Hervorheben:
IGBT-Module 300A
, 62 mm IGBT-Module
, Module 1200V IGBT
1200V 300A IGBT-Module 62mm DS-SPS300B12G6H4-S04020027 V1.0
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss ist.0
1200 V 300A IGBT Die Hälfte Brücke Modul
Allgemeine Beschreibung
SOLIDPOWER IGBT Power Module bieten geringe Schaltverluste sowie eine hohe RBSOA-Fähigkeit. Sie sind für Anwendungen wie Induktionsheizung, Schweißen und Hochfrequenzschalten usw. entwickelt.
Eigenschaften:
- 1200V-Technologie für den Planar-Feld-Stop
- Freiraddioden mit schneller und weicher Rückwärtserholung
- Niedrige Umschaltverluste
- Hohe RBSOA-Fähigkeit
Typisch Anwendungen:
- Induktionsheizung
- Schweißen
- Hochfrequenzschaltanwendung
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IGBT, Inverter / IGBT, umgekehrter Wandler
Höchstbetrag Nennwerte/ Höchstbetrag值
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Artikel
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Symbol
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Bedingungen
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Wert
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Einheiten
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集电极- Ausstrahlungsstrom
Sammler-EmittentSpannung
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VCES
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TVj= 25°C
|
1200
|
V
|
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连续集电极直流电流
Kontinuierlich DC Schleimctor-Strom
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Ich...C
|
TC= 100°C, Tvj= 175°C
TC= 25°C, Tvj= 175°C
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300
400
|
Eine
Eine
|
|
集电极重复峰值电流 (Zollstrom)
Höchststand WiederholenVerzögerung Sammlerstrom
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Ich...CRM
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tp=1 ms
|
600
|
Eine
|
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Gesamtverlust an Leistung
Gesamtzahl Leistung AbwanderungDie
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PNachweis
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TC= 25°C, TVj= 150°C
|
1500
|
W
|
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极- Ausstrahlung 极峰值
HöchstgeschwindigkeitSpannung des E-Emitters
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VGES
|
|
±20
|
V
|
|
CharakterWertwerte/ Eigenschaftswert
|
|
Artikel
|
Symbol
|
Bedingungen
|
- Ich weiß nicht. Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann.
|
Einheiten
|
|
集电极-Emission极 和电压
Sammler-Emitter-Saturatibei Spannung
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VCE-Nummern(gesetzt)
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Ich...C= 300 A, VGE=15V
|
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C
|
2.10
|
2.50
2.90
3.00
|
3.00
|
V
V
V
|
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极 值 elektrischer Druck
Grenzwerte für die SchließungSpannung
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VEG (Jahr)
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Ich...C=12mA, VCE-Nummern=VGE, TVj= 25°C
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5.0 6.0 7.0
|
V
|
|
极电荷 极电荷
Tor Gebühr
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QG
|
VGE=-15V... +15V
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1.5
|
μC
|
|
内部 极电阻
Innentor Widerstand
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RGint
|
TVj= 25°C
|
2.5
|
Ohm
|
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Input-Kapazität
EinspeisungsgrenzeAbhängigkeit
|
CEinheit
|
f=1MHz, TVj= 25°C, VCE-Nummern= 25V, VGE=0V
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12.8
|
nF
|
|
Gegenseitige Übertragungskapazität
RückwärtsbewegungSphärenkapazität
|
CRes
|
f=1MHz, TVj= 25°C, VCE-Nummern= 25V, VGE=0V
|
0.62
|
nF
|
|
集电极-发射极截止电流 (Streichschluss)
Sammler-Emittent Schnittgrenze cVerzögerung
|
Ich...CES
|
VCE-Nummern=1200V, VGE=0V, TVj= 25°C
|
5.00
|
mA
|
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- Ich weiß nicht.-发射极 漏电流
Tor-Emitter Leckage Strom
|
Ich...GES
|
VCE-Nummern=0V, VGE=20V, TVj= 25°C
|
200
|
nA
|
|
开通延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung)
Schalten Verzögerungszeit, Induktiv Belastung
|
td( auf)
|
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C
|
90
105
110
|
n
n
n
|
|
Aufstiegszeit( elektrische Belastung)
Es ist Zeit, aufzustehen. Induktiv Belastung
|
tr
|
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C
|
64
66
70
|
n
n
n
|
|
关断延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung)
Abschaltung dZeit der Ausbringung, Induktiv Belastung
|
td(abgeschaltet)
|
Ich...C= 300A, VCE-Nummern= 600 V
VGE=±15V
RGönn= 2 Ohm
R- Ich weiß.= 2 Ohm
Induktiv Das ist Loa.d,
|
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C
|
285
310
330
|
n
n
n
|
|
- Was ist los?( elektrische Belastung)
Herbstzeit, Induktiv Belastung
|
tf
|
55
65
65
|
n
n
n
|
|
开通 损耗能量(Jeder Schlag)
Schalten Energie Verlust pro SchnüffelnIch weiß.
|
Eauf
|
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C
|
21.3
29.5
33.1
|
MJ
MJ
MJ
|
|
关断损耗能量 (Schnittverlust an Energie)(- Ich weiß nicht.
Abschaltungsenergie Verlust pro Puls
|
Eabgeschaltet
|
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C
|
11.2
15.7
16.5
|
MJ
MJ
MJ
|
|
短路数据
SC Daten
|
Ich...SC
|
VGE≤ 15 V, VCC= 800 V
VCEmax=VCES- Ich bin ein Mann.sCE·di/dt, tp= 10 μs, TVj= 150°C
|
1200
|
Eine
|
|
结-外 热阻
Thermische Widerstand, juntion Fall
|
Rdie
|
Für IGBT / Jeder. IGBT
|
0.10
|
K/W
|
|
Arbeitstemperatur
Temperatur undWechseln Bedingungen
|
TVjop
|
- 40
|
150
|
°C
|
|
Diode, Wechselrichter/ 2G-Rohr, umgekehrter Wandler
Höchstbetrag Nennwerte/ maximal定值
|
|
Artikel
|
Symbol CZustände
|
|
Wert
|
Einheiten
|
|
Gegenseitig wiederholter Spitzenstrom
Höchststand Wiederholung UmkehrspannungE
|
VRRM TVj= 25°C
|
|
1200
|
V
|
|
kontinuierlicher direkter Stromstrom
Kontinuierlich DC fürAbteilungsstrom
|
Ich...F
|
|
300
|
Eine
|
|
Stromstrom von höchstem Volumen
Höchststand wiederholter Vorwärtsstrom
|
Ich...FRM tp=1 ms
|
|
600
|
Eine
|
|
CharakterWertwerte/ Eigenschaftswert
|
|
Artikel
|
SymbolBedingungen
|
- Ich weiß nicht.
|
Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann.
|
Einheiten
|
|
Stromspannung
Vorwärtsspannung
|
VF Ich...F= 300A
|
TVj= 25°C
TVj= 125°C
TVj= 150°C
|
2.30
2.50
2.50
|
2.70
|
V
V
V
|
|
Gegenzug zum Rückzugspitzenstrom
Höchststand Rückwärts Rückgewinnung cVerzögerung
|
Ich...RM
Qr
ERechnen
|
Ich...F= 300A
- Das ist...F/dtabgeschaltet= 4000 A/μs
VR = 600 V
VGE=-15V
|
TVj= 25°C
TVj= 125°C
TVj= 150°C
|
182
196
199
|
Eine
Eine
Eine
|
|
Rückwärts-Rückschlagstrom
Einziehungsgebühr
|
TVj= 25°C
TVj= 125°C
TVj= 150°C
|
23.5
35.5
35.5
|
μC
μC
μC
|
|
Gegenseitige Wiederherstellungsverluste (für jeden Schlag)
Rückwärts Rückgewinnung Energie (für Puls)
|
TVj= 25°C
TVj= 125°C
TVj= 150°C
|
7.3
12.7
14.6
|
MJ
MJ
MJ
|
|
结-外 热阻
Thermische Widerstand, juntion Fall
|
Rdie pro Diode Jeder个二极管
|
|
0.23
|
K/W
|
|
Arbeitstemperatur
Temperatur undWechseln Bedingungen
|
TVjop
|
- 40
|
150
|
°C
|
|
Modul/ 模块
|
|
Artikel
|
Symbol
|
Bedingungen
|
Wert
|
Einheiten
|
|
绝缘 Prüfstromdruck
IsolationPrüfspannung
|
VISOL
|
RMS, f=50Hz, t=1min
|
3.0
|
KV
|
|
模块基板材料
Material von Modul Unterplatte
|
|
|
- Was?
|
|
|
内部绝缘
Inneres Isolierung
|
|
基本绝缘(Klasse 1, Ich...EG-Länder 61140)
Grundsätzliche Isolierung (Klasse 1, IEC 61140)
|
Das ist alles.2O3
|
|
|
爬电距离
SchrecklichSchlagzeug
|
|
端子-散热片/ Terminal to Heizkessel
端子-端子/Terminal bis TerMinal
|
29.0
23.0
|
mm
|
|
电气间隙
Genehmigung
|
|
端子-散热片/ Terminal to Heizkessel
端子-端子/Terminal bis TerMinal
|
23.0
11.0
|
mm
|
|
Vergleichswirkung
KomparativVerfolgung Index
|
CTI
|
|
> 400
|
|
|
Artikel
|
Symbol
|
Bedingungen
|
- Ich weiß nicht.
|
Das ist typisch.
|
Max, du bist ein guter Mann.
|
Einheiten
|
|
杂散电感, 模块 (Versplitterung des elektrischen Gefühls)
Stray Induktivität Modul
|
LsCE
|
|
|
20
|
|
nH
|
|
模块引脚电阻, 端子- Chips
Modul Blei Widerstand ,Terminals-CHüfte
|
RCC??+EE
RAA??+CC??
|
|
|
0.7
|
|
mΩ
|
|
Lagertemperatur
LagertemSchnittstelle
|
TStg
|
|
- 40
|
|
125
|
°C
|
|
模块安装的安装扭距
MontagevorrichtungFür die Modul Montage
|
M
|
M6
|
3.00
|
|
6.00
|
Nm
|
|
端子联接 Drehweite
Anschluss an das Terminaln Drehmoment
|
M
|
M6
|
2.50
|
|
5.00
|
Nm
|
|
Gewicht
Gewicht
|
G
|
|
|
320
|
|
g
|
IGBT IGBT
Ausgangsmerkmal IGBT, Wechselrichter (typisch) Ausgangsmerkmal IGBT, Wechselrichter (typisch)
Ich...C=f (V)CE-Nummern) IC=f(VCE-Nummern)
VGE=15V Tvj=150°C
IGBT IGBT
Übertragungsmerkmal IGBT, Wechselrichter (typisch) Umschaltverluste IGBT, Wechselrichter (typisch)
Ich...C=f (V)GE) E=f (IC)
VCE-Nummern=20V VGE=±15V, RGönn=2 Ω, R- Ich weiß.=2 Ω, VCE-Nummern= 600 V
IGBT IGBT
Schaltverluste IGBT, Wechselrichter (typisch) Übergangswärmeimpedanz IGBT, Wechselrichter
E=f (R)G) Zdie=f (t)
VGE=±15V, IC= 300A, VCE-Nummern= 600 V
IGBT, ((RBSOA)
Umgekehrter Verzerrungssicherheitsbetriebsbereich IGBT, Inverter (RBSOA) Vorwärtsbewegung der Diode, Inverter (typisch)
Ich...C=f (V)CE-Nummern) IF=f (V)F)
VGE=±15V, R- Ich weiß.=2 Ω, TVj= 150°C
Schaltverluste Diode, Inverter (typisch) Schaltverluste Diode, Inverter (typisch)
Erec=f (I)F) Erec=f (RG)
RGönn=2 Ω, VCE-Nummern= 600V IF= 300A, VCE-Nummern= 600 V
FRD
Vorübergehende Wärmeimpedanz FRD, Wechselrichter
Zdie=f (t)
Das "1200V 300A IGBT Half Bridge Module" integriert zwei IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration für Hochleistungsanwendungen und bietet eine präzise Steuerung von Spannung (1200V) und Strom (300A).Eine effektive Kühlung ist von entscheidender Bedeutung, und detaillierte Spezifikationen finden Sie im Datenblatt des Herstellers.
Schaltkreis Diagramm Titel
Paket Umrisse
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