OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Modul DS-SPS100B12G3H6-S04010019

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

1200 V 100A IGBT Die Hälfte Brücke Modul

1200 V 100A IGBT 

Eigenschaften:

□ 1200V-Trench+ Field Stop-Technologie

□ Freiraddioden mit schneller und weicher Rückwärtsgewinnung

□ V_{CE (Sat)}mit einem positiven Temperaturkoeffizienten

□ Niedrige Umschaltverluste

TypischAnwendungen: 

□ Schweißen

Ausgabe Charakteristisches (typisches) Ergebnis Merkmal (typisch)

Ich..._C= f (V)_CE-Nummern) I_C= f (V)_CE-Nummern) T_Vj= 150°C

                                                                                                                   IGBT

Übertragung Merkmal (typisch) Wechseln Verluste IGBT(typisch)

Ich..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE-Nummern= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 30A, V_CE-Nummern= 600 V

IGBT RBSOA

 Wechseln Verluste IGBT(typisch) Zurück Verzerrung sicher in Betrieb Fläche (RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE-Nummern)

V_GE= ±15V, R_G= 10Ω, V_CE-Nummern= 600 V V_GE= ±15V, R_Schnapp= 10Ω, T_Vj= 150°C

Typisch Kapazität als Ein Funktion von Sammler-Emittent Spannungsgitter Gebühr(typisch)

C = f (V)_CE-Nummern) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 100A, V_CE-Nummern= 600 V

IGBT

IGBT Vergänglich thermische Impedanz als Ein Funktion von Puls Breite Vorwärts Merkmal von Diode (typisch)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

   Wechseln Verluste Diode (typisch) Umschalten Verluste Diode (typisch)

E_Rechnen= f (R_G) E_Rechnen= f (I_F)

Ich..._F= 30A, V_CE-Nummern= 600V R_G= 10Ω, V_CE-Nummern= 600 V

Diode Vergänglich thermische Impedanz als Ein Funktion von PulsBreite

Zth(j-c) = f (t)