuse	RthJCD					0.20	K / W
Betriebstemperatur	TJop			- 40		175	°C

Ausgabe Charakteristisches (typisches) Ergebnis Merkmal (typisch)

Ich..._C= f (V)_CE-Nummern) I_C= f (V)_CE-Nummern)

T_Vj= 150°C

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IGBT

Übertragung Merkmal (typisch) Wechseln Verluste IGBT(typisch)

Ich..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE-Nummern= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 300A, V_CE-Nummern= 900V

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IGBT RBSOA

Wechseln Verluste IGBT(typisch) Zurück Verzerrung sicher in Betrieb Fläche (RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE-Nummern)

V_GE= ±15V, R_G= 3.3Ω, V_CE-Nummern= 900 V V_GE= ±15V, R_{- Ich weiß.}= 3,3Ω, T_Vj= 150°C

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Typisch Kapazität als Ein Funktion von Sammler-Emittent Spannung Torladung (typisch)

C = f (V)_CE-Nummern) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 300A, V_CE-Nummern= 900V

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IGBT

IGBT Vergänglich thermische Impedanz als Ein Funktion von Puls Breite Vorwärts Merkmal von Diode (typisch)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

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Umschaltverluste Diode (typisch) UmschaltenVerluste Diode (typisch)

E_Rechnen= f (R_G) E_Rechnen= f (I_F)

Ich..._F= 300A, V_CE-Nummern= 900V R_G= 3,3Ω, V_CE-Nummern= 900V

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Diode Vergänglich thermische Impedanz als Ein Funktion von Puls Breite

Zth(j-c) = f (t)

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Das "1700V 300A IGBT Halbbrückenmodul" integriert zwei Isolierte Gate Bipolar Transistoren (IGBTs) in einer Halbbrückenkonfiguration.mit einer präzisen Steuerung von Spannung (1700 V) und Strom (300 A)Eine wirksame Kühlung ist von entscheidender Bedeutung, und detaillierte Spezifikationen finden Sie im Datenblatt des Herstellers.

Schaltkreis Diagramm Titel

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Paket Umrisse

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