Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.0.

1200 V 75 mΩ SiC MOSFET

Eigenschaften:

□ Hohe Sperrspannung mit geringem Einschaltwiderstand

□ Hochgeschwindigkeitsschalter mit geringer Kapazität

□ Schnelle intrinsische Diode mit geringer Rückgewinnung (Qrr)

Typisch Anwendungen:

□ Photovoltaik-Inverter

□ Ladestellen

□ Energiespeichersysteme

□ Energieversorgung für die Industrie

□ Industriemotoren

Höchstbetrag Ratings @Tc=25°C (es sei denn Ansonsten spezifiziert)

Elektrotechnik Eigenschaften @Tc=25°C (es sei denn Ansonsten spezifiziert)

Rückwärts Diode Eigenschaften @Tc=25°C (es sei denn Ansonsten spezifiziert)

Rückwärts Diode Eigenschaften @Tc=25°C (es sei denn Ansonsten spezifiziert)

Typisch Leistung

Typisch Leistung

Typisch Leistung

Typisch Leistung

Typisch Leistung

Dies ist ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET) aus Siliziumcarbid (SiC) mit einer Nennspannung von 1200 V und einem On-State-Widerstand (RDS(on)) von 75 Milliohm (75mΩ).SiC-MOSFETs sind bekannt für ihre hohe Spannungsfähigkeit und ihren geringen Betriebswiderstand, so dass sie für effiziente Leistungselektronik wie Hochfrequenzwandler und Elektrofahrzeuge geeignet sind.Der 75mΩ Betriebswiderstand zeigt relativ geringe Leistungsverluste während der Leitung an, was zu einer verbesserten Effizienz bei Hochleistungsanwendungen beiträgt.