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1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

Name: 1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM
Brand: 1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM
SKU: SPS40MA12E4S
Rating: 5 (108 reviews)

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Modellnummer: SPS40MA12E4S

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                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                1200 V Hybrid-SiC-Diskrete, 1200 V Sic Mosfet, OEM-Hybrid-SiC-Diskrete
                              

Körperdioden Spannungsrückgang:	1,5V	Aktuelles Rating:	20A
Tor-Gebühr:	20nC	Tor-Schwellen-Spannung:	4V
Isolationsspannung:	2500V	Maximale Grenzschichttemperatur:	175°C
Durchlasswiderstand:	0.1Ω	Ausgangskapazität:	50pF
Art der Packung:	TO-247	Rückgenesungszeit:	20ns
Kurzschluss-Widerstands-Zeit:	10 μs	Schaltfrequenz:	100 kHz
Temperaturbereich:	-55°C zu +175°C	Nennspannung:	1200 V

Körperdioden Spannungsrückgang:	1,5V
Aktuelles Rating:	20A
Tor-Gebühr:	20nC
Tor-Schwellen-Spannung:	4V
Isolationsspannung:	2500V
Maximale Grenzschichttemperatur:	175°C
Durchlasswiderstand:	0.1Ω
Ausgangskapazität:	50pF
Art der Packung:	TO-247
Rückgenesungszeit:	20ns
Kurzschluss-Widerstands-Zeit:	10 μs
Schaltfrequenz:	100 kHz
Temperaturbereich:	-55°C zu +175°C
Nennspannung:	1200 V

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

Die Ausrüstung wird von der Maschine ausgestoßen.0

1200 V 40mΩ SiC MOSFET

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 0

Eigenschaften:

□ Hohe Sperrspannung mit geringem Einschaltwiderstand

□ Hochgeschwindigkeitsschalter mit geringer Kapazität

□ Schnelle intrinsische Diode mit geringer Rückgewinnung (Qrr)

Typisch Anwendungen:

□ Photovoltaik-Inverter

□ Ladestellen

□ Energiespeichersysteme

□ Energieversorgung für die Industrie

□ Industriemotoren

Höchstbetrag Ratings @Tc=25°C (es sei denn Ansonsten spezifiziert)

Artikel	Symbol	Bedingungen	Werte	Einheit
Abflussspannung	VDSmax	VGS=0V, ID=100μA	1200	V
Schaltquelle-Spannung	VGSop	Statik	-5/+20	V
Höchstspannung der Torquelle	VGSmax	Statik	-8/+22	V
Kontinuierlicher Abfluss	Identifizierung	VGS=20V, Tc=25°C	75	Eine
Kontinuierlicher Abfluss	Identifizierung	VGS=20V, Tc=100°C	53
Impulsiver Abfluss	Identifizierung (Puls)	Pulssbreite tp begrenzt durch Tjmax	120	Eine
Machtverlust	PD-Krankheit	TC=25°C, Tj=175°C	366	W
Betriebsverbindungsbereich	Tj		-55 bis +175	°C
Speichertemperaturbereich	Tstg		-55 bis +175	°C

Elektrotechnik Eigenschaften @Tc=25°C (es sei denn Ansonsten spezifiziert)

Artikel	Symbol	Bedingungen	Min.	Werte Das ist ein Typ.	Maximal.	Einheit
Ausfallspannung der Abflussquelle	V(BR) DSS	VGS=0V, ID=100μA	1200	-	-	V
Torschwellenspannung	VGS (th)	VDS=VGS, ID=10mA	2.0	2.8	3.5	V
Torschwellenspannung	VGS (th)	VDS=VGS, ID=10mA, Tj=175°C	-	1.9	-	V
Null-Gate Spannung Abflussstrom	IDSS	VDS = 1200V, VGS = 0V	-	1	100	μA
Leckagestrom der Torquelle	IGSS	VGS=20V, VDS=0V	-	10	100	nA
Abflussquellen-Widerstand	RDS (an)	VGS=20V, ID=35A	-	40	60	mΩ
		VGS=20V, ID=35A, Tj=175°C	-	64	-
		VGS=18V, ID=35A	-	43	70
		VGS=18V, ID=35A, Tj=175°C	-	67	-
Transleitfähigkeit	GFS	VDS=20V, IDS=35A	-	20	-	S
Transleitfähigkeit	GFS	VDS=20V, IDS=35A, Tj=175°C	-	18	-	S
Schaltenergie (Body Diode FWD)	Eon	VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=35A,	-	635	-
		VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=35A,
Schaltenergie (FWD)	Eoff	Bei der Verwendung von RW-Wärme ist die Wärmeintensität von RW-Wärme zu messen.	-	201	-	μJ
Zeit für die Verzögerung des Einsatzes	(Durchgängig gemacht)		-	9	-
Aufstiegszeit	Tr	VDD=800V,	-	30	-
Aufstiegszeit	Tr	VGS=-5V/20V, ID=35A,	-	30	-	n
Verzögerungszeit für das Ausschalten	Td (ausgeschaltet)	VGS=-5V/20V, ID=35A,	-	31	-	n
Verzögerungszeit für das Ausschalten	Td (ausgeschaltet)	RG ((ext) = 2,5Ω, L=200μH	-	31	-
Herbstzeit	Tf		-	12	-
Tor-zu-Quell-Ladung	Qgs	Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.	-	40	-
Schnitt zur Entwässerung	Qgd		-	60	-	nC
Gesamte Torgebühr	Qg		-	163	-
Eingangskapazität	Ciss	Bei der Prüfung der Leistung müssen die folgenden Bedingungen erfüllt sein: f=1MHz VAC=25mV	-	2534	-	pF
Leistungskapazität	Coss		-	110	-
Umgekehrte Übertragungskapazität	Css		-	26	-
COSS gespeicherte Energie	Eoss		-	70	-	μJ
Widerstand des inneren Tores	RG ((int)	f=1MHz, VAC=25mV	-	1.6	-	Ohm

Rückwärts Diode Eigenschaften @Tc=25°C (es sei denn Ansonsten spezifiziert)

Artikel	Symbol	Bedingungen	Min.	Werte Das ist ein Typ.	Maximal.	Einheit
Vorwärtsspannung der Diode	VSD	VGS=-5V, ISD=20A	-	4.9	7	V
Vorwärtsspannung der Diode	VSD	VGS=-5V, ISD=20A, Tj=175°C	-	4.1	-	V
Dauerdiodenvorwärtsstrom	IS ist	VGS=-5V	-	75	-	Eine
Umgekehrte Wiederherstellungszeit	Trr	VGS=-5V,	-	32	-	n
Umgekehrte Wiedereinziehungsgebühr	Qrr	ISD=35A,	-	769	-	nC
Spitzen-Umkehrstrom	- Ich weiß.	VR=800V, di/dt=3000A/μs	-	39	-	Eine

Rückwärts Diode Eigenschaften @Tc=25°C (es sei denn Ansonsten spezifiziert)

Artikel	Symbol	Bedingungen	Min.	Werte Das ist ein Typ.	Maximal.	Einheit
Wärmewiderstand von der Verbindung zum Gehäuse	RθJC		-	0.41	-	°C/W

Typisch Leistung

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 3

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 4

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 5

Typisch Leistung

Typisch Leistung

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1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 13

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 14

Typisch Leistung

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 15

Dies ist ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET) aus Siliziumkarbid (SiC) mit einer Nennspannung von 1200 V und einem On-State-Widerstand (RDS(on)) von 40 Milliohm (40mΩ).SiC-MOSFETs sind bekannt für ihre hohe Spannungsfähigkeit und ihren geringen Betriebswiderstand, so dass sie für effiziente Leistungselektronik wie Hochfrequenzwandler und Elektrofahrzeuge geeignet sind.Der 40mΩ-Einstellungswiderstand zeigt relativ geringe Leistungsverluste während der Leitung an, was zu einer verbesserten Effizienz bei Hochleistungsanwendungen beiträgt.

Paket Umriss: Die Angaben sind in Anhang I zu entnehmen.

Tags:

IGBT-Module 34 mm

IGBT-Module 62 mm

IGBT-Module EconoDual3

IGBT-Module EasyPIM

IGBT-Module EconoPack

IGBT-Module EconoPIM

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Hybride SiC-Diskrete

Mosfet getrennt

IGBT Diskret

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

1200 V Hybrid-SiC-Diskrete

1200 V Sic Mosfet

OEM-Hybrid-SiC-Diskrete

Die Ausrüstung wird von der Maschine ausgestoßen.0

1200 V 40mΩ SiC MOSFET

Elektrotechnik Eigenschaften @Tc=25°C (es sei denn Ansonsten spezifiziert)

Typisch Leistung

Typisch Leistung

Typisch Leistung

Sic Power Mosfet,

Automobil Sic Mosfet,

Hochspannungs-Sic Mosfet

1200V 12mΩ Sic Leistung Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S angepasst

Automobil-Hochspannungs-Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM

IGBT-Module 34 mm

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