Hervorheben:
Niedrige Schaltverluste Infineon Diskrete IGBT
, IGBT-Transistormodul OEM
, Niedrige Schaltverluste IGBT-Transistormodul
Kapazität des Sammler-Emitters: |
170 pF |
Konfiguration: |
Einzigartig |
Stromkollektor kontinuierlich: |
50 A |
Stromkollektor pulsiert: |
200 A |
Tor-Gebühr: |
80 n.C. |
Montageart: |
Durchs Loch |
Betriebstemperaturbereich: |
-55 bis 150 Grad Celsius |
Art der Packung: |
TO-247 |
Paket/Fall: |
TO-247-3 |
Rückgenesungszeit: |
50 ns |
Transistor-Polarität: |
N-Kanal |
Spannungssammler-Emitterausfall Max.: |
1200 V |
Spannungssammler Emitter Sättigung Max.: |
2,2 V |
Spannungsschwelle für die Spannungssperre: |
5 V |
Produktbezeichnung: |
Transistoren und Transistoren, mit einer Leistung von mehr als 50 W |
Niedrige Schaltverluste Infineon Diskret IGBT Transistor Modul OEM
Dies ist der Fall, wenn die Verbrennungsmenge der Verbrennungsmenge nicht überschritten wird.0
1200 V 40A IGBT Diskret
1200 V 40 A IGBT
Allgemeine Beschreibung
SOLIDPOWER IGBT Discrete bietet geringe Schaltverluste sowie eine hohe RBSOA-Fähigkeit.Solarstring-Wechselrichter mit drei Ebenen, Schweißen usw.
Eigenschaften:
▪ 1200V-Technologie für die Trennfeldstoppe
▪ SiC-SBD-Freiwheelerdioden
▪ Wenige Verluste beim Wechseln
▪ Niedrige Gebühren
Typisch Anwendungen:
▪ Industrie-UPS
▪ Ladegerät
▪ Energiespeicher
▪ Wechselrichter
▪ Schweißen
IGBT IGBT
Ausgangsmerkmal IGBT Ausgangsmerkmal IGBT
IC=f ((VCE),Tvj=25°C IC=f ((VCE), Tvj=175°C
FRD IGBT
Ausgangscharakteristik FRD Sammler-Emitter-Sättigungsspannung IGBT
Wenn die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die W
FRD IGBT
Sättigungsspannung des Kollektors-Emitters FRD Tor-Emitter-Schwellenspannung IGBT
VF=f (Tj) VGE(th) =f (Tj)
FRD IGBT
Ausgangscharakteristik FRD Kollektor Strom IGBT
Wenn die Werte für die Werte für die Werte für die Werte für die
VGE≥15V,Tvj≤175°C
Eigenschaften der Torladung Eigenschaften der Kapazität
VGE ((th) =f (Qg) VCE=25V, VGE=0V, f=1MHZ
VGE = 15V, IC = 40A
IGBT IGBT
Schaltzeit IGBT Schaltzeit IGBT
Für die Verwendung von Zellstoff ist eine Zellstoffverbindung zu verwenden, bei der die Zellstoffverbindung in der Zellstoffverbindung verringert wird.
IGBT IGBT
Schaltzeit IGBT Schaltzeit IGBT
Für die Anwendung der in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 genannten Verfahren gelten folgende Vorschriften:
VGE=15V, VCE=600V, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, IC=40A
IGBT IGBT
Schaltzeit IGBT Schaltverluste IGBT
Für den Fall, dass die Angabe nicht erfüllt ist, wird die Angabe in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 geändert.
VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT IGBT
Schaltverluste IGBT Schaltverluste IGBT
E=f (IC) E=f (IC)
VGE = 15V, VCE = 600V, RG = 12Ω, Tvj = 25°C VGE = 15V, VCE = 600V, RG = 12Ω, Tvj = 175°C
IGBT IGBT
Schaltverluste IGBT Schaltverluste IGBT
E=f (RG) E=f (RG)
VGE = 15V, VCE = 600V, IC = 40A, Tvj = 25°C VGE = 15V, VCE = 600V, IC = 40A, Tvj = 175°C
IGBT IGBT
Schaltverluste IGBT Schaltverluste IGBT
E=f (VCE), Tvj=25°C E=f (VCE), Tvj=175°C
VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT
Vorwärtsverzerrung SOA Übergangswärmeimpedanz IGBT
TC=25°C, VGE=15V, Tvj≤175°C ZthJA=f (t)
Dies ist ein diskreter Isolierter Gate Bipolar Transistor (IGBT) mit einer Nennspannung von 1200V und einer Nennstrom von 40A.IGBTs werden häufig in Leistungselektronik-Anwendungen zum Schalten von Hochspannungen und Strömen verwendetDie Spezifikationen deuten darauf hin, daß dieses spezielle IGBT eine maximale Spannung von 1200 V und einen maximalen Strom von 40 A verarbeiten kann.Für die Gewährleistung der Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit der IGBT sind geeignete Antriebsschaltkreise und Wärmeabsorptionsüberlegungen wichtig..
Schaltkreis Diagramm Titel
Paket Umrisse
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