Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.0

1500V 3A N-Kanal-MOS Diskret

1500 V 3A MOSFET 

Eigenschaften:

• Schnell wechseln
• Niedriger Widerstand
• Niedrige Torladung Minimieren Schaltverlust
• Diode zur schnellen Wiederherstellung

Typisch Anwendungen:

• Adapter
• Ladegerät
• SMPS Standby-Leistung

Normalisierte Entwässerungsquelle auf Widerstand

RDSon (P.U.) = f (Tvj) RDSon (f (Tvj) = f (Tvj) Tvj = 25°C

Dies ist der Fall, wenn die Leistung von einem Stromversorgungsnetz nicht überschritten wird.

MOSFET

Vorwärtscharakteristik des MOSFET-Dioden-Gate-Ladekarakteristik

Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 515/2014 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 515/2014 zu entnehmen.

Bei der Prüfung der Leistungsfähigkeit ist die Leistungsfähigkeit des Geräts zu berücksichtigen.

MOSFET

Kapazitätsmerkmal MOSFET Maximale Leistungsauslösung

C=f(VDS) PD=f(TC

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz

Maximaler Abflussstrom vorwärts gerichteter sicherer Betriebsbereich (FBSOA)

ID=f(TC)

MOSFET

MOSFET mit vorübergehender thermischer Impedanz

ZthJC=f (t)

Dies ist ein diskreter N-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET) mit einer Nennspannung von 1500V und einer Nennstrom von 3A.N-Kanal-MOSFETs sind in verschiedenen elektronischen Anwendungen häufig verwendete HalbleitergeräteDie 1500V gibt die maximale Spannung an, die das Gerät verarbeiten kann, während die 3A den maximalen Strom darstellt, den es aufnehmen kann.Bei spezifischen Anwendungen, sollte eine ordnungsgemäße Antriebsschaltung und Wärmeableitung berücksichtigt werden, um die Zuverlässigkeit und Leistung des MOSFET zu gewährleisten.