Einzelheiten zum Produkt
Modellnummer: SPS120MB12G6S
Zahlungs- und Versandbedingungen
Konfiguration: |
Einzigartig |
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): |
200A |
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm): |
400A |
Modul-Art: |
IGBT |
Typ der Montage: |
Aufbau des Fahrgestells |
Betriebstemperatur: |
-40 °C ~ 150 °C |
Packung / Gehäuse: |
Modul |
Art der Packung: |
62 mm |
Leistung - Max.: |
600 W |
Lieferanten-Gerätepaket: |
62 mm |
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC: |
2.5V @ 15V, 100A |
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): |
1200 V |
Konfiguration: |
Einzigartig |
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): |
200A |
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm): |
400A |
Modul-Art: |
IGBT |
Typ der Montage: |
Aufbau des Fahrgestells |
Betriebstemperatur: |
-40 °C ~ 150 °C |
Packung / Gehäuse: |
Modul |
Art der Packung: |
62 mm |
Leistung - Max.: |
600 W |
Lieferanten-Gerätepaket: |
62 mm |
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC: |
2.5V @ 15V, 100A |
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): |
1200 V |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
1200 V 120A SiC MOSFET Die Hälfte Brücke Modul
Eigenschaften:
Typisch Anwendungen:
MOSFET
Höchstbetrag Nennwerte/ Maximaler Wert |
|||||||
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Wert |
Einheiten |
|||
漏极-源极 Stromdruck Abflussspannung |
VDSS |
Tvj=25°C |
1200 |
V |
|||
kontinuierlicher Leckstrom Kontinuierlich DC Abflussstrom |
Identifizierung |
VGS=20V, TC= 25°C, Tvjmax=175°C VGS=20V, TC= 85°C, Tvjmax=175°C |
180
120 |
Eine |
|||
脉冲漏极 电流 Pulsierte Ableitung Strom |
Identifizierung Puls |
Breite des Pulsens tpbeschränkt vonTvjmax |
480 |
Eine |
|||
Gesamtverlust an Leistung Gesamtzahl Leistung Ablösung |
Ptot |
TC= 25°C,Tvjmax=175°C |
576 |
W |
|||
极峰值 elektrischer Druck Höchstspannung der Torquelle |
VGSS |
-10/25 |
V |
||||
Charakteristische Werte/ Eigenschaftswert |
|||||||
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
- Ich weiß nicht. Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann. |
Einheiten |
|||
漏极-源极通态 elektrischer Widerstand Entwässerungsquelle an Widerstand |
RDS( auf) |
Identifizierung= 120 A, VGS=20V |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
13.0 16.0 18.0 |
16.0 |
mΩ mΩ mΩ |
|
极 值 elektrischer Druck Grenzspannung für das Tor |
VGS (th) |
IC= 30mA, VCE-Nummern=VGE, Tvj=25°C IC= 30mA, VCE-Nummern=VGE, Tvj=150°C |
2.0 |
2.4 1.7 |
4.0 |
V |
|
跨导
Transleitfähigkeit |
GFS |
VDS = 20 V, Ich...DS = 120 A, Tvj=25°C VDS = 20 V, Ich...DS = 120 A, Tvj=150°C |
68.9 61.8 |
S |
|||
极电荷 极电荷 Tor Gebühr |
Hauptquartier |
VGE=-5V...+20V |
474 |
nC |
|||
内部 极电阻 Innentor Widerstand |
RGint |
Tvj=25°C |
2.2 |
Ohm |
|||
Input-Kapazität Eingangskapazität |
Siehe |
f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VKlimatisierung= 25mV, VGE=0V |
8850 |
pF |
|||
Ausgangsleistung Ausgabe Kapazität |
Coes |
f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VKlimatisierung= 25mV, VGE=0V |
564 |
pF |
|||
Gegenseitige Übertragungskapazität Umgekehrte Übertragungskapazität |
Cres |
f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VKlimatisierung= 25mV, VGE=0V |
66 |
pF |
|||
零 电压 漏极电流 Null-Gatterspannung Abfluss Strom |
IDSS |
VDS=1200V, VGS=0V, Tvj=25°C |
300 |
μEine |
|||
- Ich weiß nicht.-源极漏电流 Schnittstelle Leckstrom |
IGSS |
VDS=0V, VGS=20V, Tvj=25°C |
100 |
nA |
|||
开通延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung) Schalten Verzögerungszeit, Induktiv Belastung |
Td( auf) |
Fernsehen= 25°C TVj= 125°C Tvj=150°C |
10 8
8 |
n n n |
|||
Aufstiegszeit( elektrische Belastung) Es ist Zeit, aufzustehen. Induktiv Belastung |
Tr |
Fernsehen= 25°C TVj= 125°C Tvj=150°C |
36 34
34 |
n n n |
|||
关断延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung) Verzögerungszeit für die Abschaltung Induktiv Belastung |
Td(abgeschaltet) |
Identifizierung= 120A, VDS=600V VGS=-5/20V RGon=3,3Ω |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
128 140
140 |
n n n |
||
- Was ist los?( elektrische Belastung) Herbstzeit, Induktiv Belastung |
Tf |
RGoff = 3,3Ω Lσ = 56 nH
Induktiv Ladung |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
62 62
62 |
n n n |
||
开通 损耗能量(Jeder Schlag) Schalten Energie Verlust pro Puls |
Eon |
Fernsehen= 25°C TVj= 125°C Tvj=150°C |
2.35 2.15 2.15 |
MJ MJ |
|||
关断损耗能量 (Schnittverlust an Energie)(- Ich weiß nicht. Abschaltungsenergie Verlust pro Puls |
Eoff |
Fernsehen= 25°C TVj= 125°C Tvj=150°C |
1.65 1.80 1.80 |
MJ MJ |
结-外 热阻 Thermische Widerstand, juntion Fall |
RthJC |
Für MOSFET / Jeder. MOSFET |
0.23 |
K/W |
||
Arbeitstemperatur Temperatur undWechseln Bedingungen |
Fernsehjop |
-40 150 |
°C |
|||
Diode/二极管
Höchstbetrag Nennwerte/ Maximalwert |
||||||
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Wert |
Einheiten |
||
kontinuierlicher direkter Stromstrom Kontinuierliche Diode nach vorne Strom |
Wenn |
VGS = -5 V, TC = 25 ̊C |
177 |
Eine |
||
Charakteristische Werte/ Eigenschaftswert |
||||||
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
- Ich weiß nicht. Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann. |
Einheiten |
||
Stromspannung Vorwärtsspannung |
VSD |
Wenn= 120A, VGS=0V |
Fernsehen= 25°C Tvj=150°C |
1.45 1.90 |
1.80 |
V V |
结-外 热阻 Thermische Widerstand, juntion Fall |
RthJC |
pro Diode Jeder zweite Rohr |
0.30 |
K/W |
||
Arbeitstemperatur Temperatur undWechseln Bedingungen |
Fernsehjop |
- 40 150 |
°C |
Modul/ 模块 |
||||
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Wert |
Einheiten |
绝缘 Prüfstromdruck Isolationsversuchsspannung |
VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
2.5 |
KV |
模块基板材料 Material von Modul Unterplatte |
- Was? |
|||
内部绝缘 Inneres Isolierung |
基本绝缘(Klasse 1, Ich...EG-Länder 61140) Grundsätzliche Isolierung (Klasse 1, IEC 61140) |
Al2O3 |
||
爬电距离 Entfernung zum Schleichen |
端子-散热片/ Terminal to Heizkessel 端子-端子/Terminal zu Terminal |
29.0 23.0 |
mm |
|
电气间隙 Genehmigung |
端子-散热片/ Terminal to Heizkessel 端子-端子/Terminal zu Terminal |
23.0 11.0 |
mm |
|
Vergleichswirkung Vergleichsverfolgung Index |
CTI |
> 400 |
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
- Ich weiß nicht. |
Das ist typisch. |
Max, du bist ein guter Mann. |
Einheiten |
杂散电感, 模块 (Versplitterung des elektrischen Gefühls) Stray Induktivität Modul |
LsCE |
20 |
nH |
|||
Modulleitungswiderstand,端子- Chips Modul Blei Widerstand, Endgeräte - Splitter |
RCC+EE |
TC=25°C |
0.465 |
mΩ |
||
Lagertemperatur
Lagertemperatur |
Tstg |
- 40 |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭矩 Die Anlage wird durch eine neue Anlage ersetzt. Montagestark für Modul Montage |
M5 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
||
端子联接 Drehmoment Drehmoment der Endverbindung |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
||
Gewicht
Gewicht |
G |
300 |
g |
MOSFET MOSFET
Ausgangsmerkmal MOSFET (typisch) Ausgangsmerkmal MOSFET (typisch)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
Fernwärme:
Normalisierte Entwässerungsquelle auf Widerstand (typisch)
RDSon ((P.U.)=f(Tvj) RDSon=f(IDS)
Dies ist der Fall, wenn die Leistung der Fahrzeuge in einem anderen Mitgliedstaat als dem Mitgliedstaat, in dem die Fahrzeuge erhältlich sind, nicht überschritten wird.
Abflussquelle auf Widerstand (typisch) Schwellenspannung (typisch)
Die RDSon=f(Tvj) VDS(th)=f(Tvj)
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
MOSFET
Übertragungsmerkmal MOSFET (typisch) Vorwärtsbewegungsmerkmal Diode (typisch)
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1303/2013 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1303/2013 zu entnehmen.
VDS = 20V Tvj = 25°C
Vorwärts charakteristischer Dioden (typischer) Charakteristik von 3rdQuadranten (typisch)
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.
Fernwärme:
Eigenschaft von 3rdQuadranten (typisch) MOSFET (typisch)
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 515/2014 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 515/2014 zu entnehmen.
Fernsehgeräte, die mit einem elektrischen Gerät ausgerüstet sind, müssen in der Lage sein, das Gerät mit einem elektrischen Gerät auszustatten.
MOSFET
Kapazitätsmerkmal MOSFET (typisch) Umschaltverluste MOSFET (typisch)
C=f (VDS) E=f (IC)
VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=3,3 Ω, VCE=600V
MOSFET MOSFET
Schaltverluste MOSFET (typisch) Übergangswärmeimpedanz MOSFET
E=f (RG) ZthJC=f (t)
Die Leistung ist in der Tabelle 1 angegeben, wenn die Leistung in der Tabelle 1 angegeben ist.
Diode mit vorübergehender thermischer Impedanz
ZthJC=f (t)
Das "1200V 120A SiC MOSFET Half Bridge Module" integriert zwei Siliziumkarbid-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration.Sie bietet eine präzise Steuerung der Spannung (1200 V) und des Stroms (120 A)Eine wirksame Kühlung ist für einen zuverlässigen Betrieb von entscheidender Bedeutung, und detaillierte Spezifikationen finden Sie im Datenblatt des Herstellers.
Schaltkreis Diagramm Titel
Paket Umrisse