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Chassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

Einzelheiten zum Produkt

Modellnummer: SPS120MB12G6S

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Sic MOSFET Leistungsmodul 1200 V

,

120A Sic MOSFET-Leistungsmodul

,

120A Sic MOSFET-Modul

Konfiguration:
Einzigartig
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
200A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm):
400A
Modul-Art:
IGBT
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
Modul
Art der Packung:
62 mm
Leistung - Max.:
600 W
Lieferanten-Gerätepaket:
62 mm
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.5V @ 15V, 100A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Konfiguration:
Einzigartig
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
200A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm):
400A
Modul-Art:
IGBT
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
Modul
Art der Packung:
62 mm
Leistung - Max.:
600 W
Lieferanten-Gerätepaket:
62 mm
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
2.5V @ 15V, 100A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
1200 V
Chassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.

 

1200 V 120A SiC MOSFET Die Hälfte Brücke Modul

 

     Chassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 0

Eigenschaften:

  • Hochfrequenzschaltanwendung
  • Null umgekehrter Rückgewinnungsstrom von der Diode
  • Null-Abschaltungsschwanzstrom von MOSFET
  • Sehr geringer Verlust
  • Einfachheit der Parallelisierung

Typisch Anwendungen:

  • Induktionsheizung
  • Solar- und Windumrichter
  • Gleichspannungsumrichter
  • BatterieladegeräteChassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 1

 

MOSFET

 

Höchstbetrag Nennwerte/ Maximaler Wert

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Wert

 

Einheiten

 

漏极-源极 Stromdruck

Abflussspannung

 

VDSS

 

Tvj=25°C

 

1200

 

V

 

kontinuierlicher Leckstrom

Kontinuierlich DC Abflussstrom

 

Identifizierung

 

VGS=20V, TC= 25°C, Tvjmax=175°C

VGS=20V, TC= 85°C, Tvjmax=175°C

 

180

 

120

 

 

Eine

 

脉冲漏极 电流

Pulsierte Ableitung Strom

 

Identifizierung Puls

 

Breite des Pulsens tpbeschränkt vonTvjmax

 

480

 

Eine

 

Gesamtverlust an Leistung

Gesamtzahl Leistung Ablösung

 

Ptot

 

TC= 25°C,Tvjmax=175°C

 

576

 

W

 

极峰值 elektrischer Druck

Höchstspannung der Torquelle

 

VGSS

 

 

-10/25

 

V

 

Charakteristische Werte/ Eigenschaftswert

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

- Ich weiß nicht. Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann.

 

Einheiten

 

漏极-源极通态 elektrischer Widerstand

Entwässerungsquelle an Widerstand

 

 

RDS( auf)

 

Identifizierung= 120 A, VGS=20V

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

13.0

16.0 18.0

 

16.0

 

 

极 值 elektrischer Druck

Grenzspannung für das Tor

 

 

VGS (th)

 

IC= 30mA, VCE-Nummern=VGE, Tvj=25°C

IC= 30mA, VCE-Nummern=VGE, Tvj=150°C

 

2.0

 

2.4

1.7

 

4.0

 

V

 

跨导

 

Transleitfähigkeit

 

GFS

 

VDS = 20 V, Ich...DS = 120 A, Tvj=25°C

VDS = 20 V, Ich...DS = 120 A, Tvj=150°C

 

68.9

61.8

 

S

 

极电荷 极电荷

Tor Gebühr

 

Hauptquartier

 

VGE=-5V...+20V

 

474

 

 

nC

 

内部 极电阻

Innentor Widerstand

 

RGint

 

Tvj=25°C

 

2.2

 

 

Ohm

 

Input-Kapazität

Eingangskapazität

 

Siehe

 

f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VKlimatisierung= 25mV, VGE=0V

 

 

8850

 

pF

 

Ausgangsleistung

Ausgabe Kapazität

 

 

Coes

 

f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VKlimatisierung= 25mV, VGE=0V

 

 

564

 

pF

 

Gegenseitige Übertragungskapazität

Umgekehrte Übertragungskapazität

 

 

Cres

 

f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VKlimatisierung= 25mV, VGE=0V

 

 

66

 

pF

 

零 电压 漏极电流

Null-Gatterspannung Abfluss Strom

 

IDSS

 

VDS=1200V, VGS=0V, Tvj=25°C

 

300

 

μEine

 

- Ich weiß nicht.-源极漏电流

Schnittstelle Leckstrom

 

IGSS

 

VDS=0V, VGS=20V, Tvj=25°C

 

100

 

nA

 

开通延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung)

Schalten Verzögerungszeit, Induktiv Belastung

 

 

Td( auf)

 

Fernsehen= 25°C TVj= 125°C Tvj=150°C

 

10

8

 

8

 

n

n

n

 

Aufstiegszeit( elektrische Belastung)

Es ist Zeit, aufzustehen. Induktiv Belastung

 

Tr

 

Fernsehen= 25°C TVj= 125°C Tvj=150°C

 

36

34

 

34

 

n

n

n

 

关断延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung)

Verzögerungszeit für die Abschaltung Induktiv Belastung

 

 

Td(abgeschaltet)

 

Identifizierung= 120A, VDS=600V

VGS=-5/20V

RGon=3,3Ω

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

128

140

 

140

 

n

n

n

 

- Was ist los?( elektrische Belastung)

Herbstzeit, Induktiv Belastung

 

Tf

 

RGoff = 3,3Ω

= 56 nH

 

Induktiv Ladung

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

62

62

 

62

 

n

n

n

 

开通 损耗能量(Jeder Schlag)

Schalten Energie Verlust pro Puls

 

 

Eon

 

Fernsehen= 25°C TVj= 125°C Tvj=150°C

 

2.35

2.15

2.15

 

MJ

MJ

 

关断损耗能量 (Schnittverlust an Energie)(- Ich weiß nicht.

Abschaltungsenergie Verlust pro Puls

 

Eoff

 

Fernsehen= 25°C TVj= 125°C Tvj=150°C

 

1.65

1.80

1.80

 

MJ

MJ

 

 

结-外 热阻

Thermische Widerstand, juntion Fall

 

RthJC

 

Für MOSFET / Jeder. MOSFET

 

0.23

 

K/W

 

Arbeitstemperatur

Temperatur undWechseln Bedingungen

 

 

Fernsehjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Diode/二极管

 

Höchstbetrag Nennwerte/ Maximalwert

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Wert

 

Einheiten

 

kontinuierlicher direkter Stromstrom

Kontinuierliche Diode nach vorne Strom

 

 

Wenn

 

VGS = -5 V, TC = 25 ̊C

 

177

 

Eine

 

Charakteristische Werte/ Eigenschaftswert

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

- Ich weiß nicht. Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann.

 

Einheiten

 

Stromspannung

Vorwärtsspannung

 

 

VSD

 

 

Wenn= 120A, VGS=0V

 

Fernsehen= 25°C Tvj=150°C

 

 

1.45

1.90

 

 

1.80

 

V

V

 

结-外 热阻

Thermische Widerstand, juntion Fall

 

RthJC

 

pro Diode Jeder zweite Rohr

 

0.30

 

K/W

 

Arbeitstemperatur

Temperatur undWechseln Bedingungen

 

Fernsehjop

 

 

- 40 150

 

°C

 

 

Modul/ 模块

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Wert

 

Einheiten

 

绝缘 Prüfstromdruck

Isolationsversuchsspannung

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

KV

 

模块基板材料

Material von Modul Unterplatte

   

 

 

- Was?

 

 

内部绝缘

Inneres Isolierung

 

 

基本绝缘(Klasse 1, Ich...EG-Länder 61140)

Grundsätzliche Isolierung (Klasse 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Entfernung zum Schleichen

 

 

端子-散热片/ Terminal to Heizkessel

端子-端子/Terminal zu Terminal

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

Genehmigung

 

 

端子-散热片/ Terminal to Heizkessel

端子-端子/Terminal zu Terminal

 

23.0

11.0

 

mm

 

Vergleichswirkung

Vergleichsverfolgung Index

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

- Ich weiß nicht.

 

Das ist typisch.

 

Max, du bist ein guter Mann.

 

Einheiten

 

杂散电感, 模块 (Versplitterung des elektrischen Gefühls)

Stray Induktivität Modul

 

LsCE

   

 

20

 

 

nH

 

Modulleitungswiderstand,端子- Chips

Modul Blei Widerstand, Endgeräte - Splitter

 

RCC+EE

 

TC=25°C

 

 

0.465

 

 

 

Lagertemperatur

 

Lagertemperatur

 

Tstg

 

 

- 40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭矩 Die Anlage wird durch eine neue Anlage ersetzt.

Montagestark für Modul Montage

 

M5

 

 

2.50

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子联接 Drehmoment

Drehmoment der Endverbindung

 

M6

 

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Gewicht

 

Gewicht

 

G

   

 

300

 

 

g

 

 

MOSFET MOSFET

Ausgangsmerkmal MOSFET (typisch) Ausgangsmerkmal MOSFET (typisch)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

Fernwärme:

 

 

  Chassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 2

 

Normalisierte Entwässerungsquelle auf Widerstand (typisch)

RDSon ((P.U.)=f(Tvj) RDSon=f(IDS)

Dies ist der Fall, wenn die Leistung der Fahrzeuge in einem anderen Mitgliedstaat als dem Mitgliedstaat, in dem die Fahrzeuge erhältlich sind, nicht überschritten wird.

 

 

    Chassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 3

 

 

Abflussquelle auf Widerstand (typisch) Schwellenspannung (typisch)

Die RDSon=f(Tvj) VDS(th)=f(Tvj)

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

 

    Chassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 4

 

MOSFET

Übertragungsmerkmal MOSFET (typisch) Vorwärtsbewegungsmerkmal Diode (typisch)

Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1303/2013 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1303/2013 zu entnehmen.

VDS = 20V Tvj = 25°C

  Chassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 5

   

 

Vorwärts charakteristischer Dioden (typischer) Charakteristik von 3rdQuadranten (typisch)

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.

Fernwärme:

   Chassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 6

Chassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 7

Eigenschaft von 3rdQuadranten (typisch) MOSFET (typisch)

Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 515/2014 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 515/2014 zu entnehmen.

Fernsehgeräte, die mit einem elektrischen Gerät ausgerüstet sind, müssen in der Lage sein, das Gerät mit einem elektrischen Gerät auszustatten.

 

Chassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 8

MOSFET

Kapazitätsmerkmal MOSFET (typisch) Umschaltverluste MOSFET (typisch)

C=f (VDS) E=f (IC)

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=3,3 Ω, VCE=600V

    Chassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 9

Chassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 10

  

MOSFET MOSFET

Schaltverluste MOSFET (typisch) Übergangswärmeimpedanz MOSFET

E=f (RG) ZthJC=f (t)

Die Leistung ist in der Tabelle 1 angegeben, wenn die Leistung in der Tabelle 1 angegeben ist.

 

 

      Chassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 11

 

Diode mit vorübergehender thermischer Impedanz

ZthJC=f (t)

 

 

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Das "1200V 120A SiC MOSFET Half Bridge Module" integriert zwei Siliziumkarbid-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration.Sie bietet eine präzise Steuerung der Spannung (1200 V) und des Stroms (120 A)Eine wirksame Kühlung ist für einen zuverlässigen Betrieb von entscheidender Bedeutung, und detaillierte Spezifikationen finden Sie im Datenblatt des Herstellers.

 

Schaltkreis Diagramm Titel 

     Chassis Mount Sic MOSFET Leistungsmodul 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 13


 

 

 


Paket Umrisse 

 

 

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