Einzelheiten zum Produkt
Modellnummer: SPS820F08HDM4
Zahlungs- und Versandbedingungen
Zertifizierungen: |
CER, FCC, RoHS |
Farbe: |
Schwarz |
Vereinbarkeit: |
Kompatibel mit modernsten Fahrzeugen |
Verbindungsfähigkeit: |
mit Kabel |
Abmessungen: |
Abhängig vom jeweiligen Modul |
Funktion: |
Steuerung und Überwachung verschiedener Systeme in einem Fahrzeug |
Material: |
Kunststoff und Metall |
Betriebstemperatur: |
-40°C zu 85°C |
Betriebsspannung: |
12 V |
Typ: |
Elektronisch |
Gewährleistung: |
1 Jahr |
Gewicht: |
Abhängig vom jeweiligen Modul |
Zertifizierungen: |
CER, FCC, RoHS |
Farbe: |
Schwarz |
Vereinbarkeit: |
Kompatibel mit modernsten Fahrzeugen |
Verbindungsfähigkeit: |
mit Kabel |
Abmessungen: |
Abhängig vom jeweiligen Modul |
Funktion: |
Steuerung und Überwachung verschiedener Systeme in einem Fahrzeug |
Material: |
Kunststoff und Metall |
Betriebstemperatur: |
-40°C zu 85°C |
Betriebsspannung: |
12 V |
Typ: |
Elektronisch |
Gewährleistung: |
1 Jahr |
Gewicht: |
Abhängig vom jeweiligen Modul |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind für die Berechnung der Leistung zu verwenden, wenn die Leistung nicht mehr als die für die Berechnung der Leistung erforderliche Menge beträgt.
750 V 820A IGBT Voller Brücke Modul
750 V 820A IGBT
Eigenschaften:
□ 750V-Trench+ Field Stop-Technologie
□ Freiraddioden mit schneller und weicher Rückwärtsgewinnung
□ VCE (Sat)mit einem positiven Temperaturkoeffizienten
□ Niedrige Umschaltverluste
□ Kurzschlussverschärfung
Typisch Anwendungen:
□ Motorantriebe
□ Elektrofahrzeuge mit Hybridantrieb
□ Anwendungen im Automobilbereich
□ Landwirtschaftliche Nutzfahrzeuge
Paket
Artikel | Symbol | Bedingungen | Werte | Einheit | |||
Isolationsversuchsspannung |
VISOL | RMS, f = 0 Hz, t = 1 s |
4.2 |
KV |
|||
Material der Modulunterlage |
- Was? |
||||||
Innere Isolierung |
(Klasse 1, IEC 61140) Grundisolierung (Klasse 1, IEC 61140) |
Das ist alles.2O3 |
|||||
Entfernung zum Schleichen |
Schrecklich | Anschluss an die Heizkessel | 9.0 |
mm |
|||
Schrecklich | von Terminal zu Terminal | 9.0 | |||||
Genehmigung |
dKlar | Anschluss an die Heizkessel | 4.5 |
mm |
|||
dKlar | von Terminal zu Terminal | 4.5 | |||||
Vergleichsverfolgungsindex |
CTI |
> 200 |
|||||
Artikel | Symbol | Bedingungen | Werte | Einheit | |||
- Ich weiß nicht. | Das ist typisch. | Max, du bist ein guter Mann. | |||||
Stray-Induktivitätsmodul |
LsCE |
10 |
nH | ||||
Modul-Bleiwiderstand, Endgeräte - Chip |
RCC+EE | TC= 25°C |
0.75 |
mΩ |
|||
Lagertemperatur |
Tstg |
- 40 |
125 |
°C |
|||
Montagestark für die Montage von Modulen |
M4 | Basisplatte für Heizkessel |
1.8 |
2.2 |
Nm |
||
M3 | PCB zum Rahmen |
0.45 |
0.55 |
Nm |
|||
Gewicht |
G |
725 |
g |
IGBT
Höchstbetrag Bewertet Werte
Artikel | Symbol | Bedingungen | Werte | Einheit | |
Sammler-Emitter Spannung |
VCES | TVj= 25°C |
750 |
V |
|
Höchstspannung des Tor-Emitters |
VGES |
± 20 |
V |
||
Übergangsspannung des Tor-Emitters |
VGES | tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30 |
V |
|
Implementierter Kollektorstrom |
ICN |
820 |
Eine |
||
Kontinuierlicher Gleichstrom im Kollektor |
Ich...C | TF= 80°C, TVjmax= 175°C |
450 |
Eine |
|
Pulsierter Kollektorstrom,tp begrenzt durch Tjmax |
ICpulse |
1640 |
Eine |
||
Leistungsausfall |
Ptot | TF= 75°C |
769 |
W |
Artikel | Symbol | Bedingungen | Werte | Einheit | |||
- Ich weiß nicht. | Das ist typisch. | Max, du bist ein guter Mann. | |||||
Sättigungsspannung des Kollektors-Emitters |
VCE (Sat) | Ich...C= 450 A, VGE=15V | TVj= 25°C | 1.20 | 1.40 |
V |
|
TVj= 125°C | 1.24 | ||||||
TVj= 150°C | 1.27 | ||||||
Ich...C=820A, VGE=15V | TVj= 25°C | 1.40 | 1.60 | ||||
TVj= 125°C | 1.55 | ||||||
TVj= 150°C | 1.60 | ||||||
Grenzspannung für das Tor |
VGE (th) | VCE-Nummern=VGEIch...C= 9,6 mA |
5.1 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
Stromabschnittsstrom zwischen Kollektor und Emitter |
ICES | VCE-Nummern=750V, VGE=0V | TVj= 25°C | 100 | μA | ||
TVj= 150°C | 5 | mA | |||||
Leckstrom des Tor-Emitters |
IGES | VCE-Nummern=0V,VGE=±20V, TVj= 25°C |
- 200 Dollar. |
200 |
nA |
||
Torentarife |
QG | VCE-Nummern= 400 V, IC= 450 A, VGE=-8/+15V |
1.6 |
μC |
|||
Innerer Torwiderstand |
RGint |
0.8 |
Ohm |
||||
Eingangskapazität |
Siehe | VCE-Nummern= 25V, VGE=0V, f =100kHz |
42.4 |
nF |
|||
Leistungskapazität |
Coes |
3.1 |
|||||
Umgekehrte Übertragungskapazität |
Cres |
0.8 |
|||||
Anschaltverzögerungszeit, Induktionslast |
(Durchgängig gemacht) |
VCC= 400 V,IC=450A RGönn= 2,5Ω, VGE=-8/+15V |
TVj= 25°C | 90 | n | ||
TVj= 125°C | 92 | n | |||||
TVj= 150°C | 96 | n | |||||
Steigzeit, Induktionslast |
tr | TVj= 25°C | 64 | n | |||
TVj= 125°C | 68 | n | |||||
TVj= 150°C | 70 | n | |||||
Verzögerungszeit für das Ausschalten, Induktionslast |
Td (ausgeschaltet) |
VCC= 400 V,IC=450A R- Ich weiß.= 5,1Ω, VGE=-8/+15V |
TVj= 25°C | 520 | n | ||
TVj= 125°C | 580 | n | |||||
TVj= 150°C | 590 | n | |||||
Fallzeit, Induktionslast |
tf | TVj= 25°C | 200 | n | |||
TVj= 125°C | 310 | n | |||||
TVj= 150°C | 320 | n | |||||
Energieverlust beim Einschalten pro Impuls |
Eon | VCC= 400 V,IC=450A RG= 2,5Ω,R- Ich weiß.= 5,1Ω VGE=-8/+15V | TVj= 25°C | 15.0 | MJ | ||
TVj= 125°C | 18.0 | MJ | |||||
TVj= 150°C | 20.0 | MJ | |||||
Energieverlust pro Impuls ausschalten |
Eoff | TVj= 25°C | 33.5 | MJ | |||
TVj= 125°C | 41.0 | MJ | |||||
TVj= 150°C | 43.0 | MJ |
Artikel | Symbol | Bedingungen | Werte | Einheit | |||
- Ich weiß nicht. | Das ist typisch. | Max, du bist ein guter Mann. | |||||
SC-Daten |
ISC | VGE≤ 15 V, VCC= 400 V | tp≤3 μs TVj= 150°C |
5400 |
Eine |
||
IGBT-Wärmewiderstand,Kühlflüssigkeit |
RthJF |
0.13 |
K / W |
||||
Betriebstemperatur |
TJop |
- 40 |
175 |
°C |
Diode
Höchstbetrag Bewertet Werte
Artikel | Symbol | Bedingungen | Werte | Einheit | |
Wiederholungsumkehrspannung |
VRRM | TVj= 25°C |
750 |
V |
|
Vorwärtsstrom eingeführt |
ICN |
820 |
Eine |
||
Kontinuierlicher Gleichstrom |
Ich...F | TF= 80°C, TVjmax= 175°C |
450 |
Eine |
|
Diodenpulsstrom,tp begrenzt durch TJmax |
IFpulse |
1640 |
Eigenschaften Werte
Artikel | Symbol | Bedingungen | Werte | Einheit | |||
- Ich weiß nicht. | Das ist typisch. | Max, du bist ein guter Mann. | |||||
Vorwärtsspannung |
VF | Ich...F= 450 A, VGE=0V | TVj= 25°C | 1.20 | 1.60 |
V |
|
TVj= 125°C | 1.16 | ||||||
TVj= 150°C | 1.14 | ||||||
Ich...F= 820A, VGE=0V | TVj= 25°C | 1.42 | 1.80 | ||||
TVj= 125°C | 1.43 | ||||||
TVj= 150°C | 1.44 | ||||||
Umgekehrte Wiederherstellungszeit |
Trr |
Ich...F= 450 A DieF/dt=-6700A/μs (T)Vj= 150°C) VR= 400 V, VGE= 8V |
TVj= 25°C | 122 |
n |
||
TVj= 125°C | 160 | ||||||
TVj= 150°C | 172 | ||||||
Höchststrom der Rückgewinnung |
IRRM | TVj= 25°C | 295 |
Eine |
|||
TVj= 125°C | 360 | ||||||
TVj= 150°C | 375 | ||||||
Umgekehrte Wiedereinziehungsgebühr |
QRR | TVj= 25°C | 28.5 |
μC |
|||
TVj= 125°C | 40.5 | ||||||
TVj= 150°C | 43.5 | ||||||
Umkehrenergieverlust pro Impuls |
Erec | TVj= 25°C | 6.2 |
MJ |
|||
TVj= 125°C | 11.7 | ||||||
TVj= 150°C | 13.2 | ||||||
Diodenwärmewiderstand, Verbindungskühlflüssigkeit |
RthJFD |
0.25 |
K / W |
||||
Betriebstemperatur |
TJop |
- 40 |
175 |
°C |
NTC-Thermistor
Eigenschaften Werte
Artikel | Symbol | Bedingungen | Werte | Einheit | |
Nennwiderstand |
R25 | TC= 25°C |
5.00 |
kΩ |
|
B-Wert |
R25/50 |
3375 |
K |
Ausgabe Charakteristisches (typisches) Ergebnis Merkmal (typisch)
Ich...C= f (V)CE-Nummern) TVj= 150°C
IGBT
Übertragung Charakteristisches (typisches) Umschaltverlust IGBT (typisch)
Ich...C= f (V)GE) VCE-Nummern= 20V E = f (RG)
VGE= -8/+15V, IC= 450 A, VCE-Nummern= 400 V
IGBT(RBSOA)
Schaltverluste IGBT (typisch) Umgekehrt Verzerrung sicher in Betrieb Fläche (RBSOA)
E = f (I)C) IC=f (V)CE-Nummern)
VGE= -8/+15V, RGönn= 2,5Ω,R- Ich weiß.= 5.1Ω, VCE-Nummern= 400 V VGE= -8/+15V, RSchnapp= 5,1Ω, TVj= 150°C
Typisch Kapazität als Funktion der Sammler-Emittent Spannung Torladung (typisch)
C = f (V)CE-Nummern) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 450 A, VCE-Nummern= 400 V
IGBT
IGBT Vergänglich thermische Impedanz Vorwärts Merkmal von Diode (typisch)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Schaltverluste Diode (typisch) Schaltverluste Diode (typisch)
ERechnen= f (RG) ERechnen= f (IF)
Ich...F= 450 A, VCE-Nummern= 400 V RG= 2,5Ω, VCE-Nummern= 400 V
Diode vorübergehende Wärme Impedanz NTC-Thermistor-Temperatur Merkmal (typisch)
Zth(j-c) = f (t) R = f (T)
Ein IGBT-Modul in einem Wechselrichter ist eine kompakte Baugruppe, die Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) und andere Komponenten enthält.IGBTs spielen eine entscheidende Rolle beim Umschalten und Umwandeln von Gleichstrom (Gleichstrom) in Wechselstrom (Wechselstrom) in Geräten wie MotorantriebenDas Modul vereinfacht die Integration und eine ordnungsgemäße Kühlung ist für Effizienz und Zuverlässigkeit unerlässlich.
Schaltkreis Diagramm Titel
Paket Umrisse
Abmessungen in mm
mm