Einzelheiten zum Produkt
Modellnummer: SPS75B17G3
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Solid Power-DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.
1700 V 75A IGBT Die Hälfte Brücke Modul
Eigenschaften:
Typisch Anwendungen:
IGBT, Wechselrichter / IGBT, Umkehrschalter
Maximaler Nennwert / Maksimum额定值
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Wert |
Einheiten |
||
集电极- Ausstrahlungsstrom Sammleremissionenr Spannung |
VCES |
TVj= 25°C |
1700 |
V |
||
连续集电极直流电流 Kontinuierlich DC Schleimctor-Strom |
Ich...C Name |
75 |
Eine |
|||
集电极重复峰值电流 (Zollstrom) Höchststand WiederholenVerzögerung Sammlerstrom |
Ich...CRM |
tp=1 ms |
150 |
Eine |
||
Gesamtverlust an Leistung Gesamtzahl Leistung AbwanderungDie |
PNachweis |
TC= 25°C,TVjmax= 175°C |
535 |
W |
||
极- Ausstrahlung 极峰值 HöchstgeschwindigkeitSpannung des E-Emitters |
VGES |
±20 |
V |
|||
Höchste Temperatur Höchstverbindungn Temperatur |
TVjmax |
175 |
°C |
|||
CharakterWertwerte/ Eigenschaftswert |
||||||
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Min. Typ. Max. |
Einheiten |
||
集电极-Emission极 和电压 Sammler-Emittent sAnschlussspannung |
VCE-Nummern(gesetzt) |
Ich...C=75,VGE=15V |
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C |
2.24 2.51 2.56 |
2.60 |
V V V |
极 值 elektrischer Druck Grenzwerte für die SchließungSpannung |
VEG (Jahr) |
Ich...C=3mA, VCE-Nummern=VGE, TVj= 25°C |
4.5 5.9 6.5 |
V |
||
极电荷 极电荷 Tor Gebühr |
QG |
VGE=-15V... +15V |
0.47 |
uC |
||
内部 极电阻 Innentor Widerstand |
RGint |
TVj= 25°C |
10.8 |
Ohm |
||
Input-Kapazität EinspeisungsgrenzeAbhängigkeit |
CEinheit |
f=1MHz, TVj= 25°C, VCE-Nummern= 25V, VGE=0V |
5.03 |
nF |
||
Gegenseitige Übertragungskapazität RückwärtsbewegungSphärenkapazität |
CRes |
f=1MHz, TVj= 25°C, VCE-Nummern=10V, VGE=0V |
0.18 |
nF |
||
集电极-发射极截止电流 (Streichschluss) Sammler-Emittent Schnittff Strom |
Ich...CES |
VCE-Nummern=1700V, VGE=0V, TVj= 25°C |
3.00 |
mA |
||
- Ich weiß nicht.-发射极 漏电流 Tor-Emitter Leckage Strom |
Ich...GES |
VCE-Nummern=0V, VGE=20V, TVj= 25°C |
400 |
nA |
||
开通延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung) Schalten Verzögerungszeit, Induktiv Belastung |
td(auf) |
Ich...C=75A, VCE-Nummern=900 V VGE=±15V RGönn= 6,6Ω R- Ich weiß.= 6,6Ω
Induktiv Das ist Loa.d, |
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C |
174 184
188 |
n n n |
|
Aufstiegszeit( elektrische Belastung) Es ist Zeit, aufzustehen. Induktiv Belastung |
tr |
80 83
81 |
n n n |
|||
关断延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung) Abschaltung dZeit der Ausbringung, Induktiv Belastung |
td(abgeschaltet) |
319 380
401 |
n n n |
|||
- Was ist los?( elektrische Belastung) Herbstzeit, Induktiv Belastung |
tf |
310 562
596 |
n n n |
|||
开通 损耗能量(Jeder Schlag) Schalten Energie Verlust pro SchnüffelnIch weiß. |
Eauf |
24.7 27.6 28.4 |
MJ MJ |
|||
关断损耗能量 (Schnittverlust an Energie)(- Ich weiß nicht. Abschaltungsenergie Verlust pro Puls |
Eabgeschaltet |
10.9 16.1 17.5 |
MJ MJ |
|||
短路数据 SC Daten |
Ich...SC |
VGE≤ 15 V, VCC=1000V VCEmax=VCES- Ich bin ein Mann.sCE·di/dt, tp= 10 μs, TVj= 150°C |
240 |
Eine |
结-外 热阻 Thermische Widerstand, juntion Fall |
Rdie |
Für IGBT / Jeder.IGBT |
0.28 K/W |
|||
Arbeitstemperatur Temperatur undWechseln Bedingungen |
TVjop |
- 40 150 °C |
||||
Diode, Wechselrichter/ 二极管, Umkehrschalter Höchstbetrag Nennwerte/ Maximalwert |
||||||
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Wert Einheiten |
|||
Gegenseitig wiederholter Spitzenstrom Höchststand Wiederholung UmkehrspannungE |
VRRM |
TVj= 25°C |
1700 V |
|||
kontinuierlicher direkter Stromstrom Kontinuierlich DC fürAbteilungsstrom |
Ich...F |
75 Eine |
||||
Stromstrom von höchstem Volumen Höchststand wiederholter Vorwärtsstrom |
Ich...FRM |
tp=1 ms |
150 A |
|||
CharakterWertwerte/ Eigenschaftswert |
||||||
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
- Ich weiß nicht. Typ Max. Einheiten |
|||
Stromspannung Vorwärtsspannung |
VF |
Ich...F=75A |
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C |
1.59 1.72 1.71 |
2.25 |
V V V |
Gegenzug zum Rückzugspitzenstrom
Höchststand Rückwärts Rückgewinnung cVerzögerung |
Ich...RM |
Ich...F=75A - Das ist...F/dtabgeschaltet=1100A/μs VR = 900 V
VGE=-15V |
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C |
85 101
108 |
Eine Eine Eine |
|
恢复电荷 Einziehungsgebühr |
Qr |
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C |
23.5 32.9 36.2 |
uC uC uC |
||
Gegenseitige Wiederherstellungsverluste (für jeden Schlag) Rückwärts Rückgewinnung Energie (für Puls) |
ERechnen |
TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C |
11.8 17.8 19.6 |
MJ MJ MJ |
||
结-外 热阻 Thermische Widerstand, juntion Fall |
Rdie |
pro Diode/ Jeder zweite Rohr |
0.48 K/W |
|||
Arbeitstemperatur Temperatur undWechseln Bedingungen |
TVjop |
- 40 150 °C |
Modul / 模块
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
Wert |
Einheit s |
绝缘 Prüfstromdruck IsolationPrüfspannung |
VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
4.0 |
KV |
模块基板材料 Material von Modul Unterplatte |
- Was? |
|||
内部绝缘 Inneres Isolierung |
基本绝缘(Klasse 1, Ich...EG-Länder 61140) Grundsätzliche Isolierung (Klasse 1, IEC 61140) |
Das ist alles.2O3 |
||
爬电距离 SchrecklichSchlagzeug |
端子-散热片/ Terminal to Heizkessel 端子-端子/Terminal bis TerMinal |
17
20 |
mm |
|
电气间隙 Genehmigung |
端子-散热片/ Terminal to Heizkessel 端子-端子/Terminal bis TerMinal |
17 9.5 |
mm |
|
Vergleichswirkung Vergleichsverfolgung Index |
CTI |
> 200 |
Artikel |
Symbol |
Bedingungen |
- Ich weiß nicht. |
Das ist typisch. |
Max, du bist ein guter Mann. |
Einheiten |
杂散电感, 模块 (Versplitterung des elektrischen Gefühls) Stray Induktivität Modul |
LsCE |
30 |
nH |
|||
模块引脚电阻, 端子 Das ist ein Modell, das einen elektrischen Widerstand erzeugt.- Chips
Modul Blei Widerstand ,Terminals-CHüfte |
RCC+EE RAA+CC |
0.65 |
mΩ |
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Lagertemperatur
LagertemSchnittstelle |
TStg |
- 40 |
125 |
°C |
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模块安装的安装扭距 MontagevorrichtungFür die Modul Montage |
M |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
|
端子联接 Drehweite Anschluss an das Terminaln Drehmoment |
M |
M5 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
|
Gewicht
Gewicht |
G |
160 |
g |
IGBT IGBT
Ausgangsmerkmal IGBT, Inverter (typisch) Ausgangsmerkmal IGBT, Inverter (typisch)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
Bei der Prüfung der Leistungsfähigkeit ist die Leistungsfähigkeit des Geräts zu messen.
IGBT IGBT
Übertragungsmerkmal IGBT, Wechselrichter (typisch) Umschaltverluste IGBT, Wechselrichter (typisch)
IC=f ((VGE) E=f ((IC)
VCE=20V VGE=±15V, RG=6,6Ω, VCE=900V
IGBT IGBT
Schaltverluste IGBT, Inverter (typisch) Schaltverluste IGBT, Inverter (typisch)
E=f (RG) E=f ((IC)
VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V
IGBT IGBT
Schaltverluste IGBT, Wechselrichter (typisch) Übergangswärmeimpedanz IGBT, Wechselrichter
E=f (RG) ZthJC=f (t)
Bei der Verwendung von VGA-Systemen ist die Leistung von VGA-Systemen zu messen.
IGBT, RBSOA
Umgekehrter Verzerrungssicherheitsbetriebsbereich IGBT, Wechselrichter (RBSOA) Vorwärtsbewegungsmerkmal der Diode, Wechselrichter (typisch)
Ich...C=f(VCE)Ich...F=f(VF)
VGE=±15V, R- Ich weiß.= 6,6Ω, Tvj = 150°C
Schaltverluste Diode, Inverter (typisch) Schaltverluste Diode, Inverter (typisch)
Erec=f (IF) Erec=f (RG)
Bei der Verwendung von RG-Vollstrom ist die Leistung von RG-Vollstrom zu messen.
Diode mit vorübergehender thermischer Impedanz, Wechselrichter
ZthJC=f (t)
Ein "1700V IGBT" ist ein isolierter Bipolartransistor, der eine maximale Spannung von 1700 Volt verarbeiten kann.mit einer Leistung von mehr als 100 WFür eine optimale Leistung sind geeignete Kühl- und Torantriebsschaltungen unerlässlich.
Schaltkreis Diagramm Titel
Paket Umrisse