Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
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Einheit für die Bereitstellung von elektrischen Antrieben

Einzelheiten zum Produkt

Modellnummer: SPS150B17G3

Zahlungs- und Versandbedingungen

Beste Preis erhalten
Hervorheben:

IGBT-Halbbrückenmodul

,

1200 V IGBT Halbbrückenmodul

,

75A Halbbrückenmodul

Kollektorstrom:
200A
Kollektor-Emitter-Spannung:
±1200V
Strom:
200A
Tor-Gebühr:
100 nC
Tor-Emitterspannung:
± 20V
Modulgröße:
34 mm
Modul-Art:
IGBT
Montageart:
Schraub
Betriebstemperaturbereich:
-40°C zu +150°C
Art der Packung:
Modul
Machtverlust:
500 W
Schaltfrequenz:
20KHZ
Wärmewiderstand:
0.1°C/W
Spannung:
1200 V
Kollektorstrom:
200A
Kollektor-Emitter-Spannung:
±1200V
Strom:
200A
Tor-Gebühr:
100 nC
Tor-Emitterspannung:
± 20V
Modulgröße:
34 mm
Modul-Art:
IGBT
Montageart:
Schraub
Betriebstemperaturbereich:
-40°C zu +150°C
Art der Packung:
Modul
Machtverlust:
500 W
Schaltfrequenz:
20KHZ
Wärmewiderstand:
0.1°C/W
Spannung:
1200 V
Einheit für die Bereitstellung von elektrischen Antrieben

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistung der Fahrzeuge.

 

1200 V 75A IGBT Die Hälfte Brücke Modul

 

Einheit für die Bereitstellung von elektrischen Antrieben 0

 

Einheit für die Bereitstellung von elektrischen Antrieben 1

 

Eigenschaften:
 1700V-Grenchgate und Feldstop-Struktur
 hohe Kurzschlussfähigkeit
 Niedriger Schaltverlust
 Hohe Zuverlässigkeit
 Positiver Temperaturkoeffizient

 

Typische Anwendungen:
 Motorische Antriebe
 Servoantriebe
 Wechselrichter und Stromversorgung
 Photovoltaik

 

IGBT, Inverter

Höchstbetrag Nennwerte

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Wert

 

Einheiten

 

集电极- Ausstrahlungsstrom

Sammler-Emitter-Spannung

 

VCES

 

Tvj=25°C

 

1700

 

V

 

连续集电极直流电流

Kontinuierlich DC Sammlerstrom

 

IC

 

 

150

 

 

Eine

 

集电极重复峰值电流 (Zollstrom)

Höchststand WiederholenVerzögerung Sammlerstrom

 

ICRM

 

tp=1 ms

 

300

 

Eine

 

Gesamtverlust an Leistung

Gesamtzahl Leistung Ablösung

 

Ptot

 

TC= 25°C, Tvj=175°C

 

880

 

W

 

极- Ausstrahlung 极峰值

Höchstspannung des Tor-Emitters

 

VGES

 

 

± 20

 

V

 

Höchste Temperatur

Höchsttemperatur der Verbindung

 

- Ich habe keine Ahnung.

 

 

175

 

°C

 

 

Charakteristische Werte/ Eigenschaftswert

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Min. Typ. Max.

 

Einheiten

 

集电极-Emission极 和电压

Sättigungsspannung des Kollektors-Emitters

 

VCE(gesetzt)

 

IC= 150 A, VGE=15V

 

Fernsehen= 25°C TVj= 125°C Tvj=150°C

 

1.67

1.90 1.96

 

1.90

 

V

V

V

 

极 值 elektrischer Druck

Grenzspannung für das Tor

 

VGE (th)

 

IC= 17mA, VCE-Nummern=VGE, Tvj=25°C

 

5.0 6.0 6.8

 

V

 

极电荷 极电荷

Tor Gebühr

 

Hauptquartier

 

VGE=-15V...+15V

 

 

0.86

 

 

uC

 

内部 极电阻

Innentor Widerstand

 

 

RGint

 

 

Tvj=25°C

 

 

7.2

 

Ohm

 

Input-Kapazität

Eingangskapazität

 

Siehe

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE-Nummern= 25V, VGE=0V

 

 

12.6

 

nF

 

Gegenseitige Übertragungskapazität

Umgekehrte Übertragungskapazität

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE-Nummern=10V, VGE=0V

 

0.20

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (Streichschluss)

Sammler-Emittent Abschaltstrom

 

ICES

 

VCE=1700V, VGE=0V, TVj= 25°C

 

 

3.00

 

mA

 

- Ich weiß nicht.-发射极 漏电流

Tor-Emitter Leckage Strom

 

IGES

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj=25°C

 

400

 

nA

 

开通延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung)

Schalten Verzögerungszeit, Induktiv Belastung

 

Td(auf)

 

Fernsehen= 25°C TVj= 125°C Tvj=150°C

 

326

339

 

345

 

n

n

n

 

Aufstiegszeit( elektrische Belastung)

Es ist Zeit, aufzustehen. Induktiv Belastung

 

 

Tr

 

Fernsehen= 25°C TVj= 125°C Tvj=150°C

 

106

118

 

126

 

n

n

n

 

关断延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung)

Verzögerungszeit für die Abschaltung Induktiv Belastung

 

 

Td(abgeschaltet)

 

IC= 150A, VCE=900V

VGE = ± 15V

RGon=5Ω

RGoff=5Ω

 

Induktiv Ladung

 

Fernsehen= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C Tvj=125°C

 

Tvj=150°C

 

165

189

 

213

 

n

n

n

 

- Was ist los?( elektrische Belastung)

Herbstzeit, Induktiv Belastung

 

 

Tf

 

757

924

 

950

 

n

n

n

 

开通 损耗能量(Jeder Schlag)

Schalten Energie Verlust pro Puls

 

Eon

 

Fernsehen= 25°C TVj= 125°C Tvj=150°C

 

47.1

58.9

63.7

 

 

MJ

MJ

 

关断损耗能量 (Schnittverlust an Energie)(- Ich weiß nicht.

Abschaltungsenergie Verlust pro Puls

 

Eoff

 

Fernsehen= 25°C TVj= 125°C Tvj=150°C

 

31.2

39.9

42.5

 

 

MJ

MJ

 

短路数据

SC Daten

 

 

ISC

 

VGE≤ 15 V, VCC=1000V

VCEmax=VCES- Ich bin ein Mann.sCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj=150°C

 

600

 

Eine

 

 

 

结-外 热阻

Thermische Widerstand, jAnnahme durch die Kommission Fall

 

Rdie

 

Für IGBT / Jeder.IGBT

 

0.17

 

K/W

 

Arbeitstemperatur

Temperatur undWechseln Bedingungen

 

 

TVjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Diode, Wechselrichter/ 二极管, Umkehrschalter

Höchstbetrag Nennwerte/ Maximalwert

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Wert

 

Einheiten

 

Gegenseitig wiederholter Spitzenstrom

Höchststand Wiederholung UmkehrspannungE

 

VRRM

 

TVj= 25°C

 

1700

 

V

 

kontinuierlicher direkter Stromstrom

Kontinuierlich DC fürAbteilungsstrom

 

Ich...F

 

 

150

 

Eine

 

Stromstrom von höchstem Volumen

Höchststand wiederholter Vorwärtsstrom

 

Ich...FRM

 

tp=1 ms

 

300

 

Eine

 

 

Charakteristische Werte/ Eigenschaftswert

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

- Ich weiß nicht. Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann.

 

Einheiten

 

Stromspannung

Vorwärtsspannung

 

VF

 

 

Ich...F=150A

 

TVj= 25°C

TVj= 125°C

TVj= 150°C

 

1.92

2.112.09

 

2.30

 

V

V

V

 

Gegenzug zum Rückzugspitzenstrom

 

Höchststand Rückwärts Rückgewinnung cVerzögerung

 

 

Ich...RM

 

 

 

Ich...F=150A

- Das ist...F/dtabgeschaltet=2000A/μs

VR = 900 V

 

VGE=-15V

 

TVj= 25°C98

TVj= 125°C 119

 

TVj= 150°C 119

 

Eine

Eine

Eine

 

恢复电荷

Einziehungsgebühr

 

 

Qr

 

TVj= 25°C

TVj= 125°C

TVj= 150°C

 

21.4

36.7

42.0

 

uC

uC

uC

 

Gegenseitige Wiederherstellungsverluste (für jeden Schlag)

Rückwärts Rückgewinnung Energie (für pUlus)

 

ERechnen

 

TVj= 25°C

TVj= 125°C

TVj= 150°C

 

10.6

19.5

21.9

 

MJ

MJ

MJ

 

结-外 热阻

Thermische Widerstand, jAnnahme durch die Kommission Fall

 

Rdie

 

pro Diode/ Jeder zweite Rohr

 

0.30

 

K/W

 

Arbeitstemperatur

Temperatur undWechseln Bedingungen

 

TVjop

 

 

- 40 150

 

°C

 

 

 

Modul/ 模块

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Wert

 

Einheiten

 

绝缘 Prüfstromdruck

IsolationPrüfspannung

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

4.0

 

 

KV

 

模块基板材料

Material von Modul Unterplatte

   

 

 

- Was?

 

 

内部绝缘

Inneres Isolierung

 

 

基本绝缘(Klasse 1, Ich...EG-Länder 61140)

Grundsätzliche Isolierung (Klasse 1, IEC 61140)

 

Das ist alles.2O3

 

 

爬电距离

Cree Seitenabstand

 

 

端子-散热片/ Terminal bis hEssen Waschbecken

端子-端子/Terminal bis TerMinal

 

17.0

20.0

 

 

mm

 

电气间隙

Genehmigung

 

 

端子-散热片/ Terminal bis hEssen Waschbecken

端子-端子/Terminal bis TerMinal

 

17.0

9.5

 

 

mm

 

Vergleichswirkung

Vergleichsverfolgung Index

 

 

CTI

 

 

 

> 200

 

 

 

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

- Ich weiß nicht.

 

Das ist typisch.

 

Max, du bist ein guter Mann.

 

Einheiten

 

杂散电感, 模块 (Versplitterung des elektrischen Gefühls)

Stray Induktivität Modul

 

LsCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻,端子 Das ist ein Modell, das einen elektrischen Widerstand erzeugt.- Chips

 

Modul Blei Widerstand ,Terminals-CHüfte

 

RCC??+EE

RAA??+CC

   

 

0.65

 

 

 

Lagertemperatur

 

LagertemSchnittstelle

 

TStg

 

 

 

- 40

 

 

 

125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Montagestarkfür Modul Montage

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Nm

 

模块安装的安装扭距

Montagestarkfür Modul Montage

 

M

 

M5

 

2.50

 

 

5.00

 

Nm

 

Gewicht

Gewicht

 

G

   

 

160

 

 

g

 

Einheit für die Bereitstellung von elektrischen Antrieben 2

Einheit für die Bereitstellung von elektrischen Antrieben 3

Einheit für die Bereitstellung von elektrischen Antrieben 4