1200V 300A SiC MOSFET Halbbrückenmodul Halbleiter DS-SPS300MB12G6S-S04310004
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
1200 V 300A SiC MOSFET Die Hälfte Brücke Modul
Eigenschaften:
- Hochfrequenzschaltanwendung
- Null umgekehrter Rückgewinnungsstrom von der Diode
- Null-Abschaltungsschwanzstrom von MOSFET
- Sehr geringer Verlust
- Einfachheit der Parallelisierung
Typisch Anwendungen:
- Induktionsheizung
- Solar- und Windumrichter
- Gleichspannungsumrichter
- Batterieladegeräte
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MOSFET
Höchstbetrag Nennwerte/ Höchstbetrag值
|
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Artikel
|
Symbol
|
Bedingungen
|
Wert
|
Einheiten
|
|
漏极-源极 Stromdruck
Abflussspannung
|
VDSS
|
TVj= 25°C
|
1200
|
V
|
|
kontinuierlicher Leckstrom
Weiters DC Abflussstrom
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Ich...D
|
VGS=20V, TC= 25°C, TVjmax= 175°C
VGS=20V, TC= 85°C, TVjmax= 175°C
|
400
300
|
Eine
|
|
脉冲漏极 电流
Pulsierte Ableitung Strom
|
Ich...D Puls
|
Breite des Pulsens tpbeschränkt vonTVjmax
|
1200
|
Eine
|
|
Gesamtverlust an Leistung
Gesamtzahl Leistung AbwanderungDie
|
PNachweis
|
TC= 25°C,TVjmax= 175°C
|
1153
|
W
|
|
极峰值 elektrischer Druck
Höchstgeschwindigkeit-Vorgangsspannung
|
VGSS
|
|
-10/25
|
V
|
|
CharakterWertwerte/ Eigenschaftswert
|
|
Artikel
|
Symbol
|
Bedingungen
|
- Ich weiß nicht. Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann.
|
Einheiten
|
|
漏极-源极通态 elektrischer Widerstand
Entwässerungsquelle an Widerstand
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RDS( auf)
|
Ich...D= 300 A, VGS=20V
|
TVj= 25°C
TVj= 125°C
TVj= 150°C
|
4.0
5.4 6.0
|
5.6
|
mΩ
mΩ
mΩ
|
|
极 值 elektrischer Druck
Grenzwerte für die SchließungSpannung
|
VDie Kommission
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Ich...C= 90mA, VCE-Nummern=VGE, TVj= 25°C
Ich...C= 90mA, VCE-Nummern=VGE, TVj= 150°C
|
1.9
|
2.4
1.6
|
4.0
|
V
|
|
跨导
Transleitfähigkeit
|
GFS
|
VDS = 20 V, Ich...DS = 300 A: TVj= 25°C
VDS = 20 V, Ich...DS = 300 A, TVj= 150°C
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211
186
|
S
|
|
极电荷 极电荷
Tor Gebühr
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QG
|
VGE=-5V... +20V
|
1170
|
nC
|
|
内部 极电阻
Innentor Widerstand
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RGint
|
TVj= 25°C
|
2.0
|
Ohm
|
|
Input-Kapazität
EinspeisungsgrenzeAbhängigkeit
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CEinheit
|
f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VKlimatisierung= 25mV, VGE=0V
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25.2
|
nF
|
|
Ausgangsleistung
Ausgabe Kapazität
|
CEs ist
|
f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VKlimatisierung= 25mV, VGE=0V
|
1500
|
pF
|
|
Gegenseitige Übertragungskapazität
RückwärtsbewegungSphärenkapazität
|
CRes
|
f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VKlimatisierung= 25mV, VGE=0V
|
96
|
pF
|
|
零 电压 漏极电流
Nulltor vAlterung Abfluss Strom
|
Ich...DSS
|
VDS=1200V, VGS=0V, TVj= 25°C
|
300
|
μEine
|
|
- Ich weiß nicht.-源极漏电流
Schnittstelle DieAkage-Strom
|
Ich...GSS
|
VDS=0V, VGS=20V, TVj= 25°C
|
100
|
nA
|
|
开通延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung)
Schalten Verzögerungszeit, Induktiv Belastung
|
td( auf)
|
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C
|
76
66
66
|
n
n
n
|
|
Aufstiegszeit( elektrische Belastung)
Es ist Zeit, aufzustehen. Induktiv Belastung
|
tr
|
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C
|
62
56
56
|
n
n
n
|
|
关断延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung)
Abschaltung dZeit der Ausbringung, Induktiv Belastung
|
td(abgeschaltet)
|
Ich...D= 300A, VDS= 600 V
VGS=-5/20V
RGönn= 2,5Ω
|
TVj= 25°C
TVj= 125°C
TVj= 150°C
|
308
342
342
|
n
n
n
|
|
- Was ist los?( elektrische Belastung)
Herbstzeit, Induktiv Belastung
|
tf
|
R- Ich weiß.= 2,5Ω
Lσ = 56 nH
Induktiv Das ist Loa.d,
|
TVj= 25°C
TVj= 125°C
TVj= 150°C
|
94
92
92
|
n
n
n
|
|
开通 损耗能量(Jeder Schlag)
Schalten Energie Verlust pro SchnüffelnIch weiß.
|
Eauf
|
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C
|
5.55
4.35
4.35
|
MJ
MJ
|
|
关断损耗能量 (Schnittverlust an Energie)(- Ich weiß nicht.
Abschaltungsenergie Verlust pro Puls
|
Eabgeschaltet
|
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C
|
12.10
12.35
12.35
|
MJ
MJ
|
|
结-外 热阻
Thermische Widerstand, juntion Fall
|
Rdie
|
Für MOSFET / Jeder. MOSFET
|
0.12
|
K/W
|
|
Arbeitstemperatur
Temperatur undWechseln Bedingungen
|
TVjop
|
|
- 40150
|
°C
|
|
Diode/二极管
Höchstbetrag Nennwerte/ maximal定值
|
|
Artikel
|
Symbol
|
Bedingungen
|
Wert
|
Einheiten
|
|
kontinuierlicher direkter Stromstrom
Kontinuierliche Diode fürAbteilung Strom
|
Ich...F
|
VGS = -5 V, TC = 25 ̊C
|
400
|
Eine
|
|
CharakterWertwerte/ Eigenschaftswert
|
|
Artikel
|
Symbol
|
Bedingungen
|
- Ich weiß nicht. Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann.
|
Einheiten
|
|
Stromspannung
Vorwärtsspannung
|
VS.D.
|
Ich...F= 300A, VGS=0V
|
TVj= 25°C TVj= 150°C
|
1.60
2.00
|
1.80
|
V
V
|
|
结-外 热阻
Thermische Widerstand, juntion Fall
|
Rdie
|
pro Diode/ Jeder zweite Rohr
|
0.13
|
K/W
|
|
Arbeitstemperatur
Temperatur undWechseln Bedingungen
|
TVjop
|
|
- 40 150
|
°C
|
|
Modul/ 模块
|
|
Artikel
|
Symbol
|
Bedingungen
|
Wert
|
Einheiten
|
|
绝缘 Prüfstromdruck
IsolationPrüfspannung
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VISOL
|
RMS, f=50Hz, t=1min
|
2.5
|
KV
|
|
模块基板材料
Material von Modul Unterplatte
|
|
|
- Was?
|
|
|
内部绝缘
Inneres Isolierung
|
|
基本绝缘(Klasse 1, Ich...EG-Länder 61140)
Grundsätzliche Isolierung (Klasse 1, IEC 61140)
|
Das ist alles.2O3
|
|
|
爬电距离
SchrecklichSchlagzeug
|
|
端子-散热片/ Terminal to Heizkessel
端子-端子/Terminal bis TerMinal
|
29.0
23.0
|
mm
|
|
电气间隙
Genehmigung
|
|
端子-散热片/ Terminal to Heizkessel
端子-端子/Terminal bis TerMinal
|
23.0
11.0
|
mm
|
|
Vergleichswirkung
Vergleichsverfolgung Index
|
CTI
|
|
> 400
|
|
|
Artikel
|
Symbol
|
Bedingungen
|
- Ich weiß nicht.
|
Das ist typisch.
|
Max, du bist ein guter Mann.
|
Einheiten
|
|
杂散电感, 模块 (Versplitterung des elektrischen Gefühls)
Stray Induktivität Modul
|
LsCE
|
|
|
20
|
|
nH
|
|
Modulleitungswiderstand,端子- Chips
Modul Blei Widerstand, Endgeräte - Splitter
|
RCC+EE
|
TC= 25°C
|
|
0.465
|
|
mΩ
|
|
Lagertemperatur
LagertemSchnittstelle
|
TStg
|
|
- 40
|
|
125
|
°C
|
|
模块安装的安装扭矩 Die Anlage wird durch eine neue Anlage ersetzt.
MontagevorrichtungFür die Modul Montage
|
M5
|
|
2.50
|
|
5.00
|
Nm
|
|
端子联接 Drehmoment
Anschluss an das Terminaln Drehmoment
|
M6
|
|
3.00
|
|
5.00
|
Nm
|
|
Gewicht
Gewicht
|
G
|
|
|
300
|
|
g
|
MOSFET MOSFET
Ausgangsmerkmal MOSFET (typisch) Ausgangsmerkmal MOSFET (typisch)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
Fernwärme:
Normalisierte Entwässerungsquelle auf Widerstand (typisch)
Forschung und EntwicklungIch bin ein Junge.(P.U.) = f(TVj) RDSon=f(IDS)
Ich...DS=120A VGS=20V VGS=20V
Abflussquelle auf Widerstand (typisch) Schwellenspannung (typisch)
Forschung und EntwicklungIch bin ein Junge.=f(TVj) VDS (de)=f(TVj)
Ich...DS=120A VDS=VGSIch...DS= 30 mA
MOSFET
Übertragungsmerkmal MOSFET (typisch) Vorwärtsbewegungsmerkmal Diode (typisch)
Ich...DS=f(VGS)Ich...DS=f(VDS)
VDS=20V TVj= 25°C
Vorwärts charakteristischer Dioden (typischer) Charakteristik von 3rdQuadranten (typisch)
Ich...DS=f(VDS) IDS=f(VDS)
TVj=150°C TVj= 25°C
MOSFET
Eigenschaft von 3rdQuadranten (typisch) MOSFET (typisch)
Ich...DS=f(VDS) VGS=f ((QG)
TVj=150°C VDS= 800 V, IDS= 120A, TVj= 25°C
MOSFET MOSFET
Kapazitätsmerkmal MOSFET (typisch) Umschaltverluste MOSFET (typisch)
C=f(VDS) E=f(IC)
VGS=0V, TVj= 25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG= 2,5 Ω, VCE-Nummern= 600 V
MOSFET MOSFET
Schaltverluste MOSFET (typisch) Übergangswärmeimpedanz MOSFET
E=f (RG) Zdie=f (t)
Die Leistung ist in der Tabelle 1 angegeben, wenn die Leistung in der Tabelle 1 angegeben ist.
Diode mit vorübergehender thermischer Impedanz
ZthJC=f (t)
Das "1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module" integriert zwei Siliziumkarbid-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistoren (SiC MOSFETs) in einer Halbbrückenkonfiguration.mit einer Leistung von mehr als 50 W, bietet eine präzise Steuerung von Spannung (1200 V) und Strom (300 A) mit Vorteilen wie einer verbesserten Effizienz und Leistung in industriellen Umgebungen.Eine effektive Kühlung ist für einen zuverlässigen Betrieb von entscheidender Bedeutung, und detaillierte Spezifikationen finden Sie im Datenblatt des Herstellers.
Schaltkreis Diagramm Titel
Paket Umrisse
mm
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