produits

Zu Hause > produits > Hybride SiC-Diskrete > 1200V 12mΩ Sic Leistung Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S angepasst

Kategorie

Module für die Automobilindustrie

(1)

IGBT Diskret

(2)

Kontaktpersonen

Kontaktpersonen: Mr. Zhou

Tel.: 86-1360-528-8329

Kontaktieren Sie uns jetzt

Verschicken Sie uns

1200V 12mΩ Sic Leistung Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S angepasst

Name: 1200V 12mΩ Sic Leistung Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S angepasst
Brand: 1200V 12mΩ Sic Leistung Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S angepasst
SKU: SPS12MA12E4S
Rating: 4.5 (117 reviews)

Einzelheiten zum Produkt

Modellnummer: SPS12MA12E4S

Zahlungs- und Versandbedingungen

Beste Preis erhalten

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung des Produkts

Hervorheben: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                1200 V Sic Leistung Mosfet, 1200 V SiC-Diskrete, Anpassungs-Sic Power Mosfet
                              

Aktuelles Rating:	40A	Tor-Gebühr:	120nC
Tor-Schwellen-Spannung:	4V	Isolationsspannung:	2500V
Bleifrei:	- Ja, das ist es.	Montageart:	Durchs Loch
Durchlasswiderstand:	0.015Ω	Art der Packung:	TO-247
Rückgenesungszeit:	25ns	Rohs-konform:	- Ja, das ist es.
Kurzschluss-Widerstands-Zeit:	10 μs	Schaltfrequenz:	100 kHz
Temperaturbereich:	-40°C bis 175°C	Nennspannung:	1200 V

Aktuelles Rating:	40A
Tor-Gebühr:	120nC
Tor-Schwellen-Spannung:	4V
Isolationsspannung:	2500V
Bleifrei:	- Ja, das ist es.
Montageart:	Durchs Loch
Durchlasswiderstand:	0.015Ω
Art der Packung:	TO-247
Rückgenesungszeit:	25ns
Rohs-konform:	- Ja, das ist es.
Kurzschluss-Widerstands-Zeit:	10 μs
Schaltfrequenz:	100 kHz
Temperaturbereich:	-40°C bis 175°C
Nennspannung:	1200 V

1200V 12mΩ Sic Leistung Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S angepasst

Die Leistung von Solid Power-DS-SPS12MA12E4S

1200 V 12mΩ SiC MOSFET

1200V 12mΩ Sic Leistung Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S angepasst 0

Eigenschaften:

□ Hohe Sperrspannung mit geringem Einschaltwiderstand

□ Hochgeschwindigkeitsschalter mit geringer Kapazität

□ Schnelle intrinsische Diode mit geringer Rückgewinnung (Qrr)

Typisch Anwendungen:

□ Photovoltaik-Inverter

□ Ladestellen

□ Energiespeichersysteme

□ Energieversorgung für die Industrie

□ Industriemotoren

Höchstbetrag Ratings @Tc=25°C (es sei denn Ansonsten spezifiziert)

Artikel	Symbol	Bedingungen	Werte	Einheit
Abflussspannung	VDSmax	VGS=0V, ID=100μA	1200	V
Schaltquelle-Spannung	VGSop	Statik	-5/+20	V
Höchstspannung der Torquelle	VGSmax	Statik	-8/+22	V
Kontinuierlicher Abfluss	Identifizierung	VGS=20V, Tc=25°C	214	Eine
Kontinuierlicher Abfluss	Identifizierung	VGS=20V, Tc=100°C	151	Eine
Impulsiver Abfluss	Identifizierung (Puls)	Pulssbreite tp begrenzt durch Tjmax	400	Eine
Machtverlust	PD-Krankheit	TC=25°C, Tj=175°C	938	W
Betriebsverbindungsbereich	Tj		-55 bis +175	°C
Speichertemperaturbereich	Tstg		-55 bis +175	°C

Elektrotechnik Eigenschaften @Tc=25°C (es sei denn Ansonsten spezifiziert)

Artikel	Symbol	Bedingungen	Werte Min. Das ist ein Typ. Maximal.			Einheit
Ausfallspannung der Abflussquelle	V(BR) DSS	VGS=0V, ID=100μA	1200	-	-	V
Torschwellenspannung	VGS (th)	VDS=VGS, ID=40mA	2.0	2.7	3.5	V
Torschwellenspannung	VGS (th)	VDS=VGS, ID=40mA, Tj=175°C	-	1.9	-	V
Null-Gate Spannung Abflussstrom	IDSS	VDS = 1200V, VGS = 0V	-	2	100	μA
Leckagestrom der Torquelle	IGSS	VGS=20V, VDS=0V	-	10	100	nA
Abflussquellen-Widerstand	RDS (an)	VGS=20V, ID=100A	-	12	20	mΩ
		VGS=20V, ID=100A, Tj=175°C	-	20	-
		VGS=18V, ID=100A	-	13	25
		VGS=18V, ID=100A, Tj=175°C	-	21	-
Transleitfähigkeit	GFS	VDS=20V, IDS=100A	-	60	-	S
Transleitfähigkeit	GFS	VDS=20V, IDS=100A, Tj=175°C	-	52	-	S
Schaltenergie (Body Diode FWD)	Eon	VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A, RG(ext)=5Ω, L=100μH, Tj=25°C FWD=SPS12MA12E4S	-	5.2	-	MJ
Schaltenergie (FWD)	Eoff		-	3.7	-	MJ
Zeit für die Verzögerung des Einsatzes	(Durchgängig gemacht)	VDD=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A,RG(ext)=5Ω, L=100μH	-	24	-	n
Aufstiegszeit	Tr		-	149	-
Verzögerungszeit für das Ausschalten	Td (ausgeschaltet)		-	145	-
Herbstzeit	Tf		-	49	-
Tor-zu-Quell-Ladung	Qgs	Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu überwachen.	-	215	-	nC
Schnitt zur Entwässerung	Qgd		-	179	-
Gesamte Torgebühr	Qg		-	577	-
Eingangskapazität	Ciss	Bei der Prüfung der Leistung müssen die folgenden Bedingungen erfüllt sein: f=1MHz VAC=25mV	-	8330	-	pF
Leistungskapazität	Coss		-	343	-
Umgekehrte Übertragungskapazität	Css		-	57	-
COSS gespeicherte Energie	Eoss		-	217	-	μJ
Widerstand des inneren Tores	RG ((int)	f=1MHz, VAC=25mV	-	0.8	-	Ohm

Rückwärts Diode Eigenschaften @Tc=25°C (es sei denn Ansonsten spezifiziert)

Artikel Symbol		Bedingungen	Werte Einheit Min. Das ist ein Typ. Maximal.
Vorwärtsspannung der Diode	VSD	VGS=-5V, ISD=50A	-	4.7	7	V
Vorwärtsspannung der Diode	VSD	VGS=-5V, ISD=50A, Tj=175°C	-	3.8	-	V
Dauerdiodenvorwärtsstrom	IS ist	VGS=-5V	-	214	-	Eine
Umgekehrte Wiederherstellungszeit	Trr	VGS=-5V,	-	46	-	n
Umgekehrte Wiedereinziehungsgebühr	Qrr	ISD=100A,	-	1	-	nC
Spitzen-Umkehrstrom	- Ich weiß.	VR=800V, di/dt=1597A/μs	-	37	-	Eine

Rückwärts Diode Eigenschaften @Tc=25°C (es sei denn Ansonsten spezifiziert)

Artikel Symbol		Bedingungen	Werte Einheit
Wärmewiderstand von der Verbindung zum Gehäuse	RθJC		-	0.16	-	°C/W
Wärmewiderstand von der Verbindung zum Umgebungsraum	RθJA		-	32	-	°C/W

Typische Leistung

1200V 12mΩ Sic Leistung Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S angepasst 4

1200V 12mΩ Sic Leistung Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S angepasst 5

1200V 12mΩ Sic Leistung Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S angepasst 6

Typische Leistung

Typische Leistung

Dies ist ein 1200V Siliziumkarbid (SiC) MOSFET mit einem On-State-Widerstand von 12 milliohm (12mΩ).die sie für effiziente Leistungselektronik wie Hochfrequenzwandler und Elektrofahrzeuge geeignet machen.

Paket Umriss: - Ich bin nicht derjenige.4L

1200V 12mΩ Sic Leistung Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S angepasst 18

1200V 12mΩ Sic Leistung Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S angepasst 19

Tags:

IGBT-Module 34 mm

IGBT-Module 62 mm

IGBT-Module EconoDual3

IGBT-Module EasyPIM

IGBT-Module EconoPack

IGBT-Module EconoPIM

Module für die Automobilindustrie

Hybride SiC-Diskrete

Mosfet getrennt

IGBT Diskret

1200V 12mΩ Sic Leistung Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S angepasst

1200 V Sic Leistung Mosfet

1200 V SiC-Diskrete

Anpassungs-Sic Power Mosfet

Sic Power Mosfet,

Automobil Sic Mosfet,

Hochspannungs-Sic Mosfet