OEM IGBT-Strommodul 1200V 300A Halbbrückenmodul DS-SPS300B12G6M4-S04020025
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
1200 V 300A IGBT Die Hälfte Brücke Modul
□ 1200V-Trench+ Field Stop-Technologie
□ Freiraddioden mit schneller und weicher Rückwärtsgewinnung
□ VCE (Sat)mit einem positiven Temperaturkoeffizienten
□ Niedrige Umschaltverluste
□ Induktionsheizung
□ Schweißen
□ Anwendungen für Hochfrequenzschalter
Paket
| Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Werte |
Einheit |
|
Isolationsversuchsspannung
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0
|
KV
|
|
Material der Modulunterlage
|
|
|
- Was?
|
|
|
Innere Isolierung
|
|
(Klasse 1, IEC 61140)
Grundisolierung (Klasse 1, IEC 61140)
|
Das ist alles.2O3
|
|
|
Entfernung zum Schleichen
|
Schrecklich |
Anschluss an die Heizkessel |
29.0 |
mm
|
| Schrecklich |
von Terminal zu Terminal |
23.0 |
|
Genehmigung
|
dKlar |
Anschluss an die Heizkessel |
23.0 |
mm
|
| dKlar |
von Terminal zu Terminal |
11.0 |
|
Vergleichsverfolgungsindex
|
CTI |
|
> 400
|
|
| |
|
| Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Werte |
Einheit |
| - Ich weiß nicht. |
Das ist typisch. |
Max, du bist ein guter Mann. |
|
Stray-Induktivitätsmodul
|
LsCE |
|
|
20
|
|
nH
|
|
Modul-Bleiwiderstand, Endgeräte - Chip
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
0.70
|
|
mΩ
|
|
Lagertemperatur
|
Tstg |
|
- 40
|
|
125
|
°C |
|
Montagestark für die Montage von Modulen
|
M6 |
|
3.0
|
|
6.0
|
Nm
|
|
Drehmoment der Endverbindung
|
M6 |
|
2.5
|
|
5.0
|
Nm
|
|
Gewicht
|
G |
|
|
320
|
|
g
|
IGBT
Höchstbetrag Bewertet Werte
| Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Werte |
Einheit |
|
Sammler-Emitter Spannung
|
VCES |
|
TVj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Höchstspannung des Tor-Emitters
|
VGES |
|
± 20
|
V
|
|
Übergangsspannung des Tor-Emitters
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30
|
V
|
|
Kontinuierlicher Gleichstrom im Kollektor
|
Ich...C |
|
TC= 25°C |
400 |
Eine
|
| TC= 100°C |
300 |
|
Pulsierter Kollektorstrom,tp begrenzt durch Tjmax
|
ICpulse |
|
600
|
Eine
|
|
Leistungsausfall
|
Ptot |
|
1500
|
W
|
Eigenschaften Werte
| Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Werte |
Einheit |
| - Ich weiß nicht. |
Das ist typisch. |
Max, du bist ein guter Mann. |
|
Sättigungsspannung des Kollektors-Emitters
|
VCE (Sat) |
Ich...C= 300A, VGE=15V |
TVj= 25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| TVj= 125°C |
|
1.65 |
|
| TVj= 150°C |
|
1.70 |
|
|
Grenzspannung für das Tor
|
VGE (th) |
VCE-Nummern=VGEIch...C=12mA |
5.0
|
5.8
|
6.5
|
V
|
|
Stromabschnittsstrom zwischen Kollektor und Emitter
|
ICES |
VCE-Nummern=1200V, VGE=0V |
TVj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| TVj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Leckstrom des Tor-Emitters
|
IGES |
VCE-Nummern=0V,VGE=±20V, TVj= 25°C |
- 200 Dollar. |
|
200 |
nA |
|
Torentarife
|
QG |
VCE-Nummern= 600 V, IC= 300A, VGE=±15V |
|
3.2 |
|
μC |
|
Eingangskapazität
|
Siehe |
VCE-Nummern= 25V, VGE=0V, f =100kHz |
|
60.0 |
|
nF
|
|
Leistungskapazität
|
Coes |
|
1.89 |
|
|
Umgekehrte Übertragungskapazität
|
Cres |
|
0.54 |
|
|
Innerer Torwiderstand
|
RGint |
TVj= 25°C |
|
1.2 |
|
Ohm |
|
Anschaltverzögerungszeit, Induktionslast
|
(Durchgängig gemacht) |
VCC= 600V,IC= 300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
TVj= 25°C |
|
130 |
|
n |
| TVj= 125°C |
|
145 |
|
n |
| TVj= 150°C |
|
145 |
|
n |
|
Steigzeit, Induktionslast
|
tr |
TVj= 25°C |
|
60 |
|
n |
| TVj= 125°C |
|
68 |
|
n |
| TVj= 150°C |
|
68 |
|
n |
|
Verzögerungszeit für das Ausschalten, Induktionslast
|
Td (ausgeschaltet) |
VCC= 600V,IC= 300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
TVj= 25°C |
|
504 |
|
n |
| TVj= 125°C |
|
544 |
|
n |
| TVj= 150°C |
|
544 |
|
n |
|
Fallzeit, Induktionslast
|
tf |
TVj= 25°C |
|
244 |
|
n |
| TVj= 125°C |
|
365 |
|
n |
| TVj= 150°C |
|
370 |
|
n |
|
Energieverlust beim Einschalten pro Impuls
|
Eon |
VCC= 600V,IC= 300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
TVj= 25°C |
|
7.4 |
|
MJ |
| TVj= 125°C |
|
11.1 |
|
MJ |
| TVj= 150°C |
|
11.6 |
|
MJ |
|
Energieverlust pro Impuls ausschalten
|
Eoff |
TVj= 25°C |
|
32.0 |
|
MJ |
| TVj= 125°C |
|
39.5 |
|
MJ |
| TVj= 150°C |
|
41.2 |
|
MJ |
|
SC-Daten
|
ISC |
VGE≤ 15 V, VCC= 600 V |
tp≤10 μs TVj= 150°C |
|
|
1350
|
Eine
|
|
IGBT-Wärmewiderstand, Verbindungsgehäuse
|
RthJC |
|
|
|
0.1 |
K / W |
|
Betriebstemperatur
|
TJop |
|
- 40 |
|
150 |
°C |
Diode
Höchstbetrag Bewertet Werte
| Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Werte |
Einheit |
|
Wiederholungsumkehrspannung
|
VRRM |
|
TVj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Kontinuierlicher Gleichstrom
|
Ich...F |
|
300
|
Eine
|
|
Diodenpulsstrom,tp begrenzt durch TJmax
|
IFpulse |
|
600 |
Eigenschaften Werte
| Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Werte |
Einheit |
| - Ich weiß nicht. |
Das ist typisch. |
Max, du bist ein guter Mann. |
|
Vorwärtsspannung
|
VF |
Ich...F= 300A, VGE=0V |
TVj= 25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| TVj= 125°C |
|
2.50 |
|
| TVj= 150°C |
|
2.50 |
|
|
Umgekehrte Wiederherstellungszeit
|
Trr |
Ich...F= 300A
DieF/dt=-4900A/μs (T)Vj= 150°C) VR= 600 V,
VGE=-15V
|
TVj= 25°C |
|
90 |
|
n
|
| TVj= 125°C |
120 |
| TVj= 150°C |
126 |
|
Höchststrom der Rückgewinnung
|
IRRM |
TVj= 25°C |
|
212 |
|
Eine
|
| TVj= 125°C |
245 |
| TVj= 150°C |
250 |
|
Umgekehrte Wiedereinziehungsgebühr
|
QRR |
TVj= 25°C |
|
19 |
|
μC
|
| TVj= 125°C |
27 |
| TVj= 150°C |
35 |
|
Umkehrenergieverlust pro Impuls
|
Erec |
TVj= 25°C |
|
7.7 |
|
MJ
|
| TVj= 125°C |
13.3 |
| TVj= 150°C |
14.0 |
|
Dioden-Wärmewiderstand, Verbindungsgehäuse
|
RthJCD |
|
|
|
0.23
|
K / W
|
|
Betriebstemperatur
|
TJop |
|
- 40
|
|
150
|
°C |
Ausgabe Charakteristisches (typisches) Ergebnis Merkmal (typisch)
Ich...C= f (V)CE-Nummern) IC= f (V)CE-Nummern)
TVj= 150°C
IGBT
Übertragung Merkmal (typisch) Wechseln Verluste IGBT(typisch)
Ich...C= f (V)GE) E = f (RG)
VCE-Nummern= 20 V VGE= ±15V, IC= 300A, VCE-Nummern= 600 V
IGBT RBSOA
Wechseln Verluste IGBT(typisch) Zurück Verzerrung sicher in Betrieb Fläche (RBSOA)
E = f (I)C) IC=f (V)CE-Nummern)
VGE= ±15V, RG= 1,8Ω, VCE-Nummern= 600 V VGE= ±15V, R- Ich weiß.= 1,8Ω, TVj= 150°C
Typisch Kapazität als Ein Funktion von Sammler-Emittent Spannung Torladung (typisch)
C = f (V)CE-Nummern) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 300A, VCE-Nummern= 600 V
IGBT
IGBT Vergänglich thermische Impedanz als Ein Funktion von Puls Breite Vorwärts Merkmal von Diode (typisch)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Umschaltverluste Diode (typisch) UmschaltenVerluste Diode (typisch)
ERechnen= f (RG) ERechnen= f (IF)
Ich...F= 300A, VCE-Nummern= 600V RG= 1,8Ω, VCE-Nummern= 600 V
Diode Vergänglich thermische Impedanz als Ein Funktion von Puls Breite
Zth(j-c) = f (t)
Ein IGBT-Halbbrückenmodul ist ein Leistungselektronikgerät, das zwei in einer Halbbrückenkonfiguration angeordnete Isolierte Gate Bipolar Transistoren (IGBTs) kombiniert.Diese Konfiguration wird häufig in verschiedenen Anwendungen verwendet, bei denen eine bidirektionale Steuerung der Leistung erforderlich istHier sind einige wichtige Punkte zu IGBT-Halbbrückenmodulen:
1. IGBTs: IGBTs sind Halbleitergeräte, die die Eigenschaften sowohl von isolierten Torfeldwirkungstransistoren (IGFETs) als auch von bipolaren Verbindungstransistoren (BJTs) kombinieren.Sie werden häufig in der Leistungselektronik zum Schalten und Steuern der elektrischen Leistung verwendet.
2. Halbbrückenkonfiguration: Die Halbbrückenkonfiguration besteht aus zwei IGBTs, die in Serie miteinander verbunden sind und einen Brückenkreislauf bilden.Ein IGBT ist für die Leitung während des positiven Halbzyklus der Eingangswellenform verantwortlichDiese Anordnung ermöglicht eine bidirektionale Steuerung des Stroms.
3. Spannungs- und Stromwerte: IGBT-Halbbrückenmodule werden mit Spannungs- und Stromwerte angegeben.Angabe der maximalen Spannung und des maximalen Stroms, mit denen das Modul umgehen kann.
4Anwendungen: IGBT-Halbbrückenmodule finden Anwendungen in Motorantrieben, Wechselrichtern, Stromversorgungen und anderen Systemen, die eine gesteuerte Stromübertragung erfordern.Sie eignen sich für Anwendungen, bei denen eine variable Drehzahlregelung oder eine Leistungsumkehrung erforderlich ist.
5. Kühlung und thermisches Management: Wie bei einzelnen IGBTs erzeugen IGBT-Halbbrückenmodule Wärme während des Betriebs.sind entscheidend für die Aufrechterhaltung der richtigen Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts.
6. Gate Drive Circuitry: Eine ordnungsgemäße Gate Drive-Schaltung ist unerlässlich, um das Schalten von IGBTs effektiv zu steuern.Dies schließt auch die Sicherstellung ein, dass die Torsignale angemessen zeitlich abgestimmt sind und über ausreichende Spannungsniveaus verfügen.
7. Datenblatt: Für detaillierte Spezifikationen, elektrische Eigenschaften,und Anwendungsrichtlinien für das von ihnen verwendete IGBT-Halbbrückenmodul.
IGBT half-bridge modules are widely employed in industrial and automotive applications for their capability to handle high power levels and provide efficient and controlled switching of electrical currents.
Schaltkreis Diagramm Titel
Paket Umrisse
Abmessungen in mm
mm
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