DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0H-Brücke Mosfet Modul 1200V 450A ODM
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.0.
1200 V 450A IGBT Die Hälfte Brücke Modul
Eigenschaften:
□ 1200V-Trench+ Field Stop-Technologie
□ Freiraddioden mit schneller und weicher Rückwärtsgewinnung
□ VCE (Sat)mit einem positiven Temperaturkoeffizienten
□ Niedrige Umschaltverluste
□ Kurzschlussverschärfung
□ Induktionsheizung
□ Schweißen
□ Anwendungen für Hochfrequenzschalter
IGBT-Paket
| Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Werte |
Einheit |
|
Isolationsversuchsspannung
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0 |
KV |
|
Material der Modulunterlage
|
|
|
- Was? |
|
|
Innere Isolierung
|
|
(Klasse 1, IEC 61140)
Grundisolierung (Klasse 1, IEC 61140)
|
Das ist alles.2O3 |
|
|
Entfernung zum Schleichen
|
Schrecklich |
Anschluss an die Heizkessel |
29.0 |
mm |
| Schrecklich |
von Terminal zu Terminal |
23.0 |
|
Genehmigung
|
dKlar |
Anschluss an die Heizkessel |
23.0 |
mm |
| dKlar |
von Terminal zu Terminal |
11.0 |
|
Vergleichsverfolgungsindex
|
CTI |
|
> 400 |
|
| |
|
| Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Werte |
Einheit |
| - Ich weiß nicht. |
Das ist typisch. |
Max, du bist ein guter Mann. |
|
Stray-Induktivitätsmodul
|
LsCE |
|
|
20 |
|
nH |
|
Modul-Bleiwiderstand, Endgeräte - Chip
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
0.70 |
|
mΩ |
|
Lagertemperatur
|
Tstg |
|
- 40 |
|
125 |
°C |
|
Montagestark für die Montage von Modulen
|
M5 |
|
3.0 |
|
6.0 |
Nm |
|
Drehmoment der Endverbindung
|
M6 |
|
2.5 |
|
5.0 |
Nm |
|
Gewicht
|
G |
|
|
320 |
|
g |
IGBT-Maximal Bewertet Werte
| Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Werte |
Einheit |
|
Sammler-Emitter Spannung
|
VCES |
|
TVj= 25°C |
1200 |
V |
|
Höchstspannung des Tor-Emitters
|
VGES |
|
± 20 |
V |
|
Übergangsspannung des Tor-Emitters
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30 |
V |
|
Kontinuierlicher Gleichstrom im Kollektor
|
Ich...C |
|
TC= 25°C |
675 |
Eine |
| TC= 100°C |
450 |
|
Pulsierter Kollektorstrom,tp begrenzt durch Tjmax
|
ICpulse |
|
900 |
Eine |
|
Leistungsausfall
|
Ptot |
|
1875 |
W |
Eigenschaften Werte
| Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Werte |
Einheit |
| - Ich weiß nicht. |
Das ist typisch. |
Max, du bist ein guter Mann. |
|
Sättigungsspannung des Kollektors-Emitters
|
VCE (Sat) |
Ich...C= 450 A, VGE=15V |
TVj= 25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| TVj= 125°C |
|
1.65 |
|
| TVj= 150°C |
|
1.70 |
|
|
Grenzspannung für das Tor
|
VGE (th) |
VCE-Nummern=VGEIch...C= 18mA |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
Stromabschnittsstrom zwischen Kollektor und Emitter
|
ICES |
VCE-Nummern=1200V, VGE=0V |
TVj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| TVj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Leckstrom des Tor-Emitters
|
IGES |
VCE-Nummern=0V,VGE=±20V, TVj= 25°C |
- 200 Dollar. |
|
200 |
nA |
|
Torentarife
|
QG |
VCE-Nummern= 600 V, IC= 450 A, VGE=±15V |
|
5.0 |
|
μC |
|
Eingangskapazität
|
Siehe |
VCE-Nummern= 25V, VGE=0V, f =100kHz |
|
90.0 |
|
nF
|
|
Leistungskapazität
|
Coes |
|
2.84 |
|
|
Umgekehrte Übertragungskapazität
|
Cres |
|
0.81 |
|
|
Anschaltverzögerungszeit, Induktionslast
|
(Durchgängig gemacht) |
VCC= 600V,IC=450A RG=1,8Ω,
VGE=15V
|
TVj= 25°C |
|
168 |
|
n |
| TVj= 125°C |
|
172 |
|
n |
| TVj= 150°C |
|
176 |
|
n |
|
Steigzeit, Induktionslast
|
tr |
TVj= 25°C |
|
80 |
|
n |
| TVj= 125°C |
|
88 |
|
n |
| TVj= 150°C |
|
92 |
|
n |
|
Verzögerungszeit für das Ausschalten, Induktionslast
|
Td (ausgeschaltet) |
VCC= 600V,IC=450A RG=1,8Ω,
VGE=15V
|
TVj= 25°C |
|
624 |
|
n |
| TVj= 125°C |
|
668 |
|
n |
| TVj= 150°C |
|
672 |
|
n |
|
Fallzeit, Induktionslast
|
tf |
TVj= 25°C |
|
216 |
|
n |
| TVj= 125°C |
|
348 |
|
n |
| TVj= 150°C |
|
356 |
|
n |
|
Energieverlust beim Einschalten pro Impuls
|
Eon |
VCC= 600V,IC=450A RG=1,8Ω,
VGE=15V
|
TVj= 25°C |
|
17.2 |
|
MJ |
| TVj= 125°C |
|
27.1 |
|
MJ |
| TVj= 150°C |
|
30.0 |
|
MJ |
|
Energieverlust pro Impuls ausschalten
|
Eoff |
TVj= 25°C |
|
52.3 |
|
MJ |
| TVj= 125°C |
|
64.3 |
|
MJ |
| TVj= 150°C |
|
67.1 |
|
MJ |
|
SC-Daten
|
ISC |
VGE≤ 15 V, VCC= 800 V |
tp≤10 μs TVj= 150°C |
|
|
2000 |
Eine |
|
IGBT-Wärmewiderstand, Verbindungsgehäuse
|
RthJC |
|
|
|
0.08 |
K / W |
|
Betriebstemperatur
|
TJop |
|
- 40 |
|
150 |
°C |
Diode Höchstbetrag Bewertet Werte
| Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Werte |
Einheit |
|
Wiederholungsumkehrspannung
|
VRRM |
|
TVj= 25°C |
1200 |
V |
|
Kontinuierlicher Gleichstrom
|
Ich...F |
|
450 |
Eine
|
|
Diodenpulsstrom,tp begrenzt durch TJmax
|
IFpulse |
|
900 |
Eigenschaften Werte
| Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Werte |
Einheit |
| - Ich weiß nicht. |
Das ist typisch. |
Max, du bist ein guter Mann. |
|
Vorwärtsspannung
|
VF |
Ich...F= 450 A, VGE=0V |
TVj= 25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| TVj= 125°C |
|
2.50 |
|
| TVj= 150°C |
|
2.50 |
|
|
Umgekehrte Wiederherstellungszeit
|
Trr |
Ich...F= 450 A
DieF/dt=-5600A/μs (T)Vj= 150°C) VR= 600 V,
VGE=-15V
|
TVj= 25°C |
|
134 |
|
n
|
| TVj= 125°C |
216 |
| TVj= 150°C |
227 |
|
Höchststrom der Rückgewinnung
|
IRRM |
TVj= 25°C |
|
317 |
|
Eine
|
| TVj= 125°C |
376 |
| TVj= 150°C |
379 |
|
Umgekehrte Wiedereinziehungsgebühr
|
QRR |
TVj= 25°C |
|
40.5 |
|
μC
|
| TVj= 125°C |
63.2 |
| TVj= 150°C |
65.4 |
|
Umkehrenergieverlust pro Impuls
|
Erec |
TVj= 25°C |
|
15.9 |
|
MJ
|
| TVj= 125°C |
27.0 |
| TVj= 150°C |
28.1 |
|
Dioden-Wärmewiderstand, Verbindungsgehäuse
|
RthJCD |
|
|
|
0.13 |
K / W |
|
Betriebstemperatur
|
TJop |
|
- 40 |
|
150 |
°C |
Ausgabe Charakteristisches (typisches) Ergebnis Merkmal (typisch)
Ich...C= f (V)CE-Nummern) IC= f (V)CE-Nummern) TVj= 150°C
IGBT
Übertragung Merkmal (typisch) Wechseln Verluste IGBT(typisch)
Ich...C= f (V)GE) E = f (RG)
VCE-Nummern= 20 V VGE= ±15V, IC= 450 A, VCE-Nummern= 600 V
IGBT RBSOA
Wechseln Verluste IGBT(typisch) Zurück Verzerrung sicher in Betrieb Fläche (RBSOA)
E = f (I)C) IC=f (V)CE-Nummern)
VGE= ±15V, RG= 1,8Ω, VCE-Nummern= 600 V VGE= ±15V, RSchnapp= 3,3Ω, TVj= 150°C
Typisch Kapazität als Ein Funktion von Sammler-Emittent Spannungsgitter Gebühr(typisch)
C = f (V)CE-Nummern) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 450 A, VCE-Nummern= 600 V
IGBT
IGBT Vergänglich thermische Impedanz als Ein Funktion von Puls Breite Vorwärts Merkmal von Diode (typisch)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Wechseln Verluste Diode (typisch) Umschalten Verluste Diode (typisch)
ERechnen= f (RG) ERechnen= f (IF)
Ich...F= 450 A, VCE-Nummern= 600V RG= 1,8Ω, VCE-Nummern= 600 V
Diode Vergänglich thermische Impedanz als Ein Funktion von PulsBreite
Zth(j-c) = f (t)
Ein 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ist ein Halbleitergerät mit einer Nennspannung von 1200 Volt.Diese Art von Vorrichtung wird häufig in Hochspannungsanwendungen wie Leistungsumrichter und Motorantriebe verwendet.
Wichtige Punkte:
1. Spannungsbewertung (1200 V): Gibt die maximale Spannung an, die das IGBT bewältigen kann. Geeignet für Anwendungen, die eine Hochspannungssteuerung erfordern,mit einer Leistung von mehr als 100 W und einer Leistung von mehr als 100 W.
2Anwendungen: 1200 V IGBT sind in Hochleistungsbereichen wie Industrieantrieben, ununterbrochenen Stromversorgungen (UPS), erneuerbaren Energiesystemen usw. üblich.wenn eine präzise Steuerung der Hochspannung erforderlich ist.
3Schaltgeschwindigkeit: IGBTs können schnell eingeschaltet und ausgeschaltet werden, was sie für Anwendungen geeignet macht, die ein Hochfrequenzschalten erfordern.Spezifische Schaltmerkmale hängen vom Modell und Hersteller ab.
4. Kühlanforderungen:** Wie bei vielen Leistungselektronikgeräten erzeugen IGBTs während des Betriebs Wärme.sind häufig erforderlich, um die Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts zu gewährleisten.
5. Datenblatt:Für detaillierte Informationen über ein bestimmtes IGBT mit 1200 V ist es wichtig, sich auf das Datenblatt des Herstellers zu beziehen, das umfassende technische Spezifikationen enthält,elektrische Eigenschaften, sowie Leitlinien für die Anwendung und den thermischen Umgang.
Bei der Verwendung eines 1200V IGBT in einer Schaltung oder einem System müssen die Konstrukteure Faktoren wie die Anforderungen an den Torantrieb, Schutzmechanismen,und thermische Überlegungen, um einen korrekten und zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.
Schaltkreis Diagramm Titel
Paket Umrisse
Abmessungen in mm
mm
Ihre Nachricht muss zwischen 20 und 3.000 Zeichen enthalten!
