1200V 150A IGBT-PIM-Modul-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0

IGBT, Wandler / IGBT,逆变器

Maximal Nennwerte/ 最大额定值

Artikel

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheiten

集电极－发射极电压

Kollektor-EmitterStromspannung

VCES

Tvj=25°C

1200

V

连续集电极直流电流

Kontinuierlich Gleichstrom Kollegector strom

ICHC

TC=100°C

150

A

集电极重复峰值电流

Gipfel wiederholenitiv Kollektorstrom

ICHCRM

TP=1ms

300

A

栅极－发射极峰值电压

Maximales TorE-Emitter-Spannung

VGES

±20

V

总功率损耗

Gesamt Leistung dissipation

PKnirps

TC=25°C, TvJ=175°C

887

W

Charakteristische Werte/ 特征值

Artikel

Symbol

Bedingungen

Mindest. Typ.Max.

Einheiten

集电极－发射极饱和电压

Kollektor-Emitter-Sättigungauf Spannung

VCE(saß)

ICHC=150A,VGE=15V

Tvj=25°C Tvj=125°C

1,65

1,85

1,90

V

栅极阈值电压

TorschwelleStromspannung

VGE(th)

ICHC=6mA, VCE=VGE,Tvj=25°C

5.6 6.37.0

V

内部栅极电阻

Internes Tor Widerstand

RGint

Tvj=25°C

2.5

Ω

输入电容

EingabeobergrenzeAktivität

Cies

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V

10.6

nF

反向传输电容

RückübersetzungSfer-Kapazität

Cres

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V

0,54

nF

集电极-发射极截止电流

Kollektor-Emitter Cut-off caktuell

ICHCES

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj=25°C

1,00

mA

栅极-发射极漏电流

Gate-Emitter Leckage aktuell

ICHGES

VCE=0V, VGE=20V, Tvj=25°C

500

n / A

开通延迟时间(电感负载)

Anmachen Verzögerungszeit, induktiv Belastung

TD( An)

Tvj=25°C

Tvj=125°C

72

80

ns

上升时间(电感负载)

Aufstiegszeit, induktiv Belastung

TR

Tvj=25°C

Tvj=125°C

74

78

ns

关断延迟时间(电感负载)

Ausschalten dVerzögerungszeit, induktiv Belastung

TD(aus)

ICHC=150A, VCE=600V

VGE=-15V…+15V

RGon=5,1 Ω

RGoff=5,1 Ω

Induktiv SieheAnzeige

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=25°C

Tvj=125°C

413

480

ns

下降时间(电感负载)

Abfallzeit, induktiv Belastung

TF

56

60

ns

开通损耗能量(每脉冲)

Anmachen Energie Verlust pro pulse

EAn

17.2

24.8

mJ

关断损耗能量(每脉冲)

Energie abschalten Verlust pro Impuls

Eaus

Tvj=25°C

Tvj=125°C

12.4

18.6

mJ

短路数据

SC Daten

ICHSC

VGE=-15V…+15, VCC=600V

VCEmax=VCES-LsCE·di/dt, tP=10µs, Tvj=25°C

650

A

结－外壳热阻

Thermal Widerstand, juFunktion zu Fall

RthJC

Pro IGBT / Nein IGBT

0,169

K/W

工作温度

Temperatur undähm wechselt Bedingungen

Tvjop

-40 150

°C

Diode, Wechselrichter/ 二极管,逆变器

Maximal Nennwerte/最大额定值

Artikel

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheiten

反向重复峰值电压

Gipfel repetitiv Rückwärtsspannunge

VRRM

Tvj=25°C

1200

V

连续正向直流电流

Kontinuierlich Gleichstrom fürStationsstrom

ICHF

150

A

正向重复峰值电流

Gipfel sich wiederholender Vorwärtsstrom

ICHFRM

TP=1ms

300

A

Charakteristische Werte/ 特征值

Artikel

Symbol

Bedingungen

Mindest. Typ.Max.

Einheiten

正向电压

Vorwärtsspannung

VF

ICHF=150A

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

1,85

1,80 1,80

2,00

V

反向恢复峰值电流

Gipfel umkehren Erholung Caktuell

ICHrm

ICHF=150A

Tvj=25°C

Tvj=125°C

65

80

A

反向恢复电荷

Umkehren Erholung CHarge

Qrr

-diF/dtaus=1600A/µs VR = 600 V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

12.4

24.5

µC

反向恢复损耗(每脉冲)

Umkehren Erholung Energie (pro Impuls)

Eempf

VGE=-15V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

3.6

7.3

mJ

结－外壳热阻

Thermal Widerstand, juFunktion zu Fall

RthJC

Pro Diode/ 每个二极管

0,30

K/W

工作温度

Temperatur undähm wechselt Bedingungen

Tvjop

-40 150

°C

IGBT, Bremschopper/ IGBT,刹车

Maximal Nennwerte/ 最大额定值

Artikel

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheiten

集电极－发射极电压

Kollektor-EmitterStromspannung

VCES

Tvj=25°C, ICHC=1mA, VGE=0V

1200

V

连续集电极直流电流

Kontinuierlich Gleichstrom Kollegector strom

ICHC

TC=100°C, TvJ=175°C

100

A

集电极重复峰值电流

Gipfel wiederholenitiv Kollektorstrom

ICHCRM

TP=1ms

200

A

栅极－发射极峰值电压

Maximales TorE-Emitter-Spannung

VGES

±20

V

总功率损耗

Gesamt Leistung dissipation

PKnirps

TC=25°C, Tvj=175°C

652

W

Charakteristische Werte/ 特征值

Artikel

Symbol

Bedingungen

Mindest. Typ. Max.

Einheiten

集电极－发射极饱和电压

Kollektor-Emitter-Sättigungauf Spannung

VCE(saß)

ICHC=100A,VGE=15V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

1,65

1,95 2.05

2,00

V

栅极阈值电压

TorschwelleStromspannung

VGE(th)

ICHC=3,3mA, VCE=10V, Tvj=25°C

5,0 5.7 6.5

V

栅极电荷

Tor Aufladung

QG

VGE=-15V…+15V

0,90

µC

输入电容

EingabeobergrenzeAktivität

Cies

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V

6,80

nF

反向传输电容

RückübersetzungSfer-Kapazität

Cres

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V

0,30

nF

集电极-发射极截止电流

Kollektor-Emitter Cut-off caktuell

ICHCES

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj=25°C

1,00

mA

栅极-发射极漏电流

Gate-Emitter Leckage aktuell

ICHGES

VCE=0V, VGE=20V, Tvj=25°C

500

n / A

开通延迟时间(电感负载)

Anmachen Verzögerungszeit, induktiv Belastung

TD( An)

Tvj=25°C Tvj=125°C

145

155

ns

上升时间(电感负载)

Aufstiegszeit, induktiv Belastung

TR

Tvj=25°C Tvj=125°C

28

40

ns

关断延迟时间(电感负载)

Ausschalten dVerzögerungszeit, induktiv Belastung

TD(aus)

ICHC=100A, VCE=600V

VGE=-15V…+15V

RGon=1,6 Ω

RGoff=1,6 Ω

Induktiv SieheAnzeige

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=25°C

Tvj=125°C

325

360

ns

下降时间(电感负载)

Abfallzeit, induktiv Belastung

TF

110

170

ns

开通损耗能量(每脉冲)

Anmachen Energie Verlust pro pulse

EAn

4.9

7.2

mJ

关断损耗能量(每脉冲)

Energie abschalten Verlust pro Impuls

Eaus

Tvj=25°C Tvj=125°C

6.5

9.7

mJ

短路数据

SC Daten

ICHSC

VGE=-15V…+15, VCC=600V

VCEmax=VCES-LsCE·di/dt, tP=10µs, Tvj=25°C

450

A

结－外壳热阻

Thermal Widerstand, juFunktion zu Fall

RthJC

Pro IGBT / Nein IGBT

0,23

K/W

工作温度

Temperatur undähm wechselt Bedingungen

Tvjop

-40 150

°C

Diode, Bremschopper/ 二极管,刹车

Maximal Nennwerte/最大额定值

Artikel

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheiten

反向重复峰值电压

Gipfel repetitiv Rückwärtsspannunge

VRRM

Tvj=25°C

1200

V

连续正向直流电流

Kontinuierlich Gleichstrom fürStationsstrom

ICHF

50

A

正向重复峰值电流

Gipfel sich wiederholender Vorwärtsstrom

ICHFRM

TP=1ms

100

A

Charakteristische Werte/ 特征值

Artikel

Symbol

Bedingungen

Mindest.Typ. Max.

Einheiten

正向电压

Vorwärtsspannung

VF

ICHF=50A

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

1,85

1,80

1,80

V

反向恢复峰值电流

Gipfel umkehren Erholung Caktuell

ICHrr

ICHF=50A

Tvj=25°C

Tvj=125°C

7.00

11.2

A

反向恢复电荷

Umkehren Erholung CHarge

QR

-diF/dtaus=2300A/µs VR = 600 V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

80

85

µC

反向恢复损耗(每脉冲)

Umkehren Erholung Energie (pro Impuls)

Eempf

VGE=-15V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

2.8

4.9

mJ

结－外壳热阻

Thermal Widerstand, juFunktion zu Fall

RthJC

Pro Diode/ 每个二极管

0,68

K/W

工作温度

Temperatur undähm wechselt Bedingungen

Tvjop

-40 150

°C

Diode, Gleichrichter/ 二极管,整流

Maximal Nennwerte/最大额定值

Artikel

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheiten

反向重复峰值电压

Gipfel repetitiv Rückwärtsspannunge

VRRM

Tvj=25°C

1600

V

最大正向均方根电流(每芯片)

Maximal RMS-Vorwärtsstrom pro Chip

ICHFRMSM

TH = 100°C

150

A

最大整流器输出均方根电流

Maximal RMS-Strom bei Gleichrichter Ausgabe

ICHRMSM

TH = 100°C

150

A

正向浪涌电流

Vorwärtsstürmenaktuell

ICHFSM

TP=10ms, Tvj=25°C, sin180°

1600

A

ICH2T-值

I²t-Wert

ICH2T

TP=10ms, Tvj=25°C, sin180°

13000

A2S

Charakteristische Werte/ 特征值

Artikel

Symbol

Bedingungen

Mindest. Typ. Max.

Einheiten

正向电压

Vorwärtsspannung

VF

Tvj=150°C, ICHF=100A

1,0

V

反向电流

Rückstrom

ICHR

Tvj=125°C, VR=1600V

2,0

mA

结－外壳热阻

Thermal Widerstand, juFunktion zu Fall

RthJC

Pro Diode/ 每个二极管

0,28

K/W

工作温度

Temperatur undähm wechselt Bedingungen

Tvjop

-40 150

°C

Modul/ 模块

Artikel

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheit

S

绝缘测试电压

IsolierungPrüfspannung

VISOL

RMS, f=50Hz, t=1min

2.5

kV

模块基板材料

Material von Modul Grundplatte

Cu

内部绝缘

Intern Isolierung

基本绝缘(Klasse 1, ICHEC 61140)

Basic Isolierung (Klasse 1, IEC 61140)

Al2Ö3

爬电距离

Kriechdistanz

10

mm

电气间隙

Spielraum

7.5

mm

相对电痕指数

KomperativE-Tracking Index

CTI

> 200

ArtikelsymbolBedingungen min.Typ.Max.Einheiten

杂散电感, 模块

Streuner Induktivität Modul

LsCE

25

nH

模块引脚电阻, 端子-芯片

Modul Führen Widerstand ,Klemmen-CHüfte

RCC'+EE'TH=25°C,每个开关/perswitch

1.1

mΩ

储存温度

LagertempTemperatur

Tstg

-40 125

°C

模块安装的安装扭距

Montagetorque für Modul Montage

M

3,00 6.00

Nm

重量

Gewicht

G

300

G