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1700V 75A H-Brücke IGBT-Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Einzelheiten zum Produkt

Modellnummer: SPS75B17G3

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75A H IGBT-Brückenmodul

,

1700V H-Brücken-IGBT-Modul

,

1700 V IGBT-Modul

1700V 75A H-Brücke IGBT-Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Solid Power-DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

 

1700 V 75A IGBT Die Hälfte Brücke Modul

1700V 75A H-Brücke IGBT-Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 0

 

Eigenschaften:

  • 1700V-Grench Gate & Field Stop Struktur
  • Hohe Kurzschlussfähigkeit
  • Niedriger Schaltverlust
  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Positiver Temperaturkoeffizient

 

 

Typisch Anwendungen:

  • Motorantriebe
  • Servoantriebe
  • Inverter und Stromversorgung
  • Photovoltaik

 

IGBT, Wechselrichter / IGBT, Umkehrschalter

Maximaler Nennwert / Maksimum额定值

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Wert

 

Einheiten

 

集电极- Ausstrahlungsstrom

Sammleremissionenr Spannung

 

VCES

 

TVj= 25°C

 

1700

 

V

 

连续集电极直流电流

Kontinuierlich DC Schleimctor-Strom

 

Ich...C Name

 

 

75

 

 

Eine

 

集电极重复峰值电流 (Zollstrom)

Höchststand WiederholenVerzögerung Sammlerstrom

 

Ich...CRM

 

tp=1 ms

 

150

 

Eine

 

Gesamtverlust an Leistung

Gesamtzahl Leistung AbwanderungDie

 

PNachweis

 

TC= 25°C,TVjmax= 175°C

 

535

 

W

 

极- Ausstrahlung 极峰值

HöchstgeschwindigkeitSpannung des E-Emitters

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

Höchste Temperatur

Höchstverbindungn Temperatur

 

TVjmax

 

 

175

 

°C

 

CharakterWertwerte/ Eigenschaftswert

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Min. Typ. Max.

 

Einheiten

 

集电极-Emission极 和电压

Sammler-Emittent sAnschlussspannung

 

VCE-Nummern(gesetzt)

 

Ich...C=75,VGE=15V

 

TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C

 

2.24

2.51 2.56

 

2.60

 

V

V

V

 

极 值 elektrischer Druck

Grenzwerte für die SchließungSpannung

 

VEG (Jahr)

 

Ich...C=3mA, VCE-Nummern=VGE, TVj= 25°C

 

4.5 5.9 6.5

 

V

 

极电荷 极电荷

Tor Gebühr

 

 

QG

 

VGE=-15V... +15V

 

0.47

 

uC

 

内部 极电阻

Innentor Widerstand

 

RGint

 

TVj= 25°C

 

10.8

 

Ohm

 

Input-Kapazität

EinspeisungsgrenzeAbhängigkeit

 

 

CEinheit

 

 

f=1MHz, TVj= 25°C, VCE-Nummern= 25V, VGE=0V

 

5.03

 

nF

 

Gegenseitige Übertragungskapazität

RückwärtsbewegungSphärenkapazität

 

CRes

 

f=1MHz, TVj= 25°C, VCE-Nummern=10V, VGE=0V

 

0.18

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (Streichschluss)

Sammler-Emittent Schnittff Strom

 

Ich...CES

 

VCE-Nummern=1700V, VGE=0V, TVj= 25°C

 

3.00

 

mA

 

- Ich weiß nicht.-发射极 漏电流

Tor-Emitter Leckage Strom

 

Ich...GES

 

VCE-Nummern=0V, VGE=20V, TVj= 25°C

 

400

 

 

nA

 

开通延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung)

Schalten Verzögerungszeit, Induktiv Belastung

 

 

td(auf)

 

 

 

 

 

 

 

Ich...C=75A, VCE-Nummern=900 V

VGE=±15V

RGönn= 6,6Ω

R- Ich weiß.= 6,6Ω

 

Induktiv Das ist Loa.d,

 

TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C TVj= 25°C TVj= 125°C TVj= 150°C

 

174

184

 

188

 

n

n

n

 

Aufstiegszeit( elektrische Belastung)

Es ist Zeit, aufzustehen. Induktiv Belastung

 

tr

 

80

83

 

81

 

n

n

n

 

关断延迟时间 Die Zeit wird verschoben.( elektrische Belastung)

Abschaltung dZeit der Ausbringung, Induktiv Belastung

 

td(abgeschaltet)

 

319

380

 

401

 

n

n

n

 

- Was ist los?( elektrische Belastung)

Herbstzeit, Induktiv Belastung

 

tf

 

310

562

 

596

 

n

n

n

 

开通 损耗能量(Jeder Schlag)

Schalten Energie Verlust pro SchnüffelnIch weiß.

 

 

Eauf

 

24.7

27.6

28.4

 

MJ

MJ

 

关断损耗能量 (Schnittverlust an Energie)(- Ich weiß nicht.

Abschaltungsenergie Verlust pro Puls

 

Eabgeschaltet

 

10.9

16.1

17.5

 

MJ

MJ

 

短路数据

SC Daten

 

Ich...SC

 

VGE≤ 15 V, VCC=1000V

VCEmax=VCES- Ich bin ein Mann.sCE·di/dt, tp= 10 μs, TVj= 150°C

 

 

240

 

Eine

 

结-外 热阻

Thermische Widerstand, juntion Fall

 

 

Rdie

 

 

Für IGBT / Jeder.IGBT

 

 

0.28 K/W

 

Arbeitstemperatur

Temperatur undWechseln Bedingungen

 

TVjop

 

 

- 40 150 °C

 

Diode, Wechselrichter/ 二极管, Umkehrschalter

Höchstbetrag Nennwerte/ Maximalwert

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Wert Einheiten

 

Gegenseitig wiederholter Spitzenstrom

Höchststand Wiederholung UmkehrspannungE

 

 

VRRM

 

 

TVj= 25°C

 

1700 V

 

kontinuierlicher direkter Stromstrom

Kontinuierlich DC fürAbteilungsstrom

 

 

Ich...F

 

 

75 Eine

 

Stromstrom von höchstem Volumen

Höchststand wiederholter Vorwärtsstrom

 

Ich...FRM

 

 

tp=1 ms

 

150 A

 

CharakterWertwerte/ Eigenschaftswert

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

- Ich weiß nicht. Typ Max. Einheiten

 

Stromspannung

Vorwärtsspannung

 

 

VF

 

Ich...F=75A

 

TVj= 25°C

TVj= 125°C

TVj= 150°C

 

1.59

1.72 1.71

 

2.25

 

V

V

V

 

Gegenzug zum Rückzugspitzenstrom

 

Höchststand Rückwärts Rückgewinnung cVerzögerung

 

Ich...RM

 

 

Ich...F=75A

- Das ist...F/dtabgeschaltet=1100A/μs

VR = 900 V

 

VGE=-15V

 

TVj= 25°C

TVj= 125°C

TVj= 150°C

 

85

101

 

108

 

Eine

Eine

Eine

 

恢复电荷

Einziehungsgebühr

 

Qr

 

TVj= 25°C

TVj= 125°C

TVj= 150°C

 

23.5

32.9 36.2

 

uC

uC

uC

 

Gegenseitige Wiederherstellungsverluste (für jeden Schlag)

Rückwärts Rückgewinnung Energie (für Puls)

 

ERechnen

 

TVj= 25°C

TVj= 125°C

TVj= 150°C

 

11.8

17.8 19.6

 

MJ

MJ

MJ

 

结-外 热阻

Thermische Widerstand, juntion Fall

 

Rdie

 

pro Diode/ Jeder zweite Rohr

 

0.48 K/W

 

Arbeitstemperatur

Temperatur undWechseln Bedingungen

 

 

TVjop

 

 

 

- 40 150 °C

 

 

Modul / 模块

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

Wert

 

Einheit

s

 

绝缘 Prüfstromdruck

IsolationPrüfspannung

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

4.0

 

 

KV

 

模块基板材料

Material von Modul Unterplatte

   

 

- Was?

 

 

内部绝缘

Inneres Isolierung

 

 

基本绝缘(Klasse 1, Ich...EG-Länder 61140)

Grundsätzliche Isolierung (Klasse 1, IEC 61140)

 

Das ist alles.2O3

 

 

爬电距离

SchrecklichSchlagzeug

 

 

端子-散热片/ Terminal to Heizkessel

端子-端子/Terminal bis TerMinal

 

17

 

20

 

 

mm

 

电气间隙

Genehmigung

 

 

端子-散热片/ Terminal to Heizkessel

端子-端子/Terminal bis TerMinal

 

17

9.5

 

 

mm

 

Vergleichswirkung

Vergleichsverfolgung Index

 

CTI

 

 

> 200

 

 

 

Artikel

 

Symbol

 

Bedingungen

 

- Ich weiß nicht.

 

Das ist typisch.

 

Max, du bist ein guter Mann.

 

Einheiten

 

杂散电感, 模块 (Versplitterung des elektrischen Gefühls)

Stray Induktivität Modul

 

LsCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子 Das ist ein Modell, das einen elektrischen Widerstand erzeugt.- Chips

 

Modul Blei Widerstand ,Terminals-CHüfte

 

RCC+EE

RAA+CC

   

 

 

0.65

 

 

 

 

Lagertemperatur

 

LagertemSchnittstelle

 

TStg

 

 

- 40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

MontagevorrichtungFür die Modul Montage

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子联接 Drehweite

Anschluss an das Terminaln Drehmoment

 

M

 

M5

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Gewicht

 

Gewicht

 

G

   

 

160

 

 

g

 

 

IGBT IGBT

Ausgangsmerkmal IGBT, Inverter (typisch) Ausgangsmerkmal IGBT, Inverter (typisch)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

Bei der Prüfung der Leistungsfähigkeit ist die Leistungsfähigkeit des Geräts zu messen.

 

1700V 75A H-Brücke IGBT-Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 1

                                                                                        

                                                                                               

IGBT IGBT

Übertragungsmerkmal IGBT, Wechselrichter (typisch) Umschaltverluste IGBT, Wechselrichter (typisch)

IC=f ((VGE) E=f ((IC)

VCE=20V VGE=±15V, RG=6,6Ω, VCE=900V

 

1700V 75A H-Brücke IGBT-Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 2

 

 

IGBT IGBT

Schaltverluste IGBT, Inverter (typisch) Schaltverluste IGBT, Inverter (typisch)

E=f (RG) E=f ((IC)

VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V

 

1700V 75A H-Brücke IGBT-Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 3

 

IGBT IGBT

Schaltverluste IGBT, Wechselrichter (typisch) Übergangswärmeimpedanz IGBT, Wechselrichter

E=f (RG) ZthJC=f (t)

Bei der Verwendung von VGA-Systemen ist die Leistung von VGA-Systemen zu messen.

 

1700V 75A H-Brücke IGBT-Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 4

 

IGBT, RBSOA

Umgekehrter Verzerrungssicherheitsbetriebsbereich IGBT, Wechselrichter (RBSOA) Vorwärtsbewegungsmerkmal der Diode, Wechselrichter (typisch)

Ich...C=f(VCE)Ich...F=f(VF)

VGE=±15V, R- Ich weiß.= 6,6Ω, Tvj = 150°C

1700V 75A H-Brücke IGBT-Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 5

 

 

 

Schaltverluste Diode, Inverter (typisch) Schaltverluste Diode, Inverter (typisch)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

Bei der Verwendung von RG-Vollstrom ist die Leistung von RG-Vollstrom zu messen.

 

1700V 75A H-Brücke IGBT-Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 6

 

 

Diode mit vorübergehender thermischer Impedanz, Wechselrichter

ZthJC=f (t)

1700V 75A H-Brücke IGBT-Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 7

 

 

Ein "1700V IGBT" ist ein isolierter Bipolartransistor, der eine maximale Spannung von 1700 Volt verarbeiten kann.mit einer Leistung von mehr als 100 WFür eine optimale Leistung sind geeignete Kühl- und Torantriebsschaltungen unerlässlich.

 

 

1700V 75A H-Brücke IGBT-Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 8

Schaltkreis Diagramm Titel 

 

1700V 75A H-Brücke IGBT-Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 9

 

 

 

 

 

Paket Umrisse 

 

1700V 75A H-Brücke IGBT-Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 10